Продукція > RU1

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RU1
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RU1-0511D
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RU1-0511S
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RU1-0512D
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RU1-0512S
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RU1-0513D
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RU1-0513S
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RU1-0514D
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RU1-0514S
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RU1-1211D
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RU1-1211S
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RU1005FR020CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.02 OHM 1% 1/8W 0402
товар відсутній
RU1005FR027CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.027 OHM 1% 1/8W 0402
товар відсутній
RU1005FR030CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.03 OHM 1% 1/8W 0402
товар відсутній
RU1005FR033CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.033 OHM 1% 1/8W 0402
товар відсутній
RU1005FR036CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.036 OHM 1% 1/8W 0402
товар відсутній
RU1005FR039CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.039 OHM 1% 1/8W 0402
товар відсутній
RU1005FR043CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.043 OHM 1% 1/8W 0402
товар відсутній
RU1005FR047CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.047 OHM 1% 1/8W 0402
товар відсутній
RU1005FR051CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.051 OHM 1% 1/8W 0402
товар відсутній
RU1005FR056CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.056 OHM 1% 1/8W 0402
товар відсутній
RU1005FR062CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.062 OHM 1% 1/8W 0402
товар відсутній
RU1005FR068CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.068 OHM 1% 1/8W 0402
товар відсутній
RU1005FR068CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.068 OHM 1% 1/8W 0402
товар відсутній
RU1005FR075CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.075 OHM 1% 1/8W 0402
товар відсутній
RU1005FR082CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.082 OHM 1% 1/8W 0402
товар відсутній
RU1005FR091CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.091 OHM 1% 1/8W 0402
товар відсутній
RU1005FR100CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.1 OHM 1% 1/8W 0402
товар відсутній
RU1005JR027CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.027 OHM 5% 1/8W 0402
товар відсутній
RU1005JR030CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.03 OHM 5% 1/8W 0402
товар відсутній
RU1005JR033CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.033 OHM 5% 1/8W 0402
товар відсутній
RU1005JR036CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.036 OHM 5% 1/8W 0402
товар відсутній
RU1005JR039CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.039 OHM 5% 1/8W 0402
товар відсутній
RU1005JR043CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.043 OHM 5% 1/8W 0402
товар відсутній
RU1005JR047CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.047 OHM 5% 1/8W 0402
товар відсутній
RU1005JR051CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.051 OHM 5% 1/8W 0402
товар відсутній
RU1005JR056CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.056 OHM 5% 1/8W 0402
товар відсутній
RU1005JR062CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.062 OHM 5% 1/8W 0402
товар відсутній
RU1005JR068CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.068 OHM 5% 1/8W 0402
товар відсутній
RU1005JR075CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.075 OHM 5% 1/8W 0402
товар відсутній
RU1005JR082CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.082 OHM 5% 1/8W 0402
товар відсутній
RU1005JR091CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.091 OHM 5% 1/8W 0402
товар відсутній
RU1005JR100CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.1 OHM 5% 1/8W 0402
товар відсутній
RU1088R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RU10N08
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RU120N15Q
на замовлення 6700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RU12218TacoDescription: COPPER TUBE BUNDLE ASSY W/GASKET
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RU140N10
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RU1608FR010CSSamsung Electro-Mechanics America, Inc.Description: RES SMD 0.01 OHM 1% 1/4W 0603
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RU1608FR010CSSamsung Electro-Mechanics America, Inc.Description: RES SMD 0.01 OHM 1% 1/4W 0603
на замовлення 36515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RU1608FR010CSSamsung Electro-Mechanics America, Inc.Description: RES SMD 0.01 OHM 1% 1/4W 0603
на замовлення 36515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RU1608FR012CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.012 OHM 1% 1/4W 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±1%
Features: Current Sense, Moisture Resistant
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±600ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 12 mOhms
товар відсутній
RU1608FR020CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.02 OHM 1% 1/4W 0603
товар відсутній
RU1608FR020CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.02 OHM 1% 1/4W 0603
на замовлення 18734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.1 грн
10+ 30.38 грн
25+ 23.69 грн
50+ 18.8 грн
100+ 14.81 грн
250+ 12.53 грн
500+ 10.09 грн
1000+ 7.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
RU1608FR022CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.022 OHM 1% 1/4W 0603
товар відсутній
RU1608FR022CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.022 OHM 1% 1/4W 0603
товар відсутній
RU1608FR024CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.024 OHM 1% 1/4W 0603
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±1%
Features: Current Sense, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±600ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 24 mOhms
товар відсутній
RU1608FR091CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.091 OHM 1% 1/4W 0603
товар відсутній
RU1608FR100CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.1 OHM 1% 1/4W 0603
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RU1608FR100CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.1 OHM 1% 1/4W 0603
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RU1608JR091CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.091 OHM 5% 1/4W 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±5%
Features: Current Sense, Moisture Resistant
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±150ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 91 mOhms
товар відсутній
RU1608JR100CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.1 OHM 5% 1/4W 0603
товар відсутній
RU16208TacoDescription: COPPER TUBE BUNDLE ASSY W/GASKET
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RU1890B04HAA
на замовлення 4983 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RU190N00
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RU190N08
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RU190N08R
на замовлення 887 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RU190N08R N-Ch Power Mosfet 80V 190A 3,9 mOhm
Код товару: 150137		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
RU190N10Q
на замовлення 6700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RU190N10R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RU1A
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RU1AEICDiode Switching 600V 0.25A 2-Pin Case D-2
товар відсутній
RU1C
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RU1C001UNTCLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100mA; Idm: 0.4A; 150mW
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Case: SOT323F
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 0.4A
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.15W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 5.6Ω
Drain current: 0.1A
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RU1C001UNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.1A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2703+4.46 грн
2783+ 4.33 грн
5000+ 4.22 грн
Мінімальне замовлення: 2703
RU1C001UNTCLROHM SemiconductorMOSFET 1.2V N-CHANNEL DRIVE
на замовлення 16402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.83 грн
14+ 24.81 грн
100+ 11.53 грн
500+ 7.59 грн
1000+ 5.13 грн
3000+ 4.71 грн
6000+ 4.01 грн
Мінімальне замовлення: 11
RU1C001UNTCLROHMDescription: ROHM - RU1C001UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+6.25 грн
145+ 5.47 грн
174+ 4.53 грн
500+ 3.78 грн
Мінімальне замовлення: 127
RU1C001UNTCLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100mA; Idm: 0.4A; 150mW
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Case: SOT323F
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 0.4A
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.15W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 5.6Ω
Drain current: 0.1A
Drain-source voltage: 20V
товар відсутній
RU1C001UNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1 pF @ 10 V
на замовлення 30515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.61 грн
17+ 17.79 грн
100+ 8.68 грн
500+ 6.8 грн
1000+ 4.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
RU1C001UNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.1A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 23465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5770+2.09 грн
6250+ 1.93 грн
6466+ 1.86 грн
6727+ 1.73 грн
Мінімальне замовлення: 5770
RU1C001UNTCLROHMDescription: ROHM - RU1C001UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+6.25 грн
145+ 5.47 грн
174+ 4.53 грн
500+ 3.78 грн
Мінімальне замовлення: 127
RU1C001UNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.1A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RU1C001UNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.53 грн
6000+ 4.04 грн
9000+ 3.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RU1C001ZPTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -100mA; Idm: -0.4A; 200mW
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -100mA
On-state resistance: 6.8Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -0.4A
Mounting: SMD
Case: SOT323F
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+18.92 грн
32+ 11.64 грн
100+ 5.48 грн
391+ 2.18 грн
1075+ 2.06 грн
Мінімальне замовлення: 21
RU1C001ZPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 100MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.77 грн
23+ 13.03 грн
100+ 6.37 грн
500+ 4.99 грн
1000+ 3.47 грн
Мінімальне замовлення: 16
RU1C001ZPTLROHMDescription: ROHM - RU1C001ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.56 грн
1000+ 2.96 грн
5000+ 2.32 грн
Мінімальне замовлення: 500
RU1C001ZPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 100MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
товар відсутній
RU1C001ZPTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -100mA; Idm: -0.4A; 200mW
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -100mA
On-state resistance: 6.8Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -0.4A
Mounting: SMD
Case: SOT323F
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
13+22.71 грн
19+ 14.51 грн
100+ 6.58 грн
391+ 2.62 грн
1075+ 2.48 грн
Мінімальне замовлення: 13
RU1C001ZPTLROHM SemiconductorMOSFET 1.2V Drive Pch MOSFET
на замовлення 3104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+20.25 грн
20+ 16.33 грн
100+ 7.52 грн
500+ 4.99 грн
Мінімальне замовлення: 17
RU1C001ZPTLROHMDescription: ROHM - RU1C001ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+24.13 грн
49+ 16.24 грн
124+ 6.36 грн
500+ 4.56 грн
1000+ 2.96 грн
5000+ 2.32 грн
Мінімальне замовлення: 33
RU1C002UNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.21 грн
6000+ 2.96 грн
9000+ 2.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RU1C002UNTCLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 200mA; Idm: 0.4A; 150mW
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323F
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 0.4A
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.15W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 4.8Ω
Drain current: 0.2A
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 20 шт
товар відсутній
RU1C002UNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1505+8.01 грн
1555+ 7.75 грн
2500+ 7.52 грн
5000+ 7.06 грн
Мінімальне замовлення: 1505
RU1C002UNTCLROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.54 грн
16+ 21.02 грн
100+ 10.4 грн
500+ 6.89 грн
1000+ 5.27 грн
3000+ 4.64 грн
6000+ 4.15 грн
Мінімальне замовлення: 12
RU1C002UNTCLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 200mA; Idm: 0.4A; 150mW
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323F
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 0.4A
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.15W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 4.8Ω
Drain current: 0.2A
Drain-source voltage: 20V
товар відсутній
RU1C002UNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 25800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.85 грн
18+ 17.13 грн
100+ 8.65 грн
500+ 6.62 грн
1000+ 4.91 грн
Мінімальне замовлення: 12
RU1C002UNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 7994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2863+4.21 грн
2880+ 4.19 грн
3364+ 3.58 грн
3547+ 3.28 грн
6000+ 2.85 грн
Мінімальне замовлення: 2863
RU1C002ZPTCLROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
на замовлення 226158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+21.32 грн
23+ 14.31 грн
100+ 5.13 грн
1000+ 3.51 грн
3000+ 2.81 грн
9000+ 2.32 грн
24000+ 2.18 грн
Мінімальне замовлення: 16
RU1C002ZPTCLROHMDescription: ROHM - RU1C002ZPTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+23.65 грн
50+ 15.85 грн
127+ 6.24 грн
500+ 4.37 грн
1000+ 2.71 грн
Мінімальне замовлення: 34
RU1C002ZPTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.29 грн
6000+ 2.94 грн
9000+ 2.44 грн
30000+ 2.25 грн
75000+ 2.02 грн
150000+ 1.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RU1C002ZPTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1080+11.17 грн
1116+ 10.81 грн
2500+ 10.49 грн
5000+ 9.84 грн
10000+ 8.89 грн
Мінімальне замовлення: 1080
RU1C002ZPTCLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -200mA; Idm: -0.8A; 150mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -200mA
Pulsed drain current: -0.8A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT323F
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 9.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
RU1C002ZPTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V
на замовлення 157233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.77 грн
23+ 12.89 грн
100+ 6.3 грн
500+ 4.94 грн
1000+ 3.43 грн
Мінімальне замовлення: 16
RU1C002ZPTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 3054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1080+11.17 грн
1116+ 10.81 грн
2500+ 10.49 грн
Мінімальне замовлення: 1080
RU1C002ZPTCLROHMDescription: ROHM - RU1C002ZPTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.37 грн
1000+ 2.71 грн
Мінімальне замовлення: 500
RU1C002ZPTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 222500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3037+3.97 грн
3555+ 3.39 грн
3741+ 3.22 грн
3760+ 3.09 грн
6000+ 2.69 грн
12000+ 2.43 грн
24000+ 2.29 грн
Мінімальне замовлення: 3037
RU1C002ZPTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
товар відсутній
RU1C002ZPTCLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -200mA; Idm: -0.8A; 150mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -200mA
Pulsed drain current: -0.8A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT323F
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 9.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
RU1CV1
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RU1E002SPTCLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -250mA; Idm: -0.5A; 200mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.25A
Pulsed drain current: -0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RU1E002SPTCLROHMDescription: ROHM - RU1E002SPTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 250 mA, 0.9 ohm, SC-85, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-85
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+28.7 грн
40+ 19.71 грн
104+ 7.65 грн
500+ 6.11 грн
1000+ 4.72 грн
Мінімальне замовлення: 28
RU1E002SPTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 250MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.07 грн
6000+ 3.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RU1E002SPTCLROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
на замовлення 30500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.98 грн
15+ 22.31 грн
100+ 10.33 грн
500+ 6.82 грн
1000+ 4.64 грн
3000+ 4.08 грн
9000+ 3.02 грн
Мінімальне замовлення: 13
RU1E002SPTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 250MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
на замовлення 9331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.57 грн
19+ 16.03 грн
100+ 7.8 грн
500+ 6.11 грн
1000+ 4.25 грн
Мінімальне замовлення: 13
RU1E002SPTCLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -250mA; Idm: -0.5A; 200mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.25A
Pulsed drain current: -0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
RU1E002SPTCLROHMDescription: ROHM - RU1E002SPTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 250 mA, 0.9 ohm, SC-85, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-85
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.71 грн
104+ 7.65 грн
500+ 6.11 грн
1000+ 4.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
RU1J002YNROHM SemiconductorMOSFET
товар відсутній
RU1J002YNTCLROHMDescription: ROHM - RU1J002YNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.43 грн
1500+ 3.11 грн
Мінімальне замовлення: 500
RU1J002YNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RU1J002YNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 11749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1379+8.74 грн
1426+ 8.45 грн
2500+ 8.2 грн
5000+ 7.7 грн
10000+ 6.95 грн
Мінімальне замовлення: 1379
RU1J002YNTCLROHMDescription: ROHM - RU1J002YNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+14.74 грн
77+ 10.25 грн
137+ 5.8 грн
500+ 3.43 грн
1500+ 3.11 грн
Мінімальне замовлення: 54
RU1J002YNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
на замовлення 627000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.97 грн
6000+ 2.65 грн
9000+ 2.2 грн
30000+ 2.03 грн
75000+ 1.82 грн
150000+ 1.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RU1J002YNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 51205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2397+5.03 грн
2799+ 4.31 грн
2947+ 4.09 грн
6000+ 3.69 грн
12000+ 3.2 грн
24000+ 2.9 грн
Мінімальне замовлення: 2397
RU1J002YNTCLROHM SEMICONDUCTORRU1J002YNTCL SMD N channel transistors
на замовлення 969 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
36+7.95 грн
270+ 3.8 грн
742+ 3.58 грн
Мінімальне замовлення: 36
RU1J002YNTCLROHM SemiconductorMOSFET 0.9V Drive Nch MOSFET
на замовлення 275179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.45 грн
24+ 13.66 грн
100+ 4.71 грн
1000+ 3.58 грн
3000+ 2.67 грн
9000+ 2.25 грн
24000+ 1.97 грн
Мінімальне замовлення: 18
RU1J002YNTCL
Код товару: 158853		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
RU1J002YNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
на замовлення 629713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.49 грн
26+ 11.64 грн
100+ 5.68 грн
500+ 4.45 грн
1000+ 3.09 грн
Мінімальне замовлення: 18
RU1J002YNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1379+8.74 грн
1426+ 8.45 грн
2500+ 8.2 грн
5000+ 7.7 грн
Мінімальне замовлення: 1379
RU1K1120INTERSIL01+ SOP8P
на замовлення 650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RU1K120INTERSIL88+ SOP8P
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RU1K160D-L608
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RU1L002SN TLROHMSOT23/SOT323
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RU1L002SNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 250MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.19 грн
6000+ 2.85 грн
9000+ 2.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RU1L002SNTLROHMDescription: ROHM - RU1L002SNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.7ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.53 грн
130+ 6.09 грн
500+ 4.27 грн
1000+ 2.65 грн
5000+ 2.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
RU1L002SNTLROHM SEMICONDUCTORRU1L002SNTL SMD N channel transistors
товар відсутній
RU1L002SNTLROHM SemiconductorMOSFET N-Channel MOSFET, 2.5V. MOSFETs are made as ultra-low ON-resistance by the micro-processing technologies suitable for mobilr equipment for low current consumption. In wide lineup including compact type, high-power type and complex type to meet in
на замовлення 35801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.95 грн
17+ 19.88 грн
100+ 7.03 грн
1000+ 4.92 грн
3000+ 3.94 грн
9000+ 3.23 грн
24000+ 3.02 грн
Мінімальне замовлення: 12
RU1L002SNTLROHMDescription: ROHM - RU1L002SNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+22.79 грн
51+ 15.53 грн
130+ 6.09 грн
500+ 4.27 грн
1000+ 2.65 грн
5000+ 2.35 грн
Мінімальне замовлення: 35
RU1L002SNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 250MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
на замовлення 21172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.01 грн
24+ 12.59 грн
100+ 6.12 грн
500+ 4.79 грн
1000+ 3.33 грн
Мінімальне замовлення: 16
RU1L002SNTL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RU1N12
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RU1P
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RU1PV1
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RU1V1
на замовлення 12314 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)