Продукція > STQ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STQ-1016RFMDDescription: IC QUADRATURE MOD DIRECT 16TSSOP
товар відсутній
STQ-1016SIRENZA04+;
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ-1016Z
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ-2016SIRENZA04+;
на замовлення 38380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ-2016SIRENZA
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ-2016RFMDDescription: IC QUADRATURE MOD DIRECT 16TSSOP
товар відсутній
STQ-2016-3RFMDDescription: IC QUADRATURE MOD DIRECT 16TSSOP
товар відсутній
STQ-2016-3SirenzaTSSOP16 70-2500 MHz Direct Quadrature Modulator
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+813.43 грн
10+ 673.82 грн
100+ 586.87 грн
STQ-2016-3ZSIRENZA0647
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ-2016ZRFMDDescription: IC QUADRATURE MOD DIRECT 16TSSOP
товар відсутній
STQ-2016ZRFMDDescription: IC QUADRATURE MOD DIRECT 16TSSOP
товар відсутній
STQ-2016ZRFMDDescription: IC QUADRATURE MOD DIRECT 16TSSOP
товар відсутній
STQ-2016ZSIRENZA
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ-3016SIRENZA04+;
на замовлення 680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ-3016RFMDDescription: IC QUADRATURE MOD DIRECT 16TSSOP
товар відсутній
STQ1016
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ1016ZSTQ1016Z07NOPB
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ1016Znew
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ124-1022
на замовлення 13916 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ124-8222
на замовлення 14968 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ124A-8222
на замовлення 1394 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ125-100
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ125-1022A
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ125-8 222
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ125-8222
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ125A-7322A
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ125R-1018PF
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ127-7622
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ127R-2R2
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ127R-2R210AP
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ1553-3iNRCORE, LLCDescription: TRANSFORMER DUAL STACKED PBC
Packaging: Tray
Size / Dimension: 0.630" L x 0.630" W (16.00mm x 16.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Transformer Type: Interface, MIL-STD-1553
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1.25CT:1CT, 1.66CT:1CT
Height - Seated (Max): 0.340" (8.64mm)
товар відсутній
STQ1553-3iNRCOREPulse Transformers
товар відсутній
STQ1553-45iNRCOREPulse Transformer 1CT:2.5CT/1CT:1.79CT 100Vrms 1Ohm Prim. DCR 3.5Ohm Sec. DCR 16 Terminal PC Pin Thru-Hole
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5248.37 грн
5+ 4840.98 грн
12+ 4759.23 грн
STQ1553-45iNRCORE, LLCDescription: TRANSFORMER DUAL STACKED M PBC
Packaging: Tray
Size / Dimension: 0.630" L x 0.630" W (16.00mm x 16.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Transformer Type: Interface, MIL-STD-1553
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1CT:2.5CT, 1CT:1.79CT
Height - Seated (Max): 0.340" (8.64mm)
Part Status: Active
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6406.37 грн
10+ 5963.51 грн
25+ 5552.22 грн
STQ1HN60K3-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 50 V
товар відсутній
STQ1HN60K3-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 50 V
товар відсутній
STQ1HN60K3-APSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600V 6.4 Ohm 1.2A SuperMESH3 FET
на замовлення 1274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
STQ1HNK60R
на замовлення 7010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ1HNK60R-AP
Код товару: 103680		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STQ1HNK60R-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
STQ1HNK60R-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
на замовлення 3593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.02 грн
10+ 39.02 грн
100+ 27.03 грн
500+ 21.2 грн
1000+ 18.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
STQ1HNK60R-APSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.25A; Idm: 1.6A; 3W; TO92
Mounting: THT
Pulsed drain current: 1.6A
Power dissipation: 3W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.25A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO92
On-state resistance: 8.5Ω
товар відсутній
STQ1HNK60R-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
STQ1HNK60R-APSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 7.3 Ohm typ 1 A SuperMESH PowerMOSFET in TO-92 package
на замовлення 5625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.14 грн
10+ 43.41 грн
100+ 26.16 грн
500+ 21.88 грн
1000+ 18.62 грн
2000+ 16.37 грн
4000+ 15.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
STQ1HNK60R-APSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.25A; Idm: 1.6A; 3W; TO92
Mounting: THT
Pulsed drain current: 1.6A
Power dissipation: 3W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.25A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO92
On-state resistance: 8.5Ω
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
STQ1HNK60R-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
на замовлення 3852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 2000
STQ1HNK60R-APSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STQ1HNK60R-AP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 400 mA, 8 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.49 грн
18+ 46.98 грн
100+ 29.42 грн
500+ 22.87 грн
1000+ 13.86 грн
Мінімальне замовлення: 15
STQ1HNK60R-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000
STQ1NC40
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ1NC45
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ1NC45R
на замовлення 647 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ1NC45R*********
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ1NC45R************
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ1NC45R-APSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STQ1NC45R-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 450V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
STQ1NC45R-APSTMicroelectronicsMOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.77 грн
10+ 40.83 грн
100+ 24.56 грн
500+ 20.58 грн
1000+ 17.53 грн
2000+ 15.22 грн
4000+ 14.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
STQ1NC45R-APST09+
на замовлення 127998 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ1NC45R-APSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STQ1NC45R-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 450V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
STQ1NC45R-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 450V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
товар відсутній
STQ1NC45R-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 450V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
STQ1NC45R-AP
Код товару: 61971		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
STQ1NC45R-APSTMTO-92 05+
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ1NC45R-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 450V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+39.96 грн
19+ 32.66 грн
25+ 32.35 грн
100+ 22.32 грн
250+ 14.25 грн
Мінімальне замовлення: 16
STQ1NC45R-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 450V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
товар відсутній
STQ1NC45RA
на замовлення 14720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ1NC45RAP
на замовлення 24745 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ1NC60R-AP
на замовлення 3239 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ1NE10LSTMicroelectronicsMOSFET N-CHANNEL 100V - 0.3 Ohm - 1A TO-92 STripFET™, POWER MOSFET
товар відсутній
STQ1NE10L-AP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ1NE10LAPS
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ1NK60ZRST06+ TO-92
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ1NK60ZR(транзистор)
Код товару: 47888		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
STQ1NK60ZR-
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ1NK60ZR-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
STQ1NK60ZR-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.1 грн
6000+ 13.8 грн
Мінімальне замовлення: 2000
STQ1NK60ZR-APSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STQ1NK60ZR-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
STQ1NK60ZR-APSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 13 Ohm typ 0.3 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in TO-9
на замовлення 3957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.8 грн
10+ 37.58 грн
100+ 23.62 грн
500+ 19.06 грн
1000+ 15.36 грн
2000+ 12.97 грн
10000+ 12.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
STQ1NK60ZR-APSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STQ1NK60ZR-AP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 400 mA, 13 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+54.78 грн
18+ 45.76 грн
100+ 30.89 грн
500+ 19.09 грн
1000+ 12.47 грн
5000+ 12.19 грн
Мінімальне замовлення: 15
STQ1NK60ZR-APSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STQ1NK60ZR-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
STQ1NK60ZR-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
на замовлення 3296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.67 грн
10+ 36.91 грн
100+ 25.63 грн
500+ 18.78 грн
1000+ 15.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
STQ1NK60ZR-APSTTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 15Ohm; 300mA; 3W; -55°C~150°C; STQ1NK60ZR-AP STMicroelectronics TSTQ1NK60ZR-AP
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 880 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 50
STQ1NK60ZR-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
STQ1NK60ZR-AP
Код товару: 85095		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STQ1NK60ZR-AP$F1STTO-92 08+
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ1NK60ZR-AP$V3
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ1NK80ZR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ1NK80ZR-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 0.3A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
STQ1NK80ZR-APSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STQ1NK80ZR-APSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STQ1NK80ZR-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 0.25A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
STQ1NK80ZR-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 300MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+22.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000
STQ1NK80ZR-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 0.25A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000
STQ1NK80ZR-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 0.3A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
STQ1NK80ZR-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 0.25A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+13.35 грн
Мінімальне замовлення: 4000
STQ1NK80ZR-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 300MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.35 грн
10+ 50.34 грн
100+ 34.88 грн
500+ 27.35 грн
1000+ 23.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
STQ1NK80ZR-APSTMicroelectronicsMOSFETs N Ch 800V 13 Ohm 1A
на замовлення 5802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+66.86 грн
10+ 56.91 грн
100+ 34.71 грн
500+ 28.98 грн
1000+ 24.63 грн
2000+ 21.88 грн
4000+ 21.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
STQ1NK80ZR-APSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STQ1NK80ZR-AP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 300 mA, 13 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 37752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.91 грн
15+ 57.06 грн
100+ 39.09 грн
500+ 30.34 грн
1000+ 20.06 грн
5000+ 19.65 грн
Мінімальне замовлення: 12
STQ1NR60ZR-AP
на замовлення 20697 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ2016ST
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ2016-3Z
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ2016Z
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ2HNK60ZR-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 5792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
10+ 56.45 грн
100+ 39.09 грн
500+ 30.66 грн
1000+ 26.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
STQ2HNK60ZR-AP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ2HNK60ZR-APSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STQ2HNK60ZR-AP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 4.4 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.32 грн
50+ 54.37 грн
100+ 42.43 грн
500+ 32.83 грн
Мінімальне замовлення: 13
STQ2HNK60ZR-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000
STQ2HNK60ZR-APSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 3.5 Ohm typ 500 mA SuperMESH Power MOSFET in a TO-92 package
на замовлення 3253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.36 грн
10+ 62.74 грн
100+ 37.82 грн
500+ 31.52 грн
1000+ 26.81 грн
2000+ 23.91 грн
4000+ 22.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
STQ2HNK60ZR-APSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STQ2HNK60ZR-AP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 4.4 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: SuperMESH
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.49 грн
13+ 66.32 грн
100+ 42.43 грн
500+ 32.83 грн
Мінімальне замовлення: 11
STQ2HNK60ZR-AP
Код товару: 182267		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STQ2HNK60ZR-APSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STQ2HNK60ZR-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
STQ2HNK60ZR-APSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STQ2HNK60ZR-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
STQ2LN60K3-APSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600V 4 Ohm 0.6A SuperMESH3 FET TO92
на замовлення 5967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.93 грн
10+ 40.74 грн
100+ 24.63 грн
500+ 19.27 грн
1000+ 15.65 грн
2000+ 12.82 грн
10000+ 12.24 грн
Мінімальне замовлення: 8
STQ2LN60K3-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 600MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V
на замовлення 2693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.67 грн
10+ 36.53 грн
100+ 25.38 грн
500+ 18.6 грн
1000+ 15.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
STQ2LN60K3-APSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STQ2LN60K3-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.6A 3-Pin TO-92AP T/R
товар відсутній
STQ2LN60K3-APSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STQ2LN60K3-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 600MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+14.95 грн
6000+ 13.67 грн
Мінімальне замовлення: 2000
STQ2LN60K3-APSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STQ2LN60K3-AP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 600 mA, 4 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.75 грн
19+ 43.97 грн
100+ 29.67 грн
500+ 21.66 грн
1000+ 14.07 грн
Мінімальне замовлення: 16
STQ2LN60K3-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.6A 3-Pin TO-92AP T/R
товар відсутній
STQ2N62K3-APSTMicroelectronicsTRANS MOSFET N-CH 60V 2A 3-PIN TO-92
товар відсутній
STQ2N62K3-APSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 620V 2.95 Ohm 2.2A SuperMESH
товар відсутній
STQ2N62K3-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 2.2A TO92
товар відсутній
STQ2NK60ZR-
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ2NK60ZR-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
STQ2NK60ZR-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
419+29.34 грн
604+ 20.38 грн
Мінімальне замовлення: 419
STQ2NK60ZR-APSTMicroelectronicsMOSFET PTD HIGH VOLTAGE
на замовлення 6117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
STQ2NK60ZR-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товар відсутній
STQ2NK60ZR-AP
на замовлення 16030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ2NK60ZR-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+28.61 грн
23+ 27.24 грн
100+ 18.92 грн
Мінімальне замовлення: 22
STQ2NK60ZR-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
STQ2NK60ZR-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товар відсутній
STQ2NK60ZR-AP*****
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ3016Z
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQ3N45K3-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 450V 600MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товар відсутній
STQ3N45K3-APSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 450V 3.2 Ohm 1.8A SuperMESH3
на замовлення 1339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
STQ3NK50ZR-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 1.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товар відсутній
STQ4N52K3-APSTMicroelectronicsMOSFET 525V 2.6 OHM
товар відсутній
STQ4N52K3-APSTMicroelectronicsSTMicroelectronics
товар відсутній
STQB125-4R4
на замовлення 23200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQB125HF-2R2
на замовлення 14700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQB125R-1018
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQB125R-1018PF
на замовлення 217000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQC1553-1iNRCOREPulse Transformers
товар відсутній
STQC1553-2iNRCOREPulse Transformers
товар відсутній
STQC1553-45iNRCOREPulse Transformers
товар відсутній
STQC1553-45iNRCORE, LLCDescription: TRANSFORMER DUAL STACKED PBC
товар відсутній
STQC30STMicroelectronicsSTMicroelectronics HVDCP secondary-side Qualcomm Quick Charge 3.0 controller
товар відсутній
STQC30TRSTMicroelectronicsSTMicroelectronics HVDCP secondary-side Qualcomm Quick Charge 3.0 controller
товар відсутній
STQFN-20Silego TechnologySTQFN-20
товар відсутній
STQINE10LAPSST
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STQN1553-1iNRCOREPulse Transformers
товар відсутній
STQN1553-45iNRCOREAudio Transformers / Signal Transformers
товар відсутній