RU1C001UNTCL Rohm Semiconductor
на замовлення 23465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5770+ | 2.11 грн |
| 6250+ | 1.95 грн |
| 6466+ | 1.89 грн |
| 6727+ | 1.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RU1C001UNTCL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RU1C001UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323FL, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RU1C001UNTCL за ціною від 3.43 грн до 31.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RU1C001UNTCL | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 20V 0.1A 3-Pin UMTF T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RU1C001UNTCL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1 pF @ 10 V |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RU1C001UNTCL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RU1C001UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RU1C001UNTCL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RU1C001UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RU1C001UNTCL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1 pF @ 10 V |
на замовлення 30515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RU1C001UNTCL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 1.2V N-CHANNEL DRIVE |
на замовлення 16402 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RU1C001UNTCL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.1A 3-Pin UMTF T/R |
на замовлення 2118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| RU1C001UNTCL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100mA; Idm: 0.4A; 150mW Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Case: SOT323F Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 0.4A Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.15W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 5.6Ω Drain current: 0.1A Drain-source voltage: 20V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| RU1C001UNTCL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100mA; Idm: 0.4A; 150mW Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Case: SOT323F Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 0.4A Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.15W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 5.6Ω Drain current: 0.1A Drain-source voltage: 20V |
товар відсутній |