Продукція > PJW

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PJW-72
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJW1NA60A_R2_00001PanjitMOSFET /1NA60A/TR/13"/HF/2.5K/SOT-223/MOS/SOT/NFET-600TWMN/NF600-QI41/PJ/SOT223-AS05/SOT223-AS06/SOT223-AS09
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.04 грн
10+ 42.83 грн
100+ 27.82 грн
500+ 21.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
PJW1NA60B_R2_00001PanjitMOSFET /1NA60B/TR/13"/HF/2.5K/SOT-223/MOS/SOT/NFET-600TWMN//PJ/SOT223-AS18/PJx1NA60B-AS29/SOT223-AS09
товар відсутній
PJW2P10A_R2_00001PanjitMOSFET 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
PJW2P10A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.7 грн
11+ 27.85 грн
100+ 20.77 грн
500+ 15.31 грн
1000+ 11.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJW2P10A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V
товар відсутній
PJW363010LHammond ManufacturingEnclosures, Boxes & Cases Wallmount/TwistLatch 10.2x30.3x36.3" 4X
товар відсутній
PJW363010LHammond ManufacturingDescription: BOX FIBERGLASS GRY 36.25"X30.25"
Features: Mounting Flange, Stainless Steel Hinges, Twist Latch
Packaging: Box
Color: Gray
Size / Dimension: 36.250" L x 30.250" W (920.75mm x 768.35mm)
Material: Fiberglass/Polyester
Height: 12.000" (304.80mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 1,2,3,4,4X,12,13, UL-508
Container Type: Box
Area (L x W): 1097in² (7077cm²)
товар відсутній
PJW363014LHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Wallmount Encl - 36.25 x 30.25 x 14.13 - Fiberglass
товар відсутній
PJW363014LHammond ManufacturingDescription: BOX FIBERGLASS GRY 36.25"X30.25"
Packaging: Case
Features: Mounting Flange, Stainless Steel Hinges, Twist Latch
Color: Gray
Size / Dimension: 36.250" L x 30.250" W (920.75mm x 768.35mm)
Material: Fiberglass/Polyester
Height: 16.000" (406.40mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 1,2,3,4,4X,12,13, UL-508
Container Type: Box
Area (L x W): 1097in² (7077cm²)
Part Status: Active
товар відсутній
PJW363014L3PTHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Wallmount Encl 3PT - 36.25 x 30.25 x 14.13 - Fiberglass
товар відсутній
PJW363610LHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Wallmount Encl - 36.25 x 36.25 x 10.13 - Fiberglass
товар відсутній
PJW363610LHammond ManufacturingDescription: BOX FIBERGLASS GRY 36.25"X36.25"
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
PJW363614LHammond ManufacturingDescription: BOX FIBERGLASS GRY 36.25"X36.25"
товар відсутній
PJW363614LHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Wallmount Encl - 36.25 x 36.25 x 14.13 - Fiberglass
товар відсутній
PJW363614L3PTHammond ManufacturingDescription: N4X WALLMOUNT ENCL 3PT - 36.25 X
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 37.150" L x 16.030" W (943.61mm x 407.16mm)
Material: Fiberglass/Polyester
Height: 40.512" (1029.00mm)
Design: Hinged Door
Ratings: IP66, NEMA 1,2,3,4,4X,12,13, UL 508A
Container Type: Enclosure
Area (L x W): 596in² (3845cm²)
товар відсутній
PJW3N10A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 508 pF @ 30 V
на замовлення 12480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.7 грн
11+ 28.08 грн
100+ 20.97 грн
500+ 15.46 грн
1000+ 11.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJW3N10A_R2_00001PanjitMOSFET PJ/W3N10A/TR/13"/HF/2.5K/SOT-223/MOS/SOT/NFET-100TWMN//PJ/SOT223-AS34/PJW3N10A-ASQ3/SOT223-AS09
товар відсутній
PJW3N10A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 508 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.05 грн
5000+ 10.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
PJW3P06A-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.89 грн
10+ 36.23 грн
100+ 25.16 грн
500+ 18.44 грн
1000+ 14.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
PJW3P06A-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
PJW3P06A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товар відсутній
PJW3P06A_R2_00001PanjitMOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.56 грн
11+ 31.33 грн
100+ 18.62 грн
500+ 13.98 грн
1000+ 10.8 грн
2500+ 9.13 грн
5000+ 8.91 грн
Мінімальне замовлення: 9
PJW3P06A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товар відсутній
PJW3P10A_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJW3P10A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1419 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.94 грн
5000+ 14.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
PJW3P10A_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній
PJW3P10A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1419 pF @ 25 V
на замовлення 8837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.02 грн
10+ 38.94 грн
100+ 27.06 грн
500+ 19.82 грн
1000+ 16.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
PJW483610LHammond ManufacturingDescription: BOX FIBERGLASS GRY 48.25"X36.25"
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
PJW483610LHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Wallmount Encl - 48.25 x 36.25 x 10.13 - Fiberglass
товар відсутній
PJW483610L3PTHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Wallmount Encl 3PT - 48.25 x 36.25 x 10.13 - Fiberglass
товар відсутній
PJW483614LHammond ManufacturingDescription: BOX FIBERGLASS GRY 48.25"X36.25"
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
PJW483614LHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Wallmount Encl - 48.25 x 36.25 x 14.13 - Fiberglass
товар відсутній
PJW483614L3PTHammond ManufacturingDescription: N4X WALLMOUNT ENCL 3PT - 48.25 X
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 37.150" L x 16.030" W (943.61mm x 407.16mm)
Material: Fiberglass/Polyester
Height: 52.520" (1334.00mm)
Design: Hinged Door
Ratings: IP66, NEMA 1,2,3,4,4X,12,13, UL 508A
Container Type: Enclosure
Area (L x W): 596in² (3845cm²)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
PJW4N06A-AU_R2_000A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 8A; 2.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJW4N06A-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.42 грн
5000+ 10.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
PJW4N06A-AU_R2_000A1PanjitMOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
PJW4N06A-AU_R2_000A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 8A; 2.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJW4N06A-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.81 грн
11+ 28.68 грн
100+ 18.43 грн
500+ 13.13 грн
1000+ 11.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
PJW4N06A-R2-00001PanjitMOSFETs SOT-223/MOS/SOT/NFET-60TWMN
товар відсутній
PJW4N06A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
на замовлення 4298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.32 грн
13+ 24.98 грн
100+ 15.96 грн
500+ 11.32 грн
1000+ 10.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
PJW4N06A_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 8A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJW4N06A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
PJW4N06A_R2_00001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.91 грн
12+ 28.41 грн
100+ 12.03 грн
1000+ 10.22 грн
2500+ 8.11 грн
10000+ 7.25 грн
25000+ 7.03 грн
Мінімальне замовлення: 9
PJW4N06A_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 8A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJW4NFSHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories 304SS Feet/Pack4 Fits 6x6 to 20x16
товар відсутній
PJW4NFSHammondStainless Mounting Feet For Pj Series
товар відсутній
PJW4NFSHammond ManufacturingDescription: MOUNTING FEET SS 6X6-20X16 PJ
на замовлення 22086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
PJW4NLSHammondStainless Mounting Feet For Pj Series
товар відсутній
PJW4NLSHammond ManufacturingDescription: MOUNTING FEET SS 24X20 - 30X24
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
PJW4NLSHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories 304SS Feet/Pack4 Fits 24x20 to 30x24
товар відсутній
PJW4NUFSHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Polycarb. Feet/Pack4 Fits 6x6 to 14x12
товар відсутній
PJW4NUFSHammond ManufacturingDescription: MOULDED POLY FEET 6X6-14X12 PJU
товар відсутній
PJW4NULFSHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Polycarb. Feet/Pack4 Fits 16x14 to 20x16
товар відсутній
PJW4NULFSHammond ManufacturingDescription: ENCLOSURE POLYESTER WALLMOUNT
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
PJW4P06A-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
PJW4P06A-AU_R2_000A1PanJit SemiconductorPJW4P06A-AU-R2 SMD P channel transistors
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+70.42 грн
72+ 14.85 грн
196+ 14.04 грн
5000+ 14.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
PJW4P06A-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
на замовлення 4518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.4 грн
11+ 28.6 грн
100+ 17.18 грн
500+ 14.93 грн
1000+ 10.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
PJW4P06A-AU_R2_000A1PanjitMOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.7 грн
10+ 35.66 грн
100+ 21.08 грн
500+ 15.87 грн
1000+ 11.95 грн
2500+ 10.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
PJW4P06A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
PJW4P06A_R2_00001PanjitMOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 61580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.05 грн
13+ 27.58 грн
100+ 17.9 грн
500+ 14.06 грн
1000+ 11.23 грн
2500+ 9.49 грн
10000+ 8.62 грн
Мінімальне замовлення: 11
PJW4P06A_R2_00001PanJit SemiconductorPJW4P06A-R2 SMD P channel transistors
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+37.06 грн
94+ 11.23 грн
257+ 10.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
PJW4P06A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
на замовлення 6157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
12+ 25.43 грн
100+ 17.67 грн
500+ 12.95 грн
1000+ 10.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJW5N06A-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товар відсутній
PJW5N06A-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товар відсутній
PJW5N06A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
товар відсутній
PJW5N06A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
товар відсутній
PJW5N06A_R2_00001PanjitMOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
PJW5N10-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 30 V
товар відсутній
PJW5N10-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 30 V
товар відсутній
PJW5N10A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1413 pF @ 25 V
товар відсутній
PJW5N10A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1413 pF @ 25 V
товар відсутній
PJW5N10_R2_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 30 V
товар відсутній
PJW5N10_R2_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 30 V
товар відсутній
PJW5P03_R2_00001PanjitMOSFET /W5P03/TR/13"/HF/2.5K/SOT-223/MOS/SOT/NFET-30TWMP//PJ/SOT223-AS20/PJW5P03-ASD6/SOT223-AS09
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.66 грн
12+ 28.25 грн
100+ 16.74 грн
500+ 12.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJW5P06A-AU_R2_000A1PanJit SemiconductorPJW5P06A-AU-R2 SMD P channel transistors
товар відсутній
PJW5P06A-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
PJW5P06A-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V
на замовлення 3408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.46 грн
10+ 38.04 грн
100+ 26.29 грн
500+ 20.62 грн
1000+ 17.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
PJW5P06A_R2_00001PanjitMOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 4539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.08 грн
10+ 34.41 грн
100+ 22.39 грн
500+ 17.61 грн
1000+ 13.62 грн
2500+ 11.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
PJW5P06A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V
на замовлення 7380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.4 грн
10+ 31.47 грн
100+ 21.92 грн
500+ 16.06 грн
1000+ 13.05 грн
Мінімальне замовлення: 9
PJW5P06A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.91 грн
5000+ 11.8 грн
Мінімальне замовлення: 2500
PJW603610LHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Wallmount Encl - 60.25 x 36.25 x 10.13 - Fiberglass
товар відсутній
PJW603610LHammond ManufacturingDescription: BOX FIBERGLASS GRY 60.25"X36.25"
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
PJW603610L3PTHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Wallmount Encl 3PT - 60.25 x 36.25 x 10.13 - Fiberglass
товар відсутній
PJW603614LHammond ManufacturingDescription: BOX FIBERGLASS GRY 60.25"X36.25"
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
PJW603614LHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Wallmount Encl - 60.25 x 36.25 x 14.13 - Fiberglass
товар відсутній
PJW603614L3PTHammond ManufacturingDescription: N4X WALLMOUNT ENCL 3PT - 60.25 X
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 37.150" L x 16.030" W (943.61mm x 407.16mm)
Material: Fiberglass/Polyester
Height: 64.500" (1638.30mm)
Design: Hinged Door
Ratings: IP66, NEMA 1,2,3,4,4X,12,13, UL 508A
Container Type: Enclosure
Area (L x W): 596in² (3845cm²)
товар відсутній
PJW720
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJW7N04-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товар відсутній
PJW7N04-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товар відсутній
PJW7N04-R2-00001PanjitMOSFET
товар відсутній
PJW7N04_R2_00001PanjitMOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
PJW7N04_R2_00001Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 20 V
товар відсутній
PJW7N06A-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товар відсутній
PJW7N06A-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.56 грн
10+ 50.49 грн
100+ 38.73 грн
500+ 28.74 грн
1000+ 22.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
PJW7N06A-R2-00001PanjitMOSFET SOT-223/MOS/SOT/NFET-60TWMN
товар відсутній
PJW7N06A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
на замовлення 9970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.4 грн
10+ 31.25 грн
100+ 21.71 грн
500+ 15.91 грн
1000+ 12.93 грн
Мінімальне замовлення: 9
PJW7N06A_R2_00001PanjitMOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
PJW7N06A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.79 грн
5000+ 11.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
PJW8N03_R2_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.11 грн
10+ 31.4 грн
100+ 19.53 грн
500+ 12.54 грн
1000+ 9.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
PJW8N03_R2_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
PJW8N03_R2_00001PanjitMOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
PJWI1P6150UADIP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJWI1P6150UA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJWILD720M2
на замовлення 782 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJWIP4440MA
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJWIP4440MA96
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJWIP4440MADIP
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJWIP6150UNAT97 DIP
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)