Продукція > RUF
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RUF015N02 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RUF015N02TL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; Idm: 3A; 800mW; TUMT3 Type of transistor: N-MOSFET Case: TUMT3 Mounting: SMD Power dissipation: 0.8W Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 3A On-state resistance: 0.31Ω Drain-source voltage: 20V Polarisation: unipolar Gate charge: 1.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Drain current: 1.5A кількість в упаковці: 5 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
RUF015N02TL | ROHM | Description: ROHM - RUF015N02TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.13 ohm, TUMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: TUMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RUF015N02TL | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RUF015N02TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3 | на замовлення 3565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RUF015N02TL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; Idm: 3A; 800mW; TUMT3 Type of transistor: N-MOSFET Case: TUMT3 Mounting: SMD Power dissipation: 0.8W Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 3A On-state resistance: 0.31Ω Drain-source voltage: 20V Polarisation: unipolar Gate charge: 1.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Drain current: 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||
RUF015N02TL | ROHM Semiconductor | MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, 20V, 1.5A | на замовлення 13635 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RUF015N02TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
RUF020N02 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RUF020N02TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RUF020N02TL | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RUF020N02TL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 6A; 800mW; TUMT3 Case: TUMT3 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 2A On-state resistance: 0.24Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 6A | товар відсутній | |||||||||||||||
RUF020N02TL | ROHM Semiconductor | MOSFET Trans MOSFET N-CH 20V 2A | на замовлення 6841 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RUF020N02TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V | на замовлення 86313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RUF020N02TL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 6A; 800mW; TUMT3 Case: TUMT3 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 2A On-state resistance: 0.24Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 6A кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
RUF025N02 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RUF025N02FRATL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; Idm: 5A; 800mW; TUMT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 5A Power dissipation: 0.8W Case: TUMT3 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: SMD Gate charge: 5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
RUF025N02FRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RUF025N02FRATL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; Idm: 5A; 800mW; TUMT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 5A Power dissipation: 0.8W Case: TUMT3 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: SMD Gate charge: 5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||
RUF025N02FRATL | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 20V Vds 2.5A 0.08Rds(on) 5Qg | на замовлення 5769 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RUF025N02FRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RUF025N02TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V | на замовлення 19828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RUF025N02TL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; Idm: 5A; 800mW; TUMT3 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.8W Kind of package: reel; tape Gate charge: 5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 5A Mounting: SMD Case: TUMT3 Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.5A On-state resistance: 0.16Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
RUF025N02TL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; Idm: 5A; 800mW; TUMT3 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.8W Kind of package: reel; tape Gate charge: 5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 5A Mounting: SMD Case: TUMT3 Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.5A On-state resistance: 0.16Ω Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
RUF025N02TL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 20V, 2A | на замовлення 20206 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RUF025N02TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
RUF025N02TL | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RUF36 | на замовлення 148 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RUFE185 | Tyco | на замовлення 1680000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |