Продукція > SQS
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SQS-A03GF-P-P | J.S.T. Deutschland GmbH | Contact SKT Crimp ST Cable Mount 21-23AWG Reel Automotive | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS-A03GF-P-P | JST Automotive | Automotive Connectors SQUIB FEMALE FEMALE | на замовлення 378880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS-A03GI-P-P | J.S.T. Deutschland GmbH | Contact Body used with Connectors | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS140ELNW-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SLW, 2.53 mohm a. 10V, 3.45 mohm a. 4.5V | на замовлення 4025 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS140ELNW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 153A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.53mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 119W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4051 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS140ELNW-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 153A Automotive AEC-Q101 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS140ELNW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 153A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.53mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 119W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4051 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4891 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS140ENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S) | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS140ENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S) | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS140ENW-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | на замовлення 8075 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS141ELNW-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQS141ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 101 A, 0.0074 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 101A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 192W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 1135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS141ELNW-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET | на замовлення 10033 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS141ELNW-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -79A; Idm: -227A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -79A Pulsed drain current: -227A Power dissipation: 119W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 19mΩ Mounting: SMD Gate charge: 141nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS141ELNW-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -79A; Idm: -227A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -79A Pulsed drain current: -227A Power dissipation: 119W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 19mΩ Mounting: SMD Gate charge: 141nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS141ELNW-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQS141ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 101 A, 0.0074 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 101A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 192W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 1135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS142ELNW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2442 pF @ 25 V | на замовлення 3044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS142ELNW-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQS142ELNW-T1_GE3 - AUTOMOTIVE N-CH 40 V (D-S) MOSFET MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 6550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS142ELNW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2442 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS142ELNW-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQS142ELNW-T1_GE3 - AUTOMOTIVE N-CH 40 V (D-S) MOSFET | на замовлення 6550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS142ELNW-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET | на замовлення 24226 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS142ENW-T1/GE3 | Vishay | Vishay | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS142ENW-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 110A; Idm: 271A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 110A Pulsed drain current: 271A Power dissipation: 113W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS142ENW-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET | на замовлення 38189 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS142ENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS142ENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS142ENW-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 110A Automotive AEC-Q101 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS142ENW-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 110A; Idm: 271A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 110A Pulsed drain current: 271A Power dissipation: 113W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS146ELNW-T1/GE3 | Vishay | MOSFETs | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS146ELNW-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | на замовлення 2320 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS146ENW-T1/GE3 | Vishay | Array | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS146ENW-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS160ELNW-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs | на замовлення 73581 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS164ELNW-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 82A T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS164ELNW-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs | на замовлення 11730 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS166ELNW-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS16A1001JSLF | TT Electronics/BI | Description: RES ARRAY 8 RES 1K OHM 16SSOP | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS16A10R0JSLF | TT Electronics/BI | Description: RES ARRAY 8 RES 10 OHM 16SSOP | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS16A33R0JL | на замовлення 105 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SQS16A33R0JSLF | TT Electronics/BI | Description: RES ARRAY 8 RES 33 OHM 16SSOP | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS16A5100JSLF | TT Electronics/BI | Description: RES ARRAY 8 RES 510 OHM 16SSOP | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS16A51R0JSLF | TT Electronics/BI | Description: RES ARRAY 8 RES 51 OHM 16SSOP | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS16B-2002JS | BI | 03+ | на замовлення 49 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
SQS16B1000FS | на замовлення 77 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SQS16B1000GSLF | TT Electronics/BI | Description: RES ARRAY 15 RES 100 OHM 16SSOP | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS16B1001GSLF | TT Electronics/BI | Description: RES ARRAY 15 RES 1K OHM 16SSOP | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS16B1001JL | на замовлення 320 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SQS16B1002GSLF | TT Electronics/BI | Description: RES ARRAY 15 RES 10K OHM 16SSOP | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS16B2001GSLF | TT Electronics/BI | Description: RES ARRAY 15 RES 2K OHM 16SSOP | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS16B2200GSLF | TT Electronics/BI | Description: RES ARRAY 15 RES 220 OHM 16SSOP | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS16B47010JL | на замовлення 170 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SQS16B4701GSLF | TT Electronics/BI | Description: RES ARRAY 15 RES 4.7K OHM 16SSOP | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS16B4701JL | на замовлення 120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SQS174ELNW-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs Automotive N-Channel 72 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SLW, 5.5 mohm a. 10V, 7.2 mohm a. 4.5V | на замовлення 4401 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS178ELNW-T1_GE3 | Vishay | MOSFETs SQS178ELNW | на замовлення 2920 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS180ELNW | Vishay / Siliconix | MOSFET Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SW, 7.1 mohm a. 10V, 8.3 mohm a. 4.5V | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS180ELNW-T1-GE3 | Vishay | Vishay N-CHANNEL 80 V MOSFET PWR | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS180ELNW-T1/GE3 | Vishay | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS180ELNW-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQS180ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 0.0053 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 119W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 2965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS180ELNW-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 82A | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS180ELNW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 119W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3689 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9033 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS180ELNW-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQS180ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 0.0053 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 119W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 2965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS180ELNW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 119W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3689 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS180ELNW-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs | на замовлення 7079 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS180ENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.67mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 119W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3092 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS180ENW-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SW, 8.67 mohm a. 10V | на замовлення 5140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS180ENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.67mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 119W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3092 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS181ELNW-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET Automotive P-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SW, 31 mohm a. 10V, 48 mohm a. 4.5V | на замовлення 11722 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS182ELNW-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SW, 13.2 mohm a. 10V, 15.6 mohm a. 4.5V | на замовлення 5341 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS201CENW-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET | на замовлення 3570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS20B-1001FS | на замовлення 51 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SQS20B1001GSLF | TT Electronics/BI | Description: RES ARRAY 19 RES 1K OHM 20SSOP | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS20B1002GSLF | TT Electronics/BI | Description: RES ARRAY 19 RES 10K OHM 20SSOP | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS20B1501GSLF | TT Electronics/BI | Description: RES ARRAY 19 RES 1.5K OHM 20SSOP | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS20B4701GSLF | TT Electronics/BI | Description: RES ARRAY 19 RES 4.7K OHM 20SSOP | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS24A1001FS | на замовлення 71 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
SQS24B1002GSLF | TT Electronics/BI | Description: RES ARRAY 23 RES 10K OHM 24SSOP | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS24B4701GSLF | TT Electronics/BI | Description: RES ARRAY 23 RES 4.7K OHM 24SSOP | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS24B5001GSLF | TT Electronics/BI | Description: RES ARRAY 23 RES 5K OHM 24SSOP | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS24B5101GSLF | TT Electronics/BI | Description: RES ARRAY 23 RES 5.1K OHM 24SSOP | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS2C-02H-1A-R | JST Automotive | Automotive Connectors RED CPA HOUSING RESTRICTED PART | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS2F-02-1T | JST Automotive | Automotive Connectors 2CIRCUIT FERRITE RESTRICTED PART | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS2L-02H-1A-Y | JST Automotive | Automotive Connectors 2 CIR YELLOW CVR HSG RESTRICTED PART | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS2R-02H-2C-D | JST Automotive | Automotive Connectors YELLOW FEMALE HSG RESTRICTED PART | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS400EN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 16A TO263 | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS401EN-T1"BE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQS401EN-T1"BE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 16A, POWERPAK 1212 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 6199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS401EN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK 1212-8 | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS401EN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS401EN-T1_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 40V (D-S) | на замовлення 982767 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS401EN-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS401EN-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 82172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS401EN-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8 | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS401EN-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQS401EN-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.02 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 62.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS401EN-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -16A; Idm: -64A; 20W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -16A Pulsed drain current: -64A Power dissipation: 20W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 51mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS401EN-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | на замовлення 1921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
SQS401EN-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS401EN-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8 | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS401EN-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -16A; Idm: -64A; 20W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -16A Pulsed drain current: -64A Power dissipation: 20W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 51mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS401EN-T1_GE3 Код товару: 183342 | Транзистори > Польові P-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||
SQS401EN-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS401EN-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 40V 16A 62.5W AEC-Q101 Qualified | на замовлення 108781 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
SQS401ENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 16A POWERPAK1212 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
SQS401ENW-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | на замовлення 141950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS401ENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 16A POWERPAK1212 | на замовлення 4830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
SQS405CENW | Vishay | SQS405CENW | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS405CENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 13.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS405CENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 13.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS405CENW-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQS405CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.0106 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 17729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS405CENW-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQS405CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.0106 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 39W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0106ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 17729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS405CENW-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 12V 16A 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS405CENW-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C AEC-Q101 | на замовлення 28753 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS405EN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 12V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS405EN-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 12V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS405EN-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 6 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 20778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS405EN-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS405EN-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Grade: Automotive Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 6 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS405ENW-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified | на замовлення 4731 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
SQS405ENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Grade: Automotive Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 6 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS405ENW-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 12V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS405ENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Grade: Automotive Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 6 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS407ENW-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQS407ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 6 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.1 Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TrenchFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0265 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS407ENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4572 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 28993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS407ENW-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W | на замовлення 71703 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS407ENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4572 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 28993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS411ENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.3mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 39.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3191 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS411ENW-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQS411ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 53.6W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 4346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS411ENW-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS411ENW-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -40V Vds 20V Vgs POWERPAK 1212-8W | на замовлення 17456 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS411ENW-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQS411ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 53.6W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 4346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS411ENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.3mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 39.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3191 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS414CENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS414CENW-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 18A T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS414CENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS414CENW-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET | на замовлення 55464 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS415ENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4825 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS415ENW-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS415ENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4825 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS415ENW-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -40V Vds 20V Vgs POWERPAK 1212-8W | на замовлення 15988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS415ENW-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQS415ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.013 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 5913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS420EN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS420EN-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 20V 8A 18W AEC-Q101 Qualified | на замовлення 22683 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS420EN-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 8A PPAK1212-8 | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS420EN-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS420EN-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 8A PPAK1212-8 | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS423EN-T1_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 30V (D-S) | на замовлення 5975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
SQS423EN-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified | на замовлення 3015 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
SQS423EN-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 16A POWERPAK1212 | на замовлення 2750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
SQS423EN-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 16A POWERPAK1212 | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS423ENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK 1212-8W | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS423ENW-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS423ENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK 1212-8W | на замовлення 2674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
SQS423ENW-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 30-V(D-S)175C MOSFET P-CHANNEL PowerPAK | на замовлення 5890 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS460CENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS460CENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS460EN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 8A 1212-8 | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS460EN-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS460EN-T1_BE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 60V | на замовлення 30804 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS460EN-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 61799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS460EN-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 60V 8A 39W AEC-Q101 Qualified | на замовлення 86515 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS460EN-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS460EN-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS460EN-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V | на замовлення 5200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS460ENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS460ENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS460ENW-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified | на замовлення 32111 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS462EN-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V | на замовлення 12090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS462EN-T1_BE3 | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS462EN-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS462EN-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS462EN-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS462EN-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS462EN-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 60V 8A 33W AEC-Q101 Qualified | на замовлення 5776 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS464EEN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS466EEN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS481ENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.095Ohm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 75 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS481ENW-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 150V 4.7A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS481ENW-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQS481ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 4.7 A, 0.91 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.91ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 6717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS481ENW-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -150V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified | на замовлення 154104 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS481ENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.095Ohm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 75 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 14613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS481ENW-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQS481ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 4.7 A, 0.91 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.91ohm | на замовлення 4896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS482EN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS482EN-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 30V 16A 62W AEC-Q101 Qualified | на замовлення 2680 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS482EN-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16.4A, 10V Power Dissipation (Max): 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 25 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS482EN-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS482EN-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16.4A, 10V Power Dissipation (Max): 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 25 V | на замовлення 7987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS482ENW-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQS482ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.007 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 62W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 1206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS482ENW-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQS482ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.007 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 62W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 1206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS482ENW-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 30V Vds -/+20V Vgs PowerPAK 1212-8W | на замовлення 540 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS482ENW-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS484CENW-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 40V PowerPAK 1212-8W | на замовлення 5844 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS484CENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK 1212-8W | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
SQS484CENW-T1_GE3 | Vishay | N-Channel MOSFET | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS484CENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK 1212-8W | на замовлення 4517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
SQS484EN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS484EN-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS484EN-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V Power Dissipation (Max): 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 25 V | на замовлення 5497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS484EN-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS484EN-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V Power Dissipation (Max): 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 25 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS484EN-T1_BE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 40V | на замовлення 250068 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS484EN-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS484EN-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V Power Dissipation (Max): 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 25 V | на замовлення 14249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS484EN-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 40V 16A 62W AEC-Q101 Qualified | на замовлення 5759 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS484EN-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS484EN-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS484EN-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V Power Dissipation (Max): 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 25 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS484ENW-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Channel 40V PowerPAK 1212-8W | на замовлення 5470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS484ENW-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS484ENW-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQS484ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 16 A, 0.0065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage Verlustleistung: 62.5 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065 Qualifikation: AEC-Q101 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS484ENW-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS484ENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 36078 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS484ENW-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQS484ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 16 A, 0.0065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 8945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS484ENW-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS484ENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS486CENW-T1 GE3 | Vishay | MOSFET 40V N-CHANNEL (D-S) | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS486CENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS486CENW-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | на замовлення 26578 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS486CENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 17918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS486CENW-T1_GE3 | Vishay | Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8W, 5.1 m @ 10V, 7.3 m @ 4.5V | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS660CENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS660CENW-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS660CENW-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET | на замовлення 72720 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS660CENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS840CENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK 1212-8W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS840CENW-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS840CENW-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK | на замовлення 5136 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS840CENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK 1212-8W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS840CENW-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQS840CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.014 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 33W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm | на замовлення 12872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS840CENW-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQS840CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.014 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm | на замовлення 12872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS840EN-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V | на замовлення 8953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS840EN-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS840EN-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 40V 12A 33W AEC-Q101 Qualified | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS840EN-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS840EN-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS850EN-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 6.1A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2021 pF @ 30 V | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS850EN-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 6.1A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2021 pF @ 30 V | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS850EN-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 12A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 6.1A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2021 pF @ 30 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS850EN-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified | на замовлення 17114 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS850EN-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 12A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 6.1A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2021 pF @ 30 V | на замовлення 4911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS940ELNW-T1/GE3 | Vishay | Vishay | товар відсутній | |||||||||||||||
SQS944ENW-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W | на замовлення 6497 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS966ENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 27.8W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 1.25A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS966ENW-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W | на замовлення 40960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS966ENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 27.8W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 1.25A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQS966ENW-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
SQSA12CENW | Vishay | Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET AEC-Q101 qualified | товар відсутній | |||||||||||||||
SQSA12CENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQSA12CENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQSA12CENW-T1_GE3 | Vishay | N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
SQSA12CENW-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET | на замовлення 26568 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQSA70CENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 150 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68.5mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V | на замовлення 31563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQSA70CENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 150 V (D-S) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68.5mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQSA80ENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQSA80ENW-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 18A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
SQSA80ENW-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 80V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified | на замовлення 7366 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQSA80ENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQSA82CENW-T1/GE3 | Vishay | MOSFETs | товар відсутній | |||||||||||||||
SQSA82CENW-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 12A Automotive T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
SQSA82CENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQSA82CENW-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 12A; Idm: 35A; 27W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 12A Pulsed drain current: 35A Power dissipation: 27W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 97.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||
SQSA82CENW-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs Automotive N-Channel 80V (D-S) 175C MOSFET W 37mohms SG | на замовлення 29805 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQSA82CENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 14454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQSA82CENW-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 12A; Idm: 35A; 27W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 12A Pulsed drain current: 35A Power dissipation: 27W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 97.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
SQSA84CENW-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET W, 32 mO 10V, 37 mO 4.5V | на замовлення 22786 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQSA84CENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQSA84CENW-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 16A; Idm: 54A; 27W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 16A Pulsed drain current: 54A Power dissipation: 27W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 73mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
SQSA84CENW-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 16A; Idm: 54A; 27W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 16A Pulsed drain current: 54A Power dissipation: 27W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 73mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||
SQSA84CENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQSC-02H-1A-D | J.S.T. Deutschland GmbH | SQSC-02H-1A-D | товар відсутній | |||||||||||||||
SQSC-02H-1A-Y | JST Automotive | Automotive Connectors YELLOW CPA HOUSING | на замовлення 10327 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQSCL-02H-1A-Y | J.S.T. Deutschland GmbH | SQSCL-02H-1A-Y | товар відсутній | |||||||||||||||
SQSCR-02H-1A-LP | J.S.T. Deutschland GmbH | SQSCR-02H-1A-LP | товар відсутній | |||||||||||||||
SQSDO1920D3JCA/3.2*5 | SAMSANG | 1000/REEL | на замовлення 7470 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
SQSF-02-1A | JST Automotive | Automotive Connectors 2CIRCUIT FERRITE 0 | на замовлення 4717 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQSKC-02H-1A-D | J.S.T. Deutschland GmbH | SQSKC-02H-1A-D | товар відсутній | |||||||||||||||
SQSKL-02H-2A-Y | J.S.T. Deutschland GmbH | SQSKL-02H-2A-Y | товар відсутній | |||||||||||||||
SQSKL-02H-2A-Y | JST Automotive | Automotive Connectors Cover HSG (A code yellow) | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
SQSKR-02H-1A-K | J.S.T. Deutschland GmbH | SQSKR-02H-1A-K | товар відсутній | |||||||||||||||
SQSR-02H-1A-K | J.S.T. Deutschland GmbH | Conn Housing RCP 2 POS Crimp ST Panel Mount Automotive Box | товар відсутній | |||||||||||||||
SQSR-02H-1C-D | J.S.T. Deutschland GmbH | Conn Housing F 2 POS Crimp ST Cable Mount Orange | товар відсутній |