Продукція > RRR

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RRR-1Essentra ComponentsDescription: RIVET PUSH 0.315" NYLON BLACK
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Nylon
Hole Diameter: 0.197" (5.00mm)
Type: Push Rivet
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Rivet Length: 0.315" (8.00mm)
Grip Range: 0.059" ~ 0.138" (1.50mm ~ 3.51mm)
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.48 грн
13+ 23.47 грн
100+ 18.78 грн
1000+ 14.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
RRR-1EssentraScrews & Fasteners Rivet,Remv,Black,.059-.138 in Hold
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
RRR-2Essentra ComponentsDescription: RIVET PUSH 0.315" NYLON BLACK
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Nylon
Hole Diameter: 0.197" (5.00mm)
Type: Push Rivet
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Rivet Length: 0.315" (8.00mm)
Grip Range: 0.138" ~ 0.217" (3.51mm ~ 5.51mm)
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
16+ 19.77 грн
17+ 18.26 грн
25+ 15.58 грн
50+ 14.58 грн
100+ 13.65 грн
250+ 12.39 грн
500+ 11.83 грн
Мінімальне замовлення: 13
RRR-2EssentraScrews & Fasteners Rivet,Remv,Black,.138-.217 in Hold
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
RRR-250ML (восстановитель обрезиненых валиков)
Код товару: 24913		Хімія > Інша хімія
Опис: Восстановитель обрезиненных валиков
товар відсутній
RRR015P03
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RRR015P03TLROHM SemiconductorMOSFETs 4V DRIVE PCH MOSFET
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.55 грн
11+ 32.58 грн
100+ 21.16 грн
500+ 16.66 грн
1000+ 12.9 грн
3000+ 10.94 грн
9000+ 9.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
RRR015P03TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 7692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.48 грн
11+ 28.38 грн
100+ 19.76 грн
500+ 14.48 грн
1000+ 11.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
RRR015P03TL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RRR015P03TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.64 грн
6000+ 10.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RRR030P03
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RRR030P03FRATLROHM SEMICONDUCTORRRR030P03FRATL SMD P channel transistors
товар відсутній
RRR030P03GZROHMSOT-23
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RRR030P03HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.66 грн
6000+ 15.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RRR030P03HZGTLROHMDescription: ROHM - RRR030P03HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.055 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.49 грн
500+ 24.68 грн
1000+ 18.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
RRR030P03HZGTLROHM SemiconductorMOSFET RRR030P03HZG is a MOSFET with low on - resistance, suitable for DC-DC converters.
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.93 грн
10+ 40.66 грн
100+ 24.56 грн
500+ 20.5 грн
1000+ 17.46 грн
3000+ 15.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
RRR030P03HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.89 грн
10+ 36.6 грн
100+ 25.34 грн
500+ 19.86 грн
1000+ 16.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
RRR030P03HZGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; SOT346
Power dissipation: 1W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT346
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+40.64 грн
12+ 32.68 грн
56+ 15.89 грн
153+ 15.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
RRR030P03HZGTLROHMDescription: ROHM - RRR030P03HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.055 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.73 грн
17+ 48.2 грн
100+ 33.49 грн
500+ 24.68 грн
1000+ 18.18 грн
Мінімальне замовлення: 15
RRR030P03HZGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; SOT346
Power dissipation: 1W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT346
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+48.77 грн
10+ 40.72 грн
56+ 19.07 грн
153+ 18.04 грн
500+ 18.03 грн
3000+ 17.66 грн
6000+ 17.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
RRR030P03TLROHM SemiconductorMOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -30V, -3A
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.91 грн
10+ 40.08 грн
100+ 26.08 грн
500+ 20.5 грн
1000+ 15.87 грн
3000+ 14.35 грн
6000+ 13.4 грн
Мінімальне замовлення: 8
RRR030P03TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 8303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RRR030P03TLROHMDescription: ROHM - RRR030P03TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.055 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.93 грн
500+ 18.79 грн
1000+ 11.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
RRR030P03TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 10775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.02 грн
10+ 38.64 грн
100+ 28.85 грн
500+ 21.27 грн
1000+ 16.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
RRR030P03TLROHMDescription: ROHM - RRR030P03TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.055 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.39 грн
20+ 41.37 грн
100+ 25.93 грн
500+ 18.79 грн
1000+ 11.91 грн
Мінімальне замовлення: 17
RRR035N03
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RRR035N03GZROHMSOT-23
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RRR035N03GZTL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RRR040P03
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RRR040P03ROHM SemiconductorMOSFET
товар відсутній
RRR040P03FRATLROHMDescription: ROHM - RRR040P03FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.032 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.04 грн
22+ 37.79 грн
100+ 23.49 грн
500+ 17.36 грн
1000+ 12.26 грн
Мінімальне замовлення: 17
RRR040P03FRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; Idm: -16A; 1W; SOT346
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 1W
Case: SOT346
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
товар відсутній
RRR040P03FRATLROHMDescription: ROHM - RRR040P03FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.032 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 1
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.79 грн
500+ 24.45 грн
1000+ 15.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
RRR040P03FRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; Idm: -16A; 1W; SOT346
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 1W
Case: SOT346
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RRR040P03HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.56 грн
10+ 49.81 грн
100+ 34.51 грн
500+ 27.06 грн
1000+ 23.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
RRR040P03HZGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A Automotive 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+43.87 грн
500+ 34.66 грн
Мінімальне замовлення: 281
RRR040P03HZGTLROHMDescription: ROHM - RRR040P03HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.032 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 1
Bauform - Transistor: SOT-346T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+67.22 грн
14+ 59.25 грн
100+ 45.43 грн
500+ 33.43 грн
1000+ 22.36 грн
Мінімальне замовлення: 13
RRR040P03HZGTLROHM SemiconductorMOSFETs Automotive Pch -30V -4A Small Signal MOSFET
на замовлення 9737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.77 грн
10+ 41.66 грн
100+ 27.82 грн
500+ 24.71 грн
1000+ 22.32 грн
3000+ 19.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
RRR040P03HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RRR040P03HZGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A Automotive 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
548+22.46 грн
550+ 22.35 грн
595+ 20.69 грн
1000+ 19.44 грн
Мінімальне замовлення: 548
RRR040P03TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
товар відсутній
RRR040P03TLROHMDescription: ROHM - RRR040P03TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.032 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.16 грн
500+ 14.49 грн
1000+ 6.9 грн
Мінімальне замовлення: 100
RRR040P03TL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RRR040P03TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
товар відсутній
RRR040P03TLROHMDescription: ROHM - RRR040P03TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.032 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+19.99 грн
52+ 15.77 грн
100+ 13.25 грн
500+ 9.43 грн
1000+ 6.06 грн
5000+ 5.94 грн
Мінімальне замовлення: 41
RRR040P03TLROHM SemiconductorMOSFETs 4V DRIVE PCH MOSFET
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.18 грн
12+ 28.66 грн
100+ 23.55 грн
3000+ 7.97 грн
9000+ 7.17 грн
24000+ 7.03 грн
45000+ 6.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
RRR250ELECTROLUBEDescription: ELECTROLUBE - RRR250 - Reiniger, Walzenreiniger und Pflegemittel, Drucker, Schreibmaschinen, Sprühflasche, 250ml
tariffCode: 38140090
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewicht: -g
euEccn: NLR
Volumen: 250ml
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1087.5 грн