Продукція > PJM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PJM
на замовлення 920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJM2301PSA-SPJSEMITransistor P-Channel MOSFET; -20V; 12V; 180mOhm; -2A; 0,7W; -55°C~150°C; Odpowiednik: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; SP000702486; PJM2301PSA-S SOT23 PJSEMI TPJM2301PSA-S PJS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 200
PJM36000S12Schneider ElectricDescription: AUTOMATIC MOLDED CASE SWTICH 600
Packaging: Box
Current Rating (Amps): 1.2kA
Mounting Type: Chassis Mount
Illumination: None
Actuator Type: Lever
Breaker Type: Thermal Magnetic
Voltage Rating - AC: 600 V
Number of Poles: 3
товар відсутній
PJM600PJM03+ DIP8
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJM600CD
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJMA1000F-12CoselModular Power Supplies AC-DC Medical Power Supply, Enclosed type,1000W 12V 84A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+30118.6 грн
5+ 28763.66 грн
10+ 24204.99 грн
25+ 23396.71 грн
50+ 22589.83 грн
100+ 21782.95 грн
250+ 21249.48 грн
PJMA1000F-12Cosel USA, Inc.Description: AC/DC CONVERTER 12V 1008W
Packaging: Bulk
Power (Watts): 1008W
Features: Adjustable Output, PFC, Universal Input
Size / Dimension: 9.45" L x 5.91" W x 2.40" H (240.0mm x 150.1mm x 61.0mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Type: Enclosed
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE, cURus, DEMKO
Efficiency: 85%
Voltage - Output 1: 12V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60601-1
Current - Output 1: 84 A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+27732.78 грн
PJMA1000F-24CoselModular Power Supplies AC-DC Medical Power Supply, Enclosed type,1000W 24V 42A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+30118.6 грн
5+ 28763.66 грн
10+ 24204.99 грн
25+ 23396.71 грн
50+ 22589.83 грн
100+ 21782.95 грн
250+ 21249.48 грн
PJMA1000F-24Cosel USA, Inc.Description: AC/DC CONVERTER 24V 1008W
Packaging: Bulk
Power (Watts): 1008W
Features: Adjustable Output, PFC, Universal Input
Size / Dimension: 9.45" L x 5.91" W x 2.40" H (240.0mm x 150.1mm x 61.0mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Type: Enclosed
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE, cURus, DEMKO
Efficiency: 88%
Voltage - Output 1: 24V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60601-1
Current - Output 1: 42 A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+27732.78 грн
PJMA1000F-36Cosel USA, Inc.Description: AC/DC CONVERTER 36V 1008W
Packaging: Bulk
Power (Watts): 1008W
Features: Adjustable Output, PFC, Universal Input
Size / Dimension: 9.45" L x 5.91" W x 2.40" H (240.0mm x 150.1mm x 61.0mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Type: Enclosed
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE, cURus, DEMKO
Efficiency: 88%
Voltage - Output 1: 36V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60601-1
Current - Output 1: 28 A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+27732.78 грн
5+ 25870.85 грн
PJMA1000F-36CoselModular Power Supplies AC-DC Medical Power Supply, Enclosed type,1000W 36V 28A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+30118.6 грн
5+ 28763.66 грн
10+ 24204.99 грн
25+ 23396.71 грн
50+ 22589.83 грн
100+ 21782.95 грн
250+ 21249.48 грн
PJMA1000F-48CoselModular Power Supplies AC-DC Medical Power Supply, Enclosed type,1000W 48V 21A
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+30118.6 грн
5+ 28763.66 грн
10+ 24204.99 грн
25+ 23396.71 грн
50+ 22589.83 грн
100+ 21782.95 грн
250+ 21249.48 грн
PJMA1000F-48Cosel USA, Inc.Description: AC/DC CONVERTER 48V 1008W
Packaging: Bulk
Power (Watts): 1008W
Features: Adjustable Output, PFC, Universal Input
Size / Dimension: 9.45" L x 5.91" W x 2.40" H (240.0mm x 150.1mm x 61.0mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Type: Enclosed
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE, cURus, DEMKO
Efficiency: 88%
Voltage - Output 1: 48V
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60601-1
Current - Output 1: 21 A
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+27732.78 грн
5+ 25870.85 грн
10+ 25036.36 грн
PJMA1500F-12CoselSwitching Power Supplies 1500W 12V 125A Medical, Enclosed
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+42520.28 грн
5+ 40560.59 грн
10+ 34092.09 грн
25+ 32916.21 грн
50+ 31740.33 грн
100+ 30963.67 грн
PJMA1500F-24CoselSwitching Power Supplies 1536W 24V 64A Medical, Enclosed
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+42520.28 грн
5+ 40560.59 грн
10+ 34092.09 грн
25+ 32916.21 грн
50+ 31740.33 грн
100+ 30964.37 грн
250+ 30963.67 грн
PJMA1500F-36CoselSwitching Power Supplies 1512W 36V 42A Medical, Enclosed
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+42520.28 грн
5+ 40560.59 грн
10+ 34092.09 грн
25+ 32916.21 грн
50+ 31740.33 грн
100+ 30963.67 грн
PJMA1500F-48Cosel Europe GmbHPJMA1500F-48
товар відсутній
PJMA1500F-48CoselSwitching Power Supplies 1536W 48V 32A Medical, Enclosed
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+42520.28 грн
5+ 40560.59 грн
10+ 34092.09 грн
25+ 32916.21 грн
50+ 31740.33 грн
100+ 30963.67 грн
PJMA300F-12Cosel USA, Inc.Description: AC/DC PS (ENCLOSED TYPE)
Packaging: Bulk
Power (Watts): 300W
Features: PFC, Universal Input
Size / Dimension: 7.48" L x 4.02" W x 1.61" H (190.0mm x 102.1mm x 40.9mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Type: Enclosed
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE, cURus, DEMKO, UKCA
Efficiency: 82%
Voltage - Output 1: 12V
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60601-1
Current - Output 1: 25 A
товар відсутній
PJMA300F-12-CCosel USA, Inc.Description: AC/DC PS (ENCLOSED TYPE)
Packaging: Bulk
Power (Watts): 300W
Features: PFC, Universal Input
Size / Dimension: 7.48" L x 4.02" W x 1.61" H (190.0mm x 102.1mm x 40.9mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Type: Enclosed, Conformal Coated
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE, cURus, DEMKO, UKCA
Efficiency: 82%
Voltage - Output 1: 12V
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60601-1
Current - Output 1: 25 A
товар відсутній
PJMA300F-12-F4Cosel USA, Inc.Description: AC/DC PS (ENCLOSED TYPE)
Packaging: Bulk
Power (Watts): 300W
Features: PFC, Universal Input
Size / Dimension: 7.48" L x 4.02" W x 1.61" H (190.0mm x 102.1mm x 40.9mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Type: Enclosed
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE, cURus, DEMKO, UKCA
Efficiency: 82%
Voltage - Output 1: 12V
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60601-1
Current - Output 1: 25 A
товар відсутній
PJMA300F-12-GCosel USA, Inc.Description: AC/DC PS (ENCLOSED TYPE)
Packaging: Bulk
Power (Watts): 300W
Features: PFC, Universal Input
Size / Dimension: 7.48" L x 4.02" W x 1.61" H (190.0mm x 102.1mm x 40.9mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Type: Enclosed
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE, cURus, DEMKO, UKCA
Efficiency: 82%
Voltage - Output 1: 12V
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60601-1
Current - Output 1: 25 A
товар відсутній
PJMA300F-12-RCosel USA, Inc.Description: AC/DC PS (ENCLOSED TYPE)
Packaging: Bulk
Power (Watts): 300W
Features: PFC, Remote On/Off, Universal Input
Size / Dimension: 7.48" L x 4.02" W x 1.61" H (190.0mm x 102.1mm x 40.9mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Type: Enclosed
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE, cURus, DEMKO, UKCA
Efficiency: 82%
Voltage - Output 1: 12V
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60601-1
Current - Output 1: 25 A
товар відсутній
PJMA300F-12-VCosel USA, Inc.Description: AC/DC PS (ENCLOSED TYPE)
Packaging: Bulk
Power (Watts): 300W
Features: Adjustable Output, PFC, Universal Input
Size / Dimension: 7.48" L x 4.02" W x 1.61" H (190.0mm x 102.1mm x 40.9mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Type: Enclosed
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE, cURus, DEMKO, UKCA
Efficiency: 82%
Voltage - Output 1: 12V
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60601-1
Current - Output 1: 25 A
товар відсутній
PJMA300F-24CoselSwitching Power Supplies 300W 24V 12.5A Medical
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11124.12 грн
5+ 10626.53 грн
10+ 8947.37 грн
20+ 8653.58 грн
50+ 8361.89 грн
100+ 8067.39 грн
200+ 7920.5 грн
PJMA300F-24Cosel USA, Inc.Description: AC/DC PS (ENCLOSED TYPE)
Packaging: Bulk
Power (Watts): 300W
Features: PFC, Universal Input
Size / Dimension: 7.48" L x 4.02" W x 1.61" H (190.0mm x 102.1mm x 40.9mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Type: Enclosed
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE, cURus, DEMKO, UKCA
Efficiency: 86%
Voltage - Output 1: 24V
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60601-1
Current - Output 1: 12.5 A
товар відсутній
PJMA300F-24-CCosel USA, Inc.Description: AC/DC PS (ENCLOSED TYPE)
Packaging: Bulk
Power (Watts): 300W
Features: PFC, Universal Input
Size / Dimension: 7.48" L x 4.02" W x 1.61" H (190.0mm x 102.1mm x 40.9mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Type: Enclosed, Conformal Coated
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE, cURus, DEMKO, UKCA
Efficiency: 86%
Voltage - Output 1: 24V
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60601-1
Current - Output 1: 12.5 A
товар відсутній
PJMA300F-24-F4Cosel USA, Inc.Description: AC/DC PS (ENCLOSED TYPE)
Packaging: Bulk
Power (Watts): 300W
Features: PFC, Universal Input
Size / Dimension: 7.48" L x 4.02" W x 1.61" H (190.0mm x 102.1mm x 40.9mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Type: Enclosed
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE, cURus, DEMKO, UKCA
Efficiency: 86%
Voltage - Output 1: 24V
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60601-1
Current - Output 1: 12.5 A
товар відсутній
PJMA300F-24-GCosel USA, Inc.Description: AC/DC PS (ENCLOSED TYPE)
Packaging: Bulk
Power (Watts): 300W
Features: PFC, Universal Input
Size / Dimension: 7.48" L x 4.02" W x 1.61" H (190.0mm x 102.1mm x 40.9mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Type: Enclosed
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE, cURus, DEMKO, UKCA
Efficiency: 86%
Voltage - Output 1: 24V
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60601-1
Current - Output 1: 12.5 A
товар відсутній
PJMA300F-24-RCosel USA, Inc.Description: AC/DC PS (ENCLOSED TYPE)
Packaging: Bulk
Power (Watts): 300W
Features: PFC, Remote On/Off, Universal Input
Size / Dimension: 7.48" L x 4.02" W x 1.61" H (190.0mm x 102.1mm x 40.9mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Type: Enclosed
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE, cURus, DEMKO, UKCA
Efficiency: 86%
Voltage - Output 1: 24V
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60601-1
Current - Output 1: 12.5 A
товар відсутній
PJMA300F-24-VCosel USA, Inc.Description: AC/DC PS (ENCLOSED TYPE)
Packaging: Bulk
Power (Watts): 300W
Features: Adjustable Output, PFC, Universal Input
Size / Dimension: 7.48" L x 4.02" W x 1.61" H (190.0mm x 102.1mm x 40.9mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Type: Enclosed
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE, cURus, DEMKO, UKCA
Efficiency: 86%
Voltage - Output 1: 24V
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60601-1
Current - Output 1: 12.5 A
товар відсутній
PJMA300F-36Cosel USA, Inc.Description: AC/DC PS (ENCLOSED TYPE)
Packaging: Bulk
Power (Watts): 302W
Features: PFC, Universal Input
Size / Dimension: 7.48" L x 4.02" W x 1.61" H (190.0mm x 102.1mm x 40.9mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Type: Enclosed
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE, cURus, DEMKO, UKCA
Efficiency: 87%
Voltage - Output 1: 36V
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60601-1
Current - Output 1: 8.4 A
товар відсутній
PJMA300F-36-CCosel USA, Inc.Description: AC/DC PS (ENCLOSED TYPE)
Packaging: Bulk
Power (Watts): 302W
Features: PFC, Universal Input
Size / Dimension: 7.48" L x 4.02" W x 1.61" H (190.0mm x 102.1mm x 40.9mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Type: Enclosed, Conformal Coated
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE, cURus, DEMKO, UKCA
Efficiency: 87%
Voltage - Output 1: 36V
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60601-1
Current - Output 1: 8.4 A
товар відсутній
PJMA300F-36-F4Cosel USA, Inc.Description: AC/DC PS (ENCLOSED TYPE)
Packaging: Bulk
Power (Watts): 302W
Features: PFC, Universal Input
Size / Dimension: 7.48" L x 4.02" W x 1.61" H (190.0mm x 102.1mm x 40.9mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Type: Enclosed
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE, cURus, DEMKO, UKCA
Efficiency: 87%
Voltage - Output 1: 36V
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60601-1
Current - Output 1: 8.4 A
товар відсутній
PJMA300F-36-GCosel USA, Inc.Description: AC/DC PS (ENCLOSED TYPE)
Packaging: Bulk
Power (Watts): 302W
Features: PFC, Universal Input
Size / Dimension: 7.48" L x 4.02" W x 1.61" H (190.0mm x 102.1mm x 40.9mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Type: Enclosed
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE, cURus, DEMKO, UKCA
Efficiency: 87%
Voltage - Output 1: 36V
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60601-1
Current - Output 1: 8.4 A
товар відсутній
PJMA300F-36-RCosel USA, Inc.Description: AC/DC PS (ENCLOSED TYPE)
Packaging: Bulk
Power (Watts): 302W
Features: PFC, Remote On/Off, Universal Input
Size / Dimension: 7.48" L x 4.02" W x 1.61" H (190.0mm x 102.1mm x 40.9mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Type: Enclosed
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE, cURus, DEMKO, UKCA
Efficiency: 87%
Voltage - Output 1: 36V
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60601-1
Current - Output 1: 8.4 A
товар відсутній
PJMA300F-36-VCosel USA, Inc.Description: AC/DC PS (ENCLOSED TYPE)
Packaging: Bulk
Power (Watts): 302W
Features: Adjustable Output, PFC, Universal Input
Size / Dimension: 7.48" L x 4.02" W x 1.61" H (190.0mm x 102.1mm x 40.9mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Type: Enclosed
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE, cURus, DEMKO, UKCA
Efficiency: 87%
Voltage - Output 1: 36V
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60601-1
Current - Output 1: 8.4 A
товар відсутній
PJMA300F-48CoselSwitching Power Supplies 302.4W 48V 6.3A Medical
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11124.94 грн
5+ 10787.38 грн
10+ 8783.61 грн
20+ 8653.58 грн
50+ 8361.89 грн
100+ 8067.39 грн
200+ 7920.5 грн
PJMA300F-48Cosel USA, Inc.Description: AC/DC PS (ENCLOSED TYPE)
Packaging: Bulk
Power (Watts): 302W
Features: PFC, Universal Input
Size / Dimension: 7.48" L x 4.02" W x 1.61" H (190.0mm x 102.1mm x 40.9mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Type: Enclosed
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE, cURus, DEMKO, UKCA
Efficiency: 86%
Voltage - Output 1: 48V
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60601-1
Current - Output 1: 6.3 A
товар відсутній
PJMA300F-48-CCosel USA, Inc.Description: AC/DC PS (ENCLOSED TYPE)
Packaging: Bulk
Power (Watts): 302W
Features: PFC, Universal Input
Size / Dimension: 7.48" L x 4.02" W x 1.61" H (190.0mm x 102.1mm x 40.9mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Type: Enclosed, Conformal Coated
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE, cURus, DEMKO, UKCA
Efficiency: 86%
Voltage - Output 1: 48V
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60601-1
Current - Output 1: 6.3 A
товар відсутній
PJMA300F-48-F4Cosel USA, Inc.Description: AC/DC PS (ENCLOSED TYPE)
Packaging: Bulk
Power (Watts): 302W
Features: PFC, Universal Input
Size / Dimension: 7.48" L x 4.02" W x 1.61" H (190.0mm x 102.1mm x 40.9mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Type: Enclosed
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE, cURus, DEMKO, UKCA
Efficiency: 86%
Voltage - Output 1: 48V
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60601-1
Current - Output 1: 6.3 A
товар відсутній
PJMA300F-48-GCosel USA, Inc.Description: AC/DC PS (ENCLOSED TYPE)
Packaging: Bulk
Power (Watts): 302W
Features: PFC, Universal Input
Size / Dimension: 7.48" L x 4.02" W x 1.61" H (190.0mm x 102.1mm x 40.9mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Type: Enclosed
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE, cURus, DEMKO, UKCA
Efficiency: 86%
Voltage - Output 1: 48V
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60601-1
Current - Output 1: 6.3 A
товар відсутній
PJMA300F-48-RCosel USA, Inc.Description: AC/DC PS (ENCLOSED TYPE)
Packaging: Bulk
Power (Watts): 302W
Features: PFC, Remote On/Off, Universal Input
Size / Dimension: 7.48" L x 4.02" W x 1.61" H (190.0mm x 102.1mm x 40.9mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Type: Enclosed
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE, cURus, DEMKO, UKCA
Efficiency: 86%
Voltage - Output 1: 48V
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60601-1
Current - Output 1: 6.3 A
товар відсутній
PJMA300F-48-VCosel USA, Inc.Description: AC/DC PS (ENCLOSED TYPE)
Packaging: Bulk
Power (Watts): 302W
Features: Adjustable Output, PFC, Universal Input
Size / Dimension: 7.48" L x 4.02" W x 1.61" H (190.0mm x 102.1mm x 40.9mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Type: Enclosed
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE, cURus, DEMKO, UKCA
Efficiency: 86%
Voltage - Output 1: 48V
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60601-1
Current - Output 1: 6.3 A
товар відсутній
PJMA600F-12CoselModular Power Supplies AC-DC Medical Power Supply, Enclosed type, 600W, 12V 50A
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
PJMA600F-12Cosel USA, Inc.Description: AC/DC CONVERTER 12V 600W
Power (Watts): 600W
Features: Adjustable Output, PFC, Universal Input
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 8.46" L x 4.72" W x 2.40" H (214.9mm x 119.9mm x 61.0mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Type: Enclosed
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE, cURus, DEMKO
Efficiency: 84%
Voltage - Output 1: 12V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60601-1
Current - Output 1: 50 A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14470.83 грн
PJMA600F-24CoselModular Power Supplies AC-DC Medical Power Supply, Enclosed type, 600W 24V 25A
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
PJMA600F-24Cosel USA, Inc.Description: AC/DC CONVERTER 24V 600W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15081.35 грн
PJMA600F-36CoselModular Power Supplies AC-DC Medical Power Supply, Enclosed type, 600W 36V 16.7A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+14062.18 грн
5+ 13426.43 грн
10+ 11299.13 грн
25+ 10921.7 грн
PJMA600F-36Cosel USA, Inc.Description: AC/DC CONVERTER 36V 601W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14543.06 грн
PJMA600F-48CoselModular Power Supplies AC-DC Medical Power Supply, Enclosed type, 600W 48V 12.5A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+14512.36 грн
5+ 13858.87 грн
10+ 11662.51 грн
25+ 11273.83 грн
50+ 10884.45 грн
100+ 10495.77 грн
250+ 10239.22 грн
PJMA600F-48Cosel USA, Inc.Description: AC/DC CONVERTER 48V 600W
Packaging: Bulk
Power (Watts): 600W
Features: Adjustable Output, PFC, Universal Input
Size / Dimension: 8.46" L x 4.72" W x 2.40" H (214.9mm x 119.9mm x 61.0mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Type: Enclosed
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE, cURus, DEMKO
Efficiency: 88%
Voltage - Output 1: 48V
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60601-1
Current - Output 1: 12.5 A
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13549.35 грн
PJMA600F-48Cosel Europe GmbHAC-DC Power Supplies Medical Type
товар відсутній
PJMA600F-48-CCoselModular Power Supplies AC-DC Medical Power Supply, Enclosed type, 600W 48V 12.5A with Conformal Coating
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+15059.3 грн
5+ 14381.83 грн
10+ 12102.5 грн
25+ 11698.35 грн
50+ 11294.21 грн
100+ 10891.47 грн
250+ 10624.39 грн
PJMB050N10NS2_R2_00601PanjitInfineon
товар відсутній
PJMB130N65EC-R2PanjitMOSFET TO-263/MOS/TO/NFET-650DCMNH
товар відсутній
PJMB130N65EC-T0PanjitMOSFET
товар відсутній
PJMB130N65EC_R2_00601PanjitMOSFETs 650V 130mohm 29A Easy to driver SJ MOSFET
товар відсутній
PJMB210N65EC-R2PanjitMOSFETs TO263 650V 19A N-CH SJUNC
товар відсутній
PJMB210N65EC_R2_00601PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMB210N65EC_R2_00601PanjitMOSFETs 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+167.28 грн
10+ 136.6 грн
100+ 94.89 грн
250+ 87.86 грн
500+ 79.42 грн
800+ 67.33 грн
2400+ 64.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMB210N65EC_R2_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1412 pF @ 400 V
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.36 грн
10+ 132.08 грн
100+ 91.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMB210N65EC_R2_00601PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMB210N65EC_R2_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1412 pF @ 400 V
товар відсутній
PJMB390N65EC-R2PanjitMOSFETs TO263 650V 10A N-CH
товар відсутній
PJMB390N65EC-T0PanjitMOSFETs TO263 650V 10A N-CH
товар відсутній
PJMB390N65EC_R2_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 726 pF @ 400 V
товар відсутній
PJMB390N65EC_R2_00601PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMB390N65EC_R2_00601PanjitMOSFETs 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+167.28 грн
10+ 136.6 грн
100+ 94.89 грн
250+ 87.86 грн
500+ 79.42 грн
800+ 67.33 грн
2400+ 64.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMB390N65EC_R2_00601PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMB390N65EC_R2_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 726 pF @ 400 V
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.36 грн
10+ 132.01 грн
100+ 91.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMB390N65EC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMB390N65EC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMBZ12A-AU_R1_007A1PanJit SemiconductorCategory: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 11.4÷12.6V; 40W; double,common anode; SOT23
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 8.5V
Semiconductor structure: common anode; double
Breakdown voltage: 11.4...12.6V
Leakage current: 0.2µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Features of semiconductor devices: ESD protection
Peak pulse power dissipation: 40W
Mounting: SMD
Case: SOT23
товар відсутній
PJMBZ12A-AU_R1_007A1PanjitESD Suppressors / TVS Diodes ESD,8.5V,Uni,2CH
товар відсутній
PJMBZ12A-AU_R1_007A1PanJit SemiconductorCategory: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 11.4÷12.6V; 40W; double,common anode; SOT23
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 8.5V
Semiconductor structure: common anode; double
Breakdown voltage: 11.4...12.6V
Leakage current: 0.2µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Features of semiconductor devices: ESD protection
Peak pulse power dissipation: 40W
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMBZ15A-AU_R1_007A1PanjitESD Suppressors / TVS Diodes ESD,12V,Uni,2CH
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.77 грн
14+ 24.57 грн
100+ 13.64 грн
1000+ 9.35 грн
3000+ 5.48 грн
9000+ 4.85 грн
24000+ 4.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
PJMBZ15A-AU_R1_007A1PanJit SemiconductorPJMBZ15A-AU-R1 Transil diodes - arrays
товар відсутній
PJMBZ15V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJMBZ15V-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: DUAL TVS ZENER FOR ESD/TRANSIENT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 80pF @ 1MHz (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 14.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Power - Peak Pulse: 25W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJMBZ15V-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: DUAL TVS ZENER FOR ESD/TRANSIENT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 80pF @ 1MHz (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 14.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Power - Peak Pulse: 25W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.85 грн
18+ 17.06 грн
100+ 8.32 грн
500+ 6.51 грн
1000+ 4.52 грн
Мінімальне замовлення: 12
PJMBZ15V-AU_R1_000A1Panjit 12V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.47 грн
18+ 18.75 грн
100+ 7.94 грн
1000+ 4.64 грн
3000+ 4.01 грн
9000+ 3.09 грн
24000+ 2.88 грн
Мінімальне замовлення: 12
PJMBZ15V-AU_R2_000A1Panjit 12V ESD Protection UNI
товар відсутній
PJMBZ15VD
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJMBZ15VT/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJMBZ15V_R1_00001Panjit International Inc.Description: DUAL TVS ZENER FOR ESD/TRANSIENT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 80pF @ 1MHz (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 14.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Power - Peak Pulse: 25W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.57 грн
Мінімальне замовлення: 13
PJMBZ15V_R1_00001Panjit 12V,ESD Protection,SOT-23,UNI
товар відсутній
PJMBZ15V_R1_00001Panjit International Inc.Description: DUAL TVS ZENER FOR ESD/TRANSIENT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 80pF @ 1MHz (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 14.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Power - Peak Pulse: 25W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.24 грн
6000+ 3.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJMBZ15V_R1_10001Panjit 12V ESD Protection UNI
товар відсутній
PJMBZ15V_R2_00001Panjit 12V ESD Protection UNI
товар відсутній
PJMBZ15V_R2_10001Panjit 12V ESD Protection UNI
товар відсутній
PJMBZ18A-AU_R1_007A1PanjitESD Suppressors / TVS Diodes ESD,14.5V,Uni,2CH
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.95 грн
16+ 20.69 грн
100+ 9.07 грн
1000+ 6.19 грн
3000+ 5.55 грн
9000+ 4.85 грн
24000+ 4.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
PJMBZ18A-AU_R1_007A1PanJit SemiconductorPJMBZ18A-AU-R1 Transil diodes - arrays
товар відсутній
PJMBZ20A-AU_R1_007A1PanjitESD Suppressors / TVS Diodes ESD,17V,Uni,2CH
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.77 грн
14+ 24.57 грн
100+ 13.64 грн
1000+ 9.35 грн
3000+ 5.48 грн
9000+ 4.85 грн
24000+ 4.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
PJMBZ27A-AU_R1_007A1PanJit SemiconductorPJMBZ27A-AU-R1 Transil diodes - arrays
товар відсутній
PJMBZ27A-AU_R1_007A1PanjitESD Suppressors / TVS Diodes ESD,22V,Uni,2CH
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
12+28.95 грн
16+ 20.69 грн
100+ 9.07 грн
1000+ 6.19 грн
3000+ 5.55 грн
9000+ 4.85 грн
24000+ 4.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
PJMBZ27V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJMBZ27V-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: DUAL TVS ZENER FOR ESD/TRANSIENT
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.13 грн
15+ 20.21 грн
100+ 11.44 грн
500+ 7.11 грн
1000+ 5.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
PJMBZ27V-AU_R1_000A1PanjitZener Diodes 22V ESD Protection UNI
товар відсутній
PJMBZ27V-AU_R1_000A1PanJit SemiconductorCategory: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; SOT23; reel,tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
PJMBZ27V-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: DUAL TVS ZENER FOR ESD/TRANSIENT
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJMBZ27V-AU_R1_000A1PanJit SemiconductorCategory: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; SOT23; reel,tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
товар відсутній
PJMBZ27V-AU_R2_000A1PanJit SemiconductorPJMBZ27V-AU-R2 Transil diodes - arrays
товар відсутній
PJMBZ27V-AU_R2_000A1PanjitZener Diodes /US/TR/13"/HF/12K/SOT-23/TVS/ESD/SOT/TEA-02GL/TEA02GL-QI01/PJ///
товар відсутній
PJMBZ27VC
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJMBZ27V_R1_00001Panjit International Inc.Description: DUAL TVS ZENER FOR ESD/TRANSIENT
товар відсутній
PJMBZ27V_R1_00001PanjitZener Diodes 22V ESD Protection UNI
товар відсутній
PJMBZ27V_R1_00001Panjit International Inc.Description: DUAL TVS ZENER FOR ESD/TRANSIENT
товар відсутній
PJMBZ27V_R1_10001PanjitZener Diodes US/TR/7"/RoHS/3K/SOT-23/TVS/ESD/SOT/TEA-02GL/TEA02GL-QI01/PJ///
товар відсутній
PJMBZ27V_R2_00001PanjitZener Diodes /US/TR/13"/HF/12K/SOT-23/TVS/ESD/SOT/TEA-02GL/TEA02GL-QI01/PJ///
товар відсутній
PJMBZ27V_R2_10001PanjitESD Suppressors / TVS Diodes 22V ESD Protection UNI
товар відсутній
PJMBZ33A-AU-R1-007A1PanjitArray
товар відсутній
PJMBZ33A-AU_R1_007A1Panjit International Inc.Description: ESD,26V, SOT-23,UNI,2CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 870mA
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 31.35V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 46V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJMBZ33A-AU_R1_007A1PanJit SemiconductorCategory: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 31.35÷34.65V; 40W; double,common anode; SOT23
Application: automotive industry
Breakdown voltage: 31.35...34.65V
Leakage current: 50nA
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Features of semiconductor devices: ESD protection
Peak pulse power dissipation: 40W
Max. off-state voltage: 26V
Semiconductor structure: common anode; double
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMBZ33A-AU_R1_007A1PanjitESD Suppressors / TVS Diodes ESD,26V,Uni,2CH
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.95 грн
16+ 20.69 грн
100+ 9.07 грн
1000+ 6.19 грн
3000+ 5.55 грн
9000+ 4.85 грн
24000+ 4.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
PJMBZ33A-AU_R1_007A1Panjit International Inc.Description: ESD,26V, SOT-23,UNI,2CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 870mA
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 31.35V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 46V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.37 грн
16+ 18.67 грн
100+ 9.4 грн
500+ 7.82 грн
1000+ 6.09 грн
Мінімальне замовлення: 12
PJMBZ33A-AU_R1_007A1PanJit SemiconductorCategory: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 31.35÷34.65V; 40W; double,common anode; SOT23
Application: automotive industry
Breakdown voltage: 31.35...34.65V
Leakage current: 50nA
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Features of semiconductor devices: ESD protection
Peak pulse power dissipation: 40W
Max. off-state voltage: 26V
Semiconductor structure: common anode; double
товар відсутній
PJMBZ5V6
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJMBZ5V6A-AU_R1_007A1PanjitESD Suppressors / TVS Diodes ESD,3V,Uni,2CH
на замовлення 8997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.95 грн
16+ 20.69 грн
100+ 9.07 грн
1000+ 6.19 грн
3000+ 5.55 грн
9000+ 4.85 грн
24000+ 4.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
PJMBZ5V6A-AU_R1_007A1PanJit SemiconductorPJMBZ5V6A-AU-R1 Transil diodes - arrays
товар відсутній
PJMBZ6V2
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJMBZ6V2A-AU_R1_007A1PanJit SemiconductorPJMBZ6V2A-AU-R1 Transil diodes - arrays
товар відсутній
PJMBZ6V8
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJMBZ6V8A-AU_R1_007A1PanjitESD Suppressors / TVS Diodes ESD,4.5V,Uni,2CH
товар відсутній
PJMBZ6V8A-AU_R1_007A1PanJit SemiconductorPJMBZ6V8A-AU-R1 Transil diodes - arrays
товар відсутній
PJMBZ9V1A-AU_R1_007A1PanJit SemiconductorCategory: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 8.65÷9.56V; 24W; double,common anode; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Leakage current: 0.3µA
Breakdown voltage: 8.65...9.56V
Semiconductor structure: common anode; double
Max. off-state voltage: 6V
Type of diode: TVS array
Features of semiconductor devices: ESD protection
Application: automotive industry
Peak pulse power dissipation: 24W
Kind of package: reel; tape
товар відсутній
PJMBZ9V1A-AU_R1_007A1PanjitESD Suppressors / TVS Diodes ESD,6V,Uni,2CH
товар відсутній
PJMBZ9V1A-AU_R1_007A1PanJit SemiconductorCategory: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 8.65÷9.56V; 24W; double,common anode; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Leakage current: 0.3µA
Breakdown voltage: 8.65...9.56V
Semiconductor structure: common anode; double
Max. off-state voltage: 6V
Type of diode: TVS array
Features of semiconductor devices: ESD protection
Application: automotive industry
Peak pulse power dissipation: 24W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMD280N60E1-L2PanjitArray
товар відсутній
PJMD280N60E1_L2_00601PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMD280N60E1_L2_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 280M / 13.8A/ EASY TO DRIV
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
PJMD280N60E1_L2_00601PanjitMOSFETs 600V/ 280mohms / 13.8A/ Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 189-198 дні (днів)
4+101.68 грн
10+ 81.64 грн
100+ 55.53 грн
500+ 47.09 грн
1000+ 40.13 грн
3000+ 34.09 грн
9000+ 34.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
PJMD280N60E1_L2_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 280M / 13.8A/ EASY TO DRIV
Packaging: Cut Tape (CT)
товар відсутній
PJMD280N60E1_L2_00601PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMD360N60EC-L2PanjitMOSFETs TO252 600V 11A N-CH
товар відсутній
PJMD360N60EC_L2_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.27 грн
10+ 176.15 грн
100+ 123.72 грн
500+ 95.05 грн
1000+ 88.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMD360N60EC_L2_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+53.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJMD360N60EC_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMD360N60EC_L2_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+250.92 грн
10+ 188.33 грн
25+ 160.95 грн
100+ 120.19 грн
500+ 98.4 грн
1000+ 91.37 грн
2500+ 90.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMD360N60EC_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMD390N65EC-L2PanjitMOSFETs TO252 650V 10A N-CH
товар відсутній
PJMD390N65EC_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMD390N65EC_L2_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 726 pF @ 400 V
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+397.64 грн
10+ 260.64 грн
100+ 232.51 грн
PJMD390N65EC_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMD390N65EC_L2_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 726 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+241.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJMD390N65EC_L2_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+258.3 грн
10+ 213.39 грн
25+ 181.34 грн
100+ 153.22 грн
250+ 149.01 грн
500+ 144.79 грн
1000+ 135.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMD580N60E1-L2PanjitMOSFETs TO252 600V 8A N-CH
товар відсутній
PJMD580N60E1_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 54W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 54W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMD580N60E1_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 54W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 54W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMD600N65E1_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; Idm: 21.9A; 54W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 54W
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 21.9A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
товар відсутній
PJMD600N65E1_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; Idm: 21.9A; 54W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 54W
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 21.9A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
PJMD900N60EC-L2PanjitMOSFET TO-252AA/MOS/TO/NFET-600SMNH
товар відсутній
PJMD900N60EC_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 9.7A; 47.5W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 9.7A
Power dissipation: 47.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMD900N60EC_L2_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 47.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 400 V
на замовлення 5835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.9 грн
10+ 111.65 грн
100+ 88.9 грн
500+ 70.59 грн
1000+ 59.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMD900N60EC_L2_00001PanjitMOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.76 грн
10+ 113.16 грн
100+ 78.72 грн
250+ 72.39 грн
500+ 66 грн
1000+ 56.09 грн
2500+ 53.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMD900N60EC_L2_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 47.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+62.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PJMD900N60EC_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 9.7A; 47.5W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 9.7A
Power dissipation: 47.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMD990N65EC-L2PanjitMOSFETs TO252 650V 4.7A N-CH
товар відсутній
PJMD990N65EC_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 47.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 9.5A
Power dissipation: 47.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 990mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMD990N65EC_L2_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 47.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+561.86 грн
10+ 367.68 грн
100+ 269.58 грн
500+ 215.87 грн
PJMD990N65EC_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 47.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 9.5A
Power dissipation: 47.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 990mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMD990N65EC_L2_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.76 грн
10+ 113.16 грн
100+ 78.72 грн
250+ 72.39 грн
500+ 66 грн
1000+ 56.09 грн
2500+ 53.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMD990N65EC_L2_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 47.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+238.87 грн
Мінімальне замовлення: 6000
PJMF099N60EC-T0PanjitArray
товар відсутній
PJMF099N60EC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: ITO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMF099N60EC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 99M / 39A/ EASY TO DRIVER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2568 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+642.46 грн
10+ 423.69 грн
100+ 313.25 грн
500+ 257.85 грн
PJMF099N60EC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: ITO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMF099N60EC_T0_00601PanjitMOSFETs 600V/ 99mOhms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+597.78 грн
10+ 505.18 грн
50+ 397.82 грн
100+ 366.19 грн
250+ 344.4 грн
500+ 322.61 грн
1000+ 290.28 грн
PJMF120N60EC-T0PanjitMOSFETs ITO-220AB-F/MOS/NFET-600FCTMNH
товар відсутній
PJMF120N60EC_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+506.76 грн
10+ 427.58 грн
25+ 337.37 грн
100+ 310.66 грн
250+ 292.39 грн
500+ 274.11 грн
1000+ 259.35 грн
PJMF120N60EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 33W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 33W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMF120N60EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+397.64 грн
10+ 260.64 грн
100+ 232.51 грн
PJMF120N60EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 33W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 33W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMF125N60FRC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 125M / 30A/ SJ MOSFET WITH
Packaging: Tube
товар відсутній
PJMF125N60FRC_T0_00601PanjitMOSFETs 600V/ 125mohms / 30A/ SJ MOSFET with Fast Recovery Qrr/trr / Ruggednss
товар відсутній
PJMF130N65EC_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+355.88 грн
10+ 300.68 грн
100+ 234.75 грн
PJMF130N65EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 400 V
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+397.64 грн
10+ 260.64 грн
100+ 232.51 грн
PJMF130N65EC_T0_006A1PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: ITO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMF130N65EC_T0_006A1PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: ITO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMF190N60E1-T0PanjitMOSFET ITO-220AB-F/MOS/NFET-600FCTMNH
товар відсутній
PJMF190N60E1_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 38W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMF190N60E1_T0_00001PanjitMOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.76 грн
10+ 181.86 грн
25+ 149.71 грн
100+ 127.92 грн
250+ 120.89 грн
500+ 113.86 грн
1000+ 104.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMF190N60E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 400 V
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.28 грн
50+ 156.44 грн
100+ 134.1 грн
500+ 111.86 грн
1000+ 95.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMF190N60E1_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 38W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMF190N60E1_T0_00201PanjitMOSFETs 600V 190mohm Super Junction Easy versio
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.76 грн
10+ 181.86 грн
25+ 149.71 грн
100+ 127.92 грн
250+ 120.89 грн
500+ 113.86 грн
1000+ 104.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMF210N65EC-T0PanjitMOSFETs TO220 650V 19A N-CH SJUNC
товар відсутній
PJMF210N65EC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1412 pF @ 400 V
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.26 грн
10+ 92.84 грн
100+ 64.17 грн
500+ 58 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMF210N65EC_T0_00601PanjitMOSFETs 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 1921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.26 грн
10+ 92.95 грн
100+ 66 грн
500+ 62.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMF210N65EC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 32W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 32W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMF210N65EC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 32W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 32W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMF280N60E1-T0PanjitMOSFETs TO220 600V 13.8A N-CH
товар відсутній
PJMF280N60E1_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 34W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMF280N60E1_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.48 грн
10+ 139.03 грн
100+ 99.81 грн
250+ 95.59 грн
500+ 84.34 грн
1000+ 71.69 грн
2000+ 66 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMF280N60E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 926 pF @ 400 V
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.73 грн
10+ 137.28 грн
100+ 95.08 грн
500+ 72.27 грн
1000+ 66.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMF280N60E1_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 34W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMF280N60E1_T0_00201PanjitMOSFETs 600V 280mohm Super Junction Easy versio
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.48 грн
10+ 144.68 грн
100+ 99.81 грн
250+ 92.07 грн
500+ 83.64 грн
1000+ 75.91 грн
2000+ 65.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMF280N65E1-T0PanjitMOSFETs TO220 650V 13.8A N-CH
товар відсутній
PJMF280N65E1_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
товар відсутній
PJMF280N65E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 400 V
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.23 грн
10+ 103.16 грн
100+ 71.69 грн
500+ 66.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMF280N65E1_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; Idm: 41.4A; 35.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 35.7W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMF280N65E1_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; Idm: 41.4A; 35.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 35.7W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMF280N65E1_T0_00201PanjitMOSFETs 650V 280mohm Super Junction Easy versio
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.06 грн
10+ 156.81 грн
100+ 108.24 грн
250+ 100.51 грн
500+ 90.67 грн
1000+ 82.23 грн
2000+ 71.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMF360N60E1-T0PanjitMOSFETs TO220 600V 11A N-CH
товар відсутній
PJMF360N60E1_T0_00001PanjitMOSFETs 600V/ 360mohm Super Junction Easy version Gen.1
товар відсутній
PJMF360N60E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V/ 360MOHM SUPER JUNCTION EAS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 717 pF @ 400 V
товар відсутній
PJMF360N60E1_T0_00201PanjitMOSFETs 600V/ 360mohm Super Junction Easy versio
товар відсутній
PJMF360N60EC-T0PanjitMOSFETs TO220 600V 11A N-CH
товар відсутній
PJMF360N60EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 30W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMF360N60EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 30W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMF360N60EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+394.6 грн
10+ 258.45 грн
100+ 230.02 грн
PJMF360N60EC_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+302.58 грн
10+ 227.13 грн
25+ 186.96 грн
100+ 159.55 грн
250+ 153.93 грн
500+ 149.71 грн
1000+ 144.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMF380N65E1-T0PanjitMOSFETs
товар відсутній
PJMF380N65E1_T0_00001PanjitMOSFETs 650V/ 380mohm Super Junction Easy version Gen.1
товар відсутній
PJMF380N65E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V/ 380MOHM SUPER JUNCTION EAS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 769 pF @ 400 V
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.7 грн
10+ 89.54 грн
100+ 61.76 грн
500+ 55.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMF380N65E1_T0_00201PanjitMOSFETs 650V/ 380mohm Super Junction Easy versio
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.08 грн
10+ 130.94 грн
100+ 89.97 грн
250+ 83.64 грн
500+ 75.91 грн
1000+ 68.67 грн
2000+ 59.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMF390N65EC-T0PanjitMOSFETs TO220 650V 10A N-CH
товар відсутній
PJMF390N65EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 29.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 29.5W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMF390N65EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 726 pF @ 400 V
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.28 грн
10+ 129.88 грн
100+ 95.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMF390N65EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 29.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 29.5W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMF390N65EC_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.18 грн
10+ 134.98 грн
100+ 98.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMF580N60E1-T0PanjitMOSFETs TO220 600V 8A N-CH
товар відсутній
PJMF580N60E1_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
товар відсутній
PJMF580N60E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497 pF @ 400 V
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.76 грн
10+ 68.89 грн
100+ 46.89 грн
500+ 39.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMF580N60E1_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 28W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 28W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMF580N60E1_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 28W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 28W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMF580N60E1_T0_00201PanjitMOSFETs 600V 580mohm Super Junction Easy versio
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.46 грн
10+ 101.84 грн
100+ 69.3 грн
500+ 58.34 грн
1000+ 49.83 грн
2000+ 42.24 грн
10000+ 42.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMF600N65E1-T0PanjitMOSFET ITO-220AB-F/MOS/NFET-650FCTMNH
товар відсутній
PJMF600N65E1_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; Idm: 21.9A; 32W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Pulsed drain current: 21.9A
Power dissipation: 32W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMF600N65E1_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.84 грн
10+ 72.42 грн
100+ 51.8 грн
500+ 48.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
PJMF600N65E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 554 pF @ 400 V
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.85 грн
10+ 94.45 грн
100+ 75.2 грн
500+ 59.71 грн
1000+ 50.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMF600N65E1_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; Idm: 21.9A; 32W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Pulsed drain current: 21.9A
Power dissipation: 32W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMF600N65E1_T0_00201PanjitMOSFETs 650V 600mohm Super Junction Easy versio
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.38 грн
10+ 106.69 грн
100+ 73.8 грн
250+ 67.97 грн
500+ 61.71 грн
1000+ 55.88 грн
2000+ 48.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMF900N60E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V/ 900MOHM SUPER JUNCTION EAS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 23.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
PJMF900N60E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V/ 900MOHM SUPER JUNCTION EAS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 23.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.04 грн
10+ 58.42 грн
100+ 39.37 грн
500+ 31.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
PJMF900N60E1_T0_00001PanjitMOSFETs 600V/ 900mohm Super Junction Easy version Gen.1
товар відсутній
PJMF900N60E1_T0_00201PanjitMOSFETs 600V/ 900mohm Super Junction Easy versio
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.86 грн
10+ 81.64 грн
100+ 55.24 грн
500+ 46.81 грн
1000+ 39.92 грн
2000+ 33.95 грн
10000+ 33.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
PJMF900N60EC_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.18 грн
10+ 134.98 грн
100+ 94.18 грн
250+ 89.97 грн
500+ 85.05 грн
1000+ 79.42 грн
2000+ 66.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMF900N60EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 400 V
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.32 грн
10+ 132.44 грн
100+ 98.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMF900N65E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V/ 900MOHM SUPER JUNCTION EAS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 382 pF @ 400 V
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.36 грн
10+ 61.43 грн
100+ 41.55 грн
500+ 33.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
PJMF900N65E1_T0_00001PanjitMOSFETs 650V/ 900mohm Super Junction Easy version Gen.1
товар відсутній
PJMF900N65E1_T0_00201PanjitMOSFETs 650V/ 900mohm Super Junction Easy versio
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.24 грн
10+ 88.1 грн
100+ 59.11 грн
500+ 50.04 грн
1000+ 42.73 грн
2000+ 36.27 грн
10000+ 36.2 грн
Мінімальне замовлення: 4
PJMF990N65EC-T0PanjitMOSFETs TO220 650V 4.7A N-CH
товар відсутній
PJMF990N65EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 22.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 9.5A
Power dissipation: 22.5W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 990mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMF990N65EC_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.9 грн
10+ 131.75 грн
100+ 90.67 грн
250+ 83.64 грн
500+ 76.61 грн
1000+ 69.3 грн
2000+ 59.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMF990N65EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 22.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 9.5A
Power dissipation: 22.5W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 990mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMF990N65EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.46 грн
10+ 89.91 грн
100+ 62.05 грн
500+ 55.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMH040N60EC-T0PanjitArray
товар відсутній
PJMH040N60EC_T0_00201PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMH040N60EC_T0_00201PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMH074N60FRCPanjit International Inc.Description: 600V/ 74M / 53A/ FAST RECOVERY Q
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 26.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3871 pF @ 400 V
товар відсутній
PJMH074N60FRCPanjitMOSFETs 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+624.02 грн
10+ 527 грн
30+ 415.39 грн
120+ 380.95 грн
270+ 359.16 грн
510+ 336.67 грн
1020+ 302.93 грн
PJMH074N60FRC-T0PanjitMOSFETs TO247 600V 53A N-CH SUPER J
товар відсутній
PJMH074N60FRCH-T0Panjit TO247 600V 53A N-CH MOSFET
товар відсутній
PJMH074N60FRCH_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 74M / 53A/ FAST RECOVERY Q
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+662.22 грн
10+ 437.82 грн
100+ 324.33 грн
500+ 268.65 грн
PJMH074N60FRCH_T0_00601PanjitMOSFETs 600V 74mohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss
товар відсутній
PJMH074N60FRC_T0_00601PanjitMOSFETs 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET
на замовлення 1491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+607.62 грн
10+ 541.55 грн
30+ 422.42 грн
120+ 388.68 грн
270+ 368.3 грн
510+ 338.78 грн
1020+ 294.5 грн
PJMH074N60FRC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 74MOHM / 53A/ FAST RECOVER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 26.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3871 pF @ 400 V
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+678.95 грн
10+ 453.78 грн
25+ 402.12 грн
100+ 323.1 грн
250+ 296.8 грн
500+ 280.78 грн
1000+ 263.1 грн
PJMH074N60FRC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; Idm: 117A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 117A
Power dissipation: 446W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 74mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMH074N60FRC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; Idm: 117A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 117A
Power dissipation: 446W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 74mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMH099N60EC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 99M / 39A/ EASY TO DRIVER
Packaging: Tube
товар відсутній
PJMH099N60EC_T0_00601PanjitMOSFETs 600V/ 99mohms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 189-198 дні (днів)
1500+247.64 грн
2520+ 230.36 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PJMH120N60EC-T0PanjitMOSFETs TO247 600V 30A N-CH SUPER J
товар відсутній
PJMH120N60EC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 235W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMH120N60EC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 235W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMH120N60EC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 120MOHM / 30A/ EASY TO DRI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 400 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+440.21 грн
10+ 286.27 грн
25+ 250.66 грн
100+ 197.77 грн
250+ 179.6 грн
500+ 168.53 грн
1000+ 156.72 грн
PJMH120N60EC_T0_00601PanjitMOSFETs 600V 120mohm 30A Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+425.58 грн
10+ 280.48 грн
30+ 203.83 грн
120+ 185.55 грн
270+ 173.61 грн
510+ 164.47 грн
1020+ 158.85 грн
PJMH190N60E1-T0PanjitMOSFET TO-247AD-3LD/NFET-600CTUMNH
товар відсутній
PJMH190N60E1_T0_00601PanjitMOSFET 600V 190mohm 20.6A Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.04 грн
10+ 220.66 грн
30+ 183.45 грн
120+ 154.63 грн
270+ 147.6 грн
510+ 137.06 грн
1020+ 117.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMH190N60E1_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.6A; Idm: 62A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.6A
Pulsed drain current: 62A
Power dissipation: 160W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMH190N60E1_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 190MOHM / 20.6A/ EASY TO D
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 400 V
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.34 грн
10+ 212.98 грн
30+ 201.36 грн
120+ 163.77 грн
270+ 155.38 грн
510+ 139.42 грн
1020+ 115.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMH190N60E1_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.6A; Idm: 62A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.6A
Pulsed drain current: 62A
Power dissipation: 160W
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMP099N60EC-T0PanjitArray
товар відсутній
PJMP099N60EC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 99M / 39A/ EASY TO DRIVER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 308W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2568 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+631.81 грн
10+ 416.3 грн
100+ 307.44 грн
500+ 252.22 грн
PJMP099N60EC_T0_00601PanjitMOSFETs 600V/ 99mOhms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+584.66 грн
10+ 493.86 грн
50+ 389.38 грн
100+ 357.75 грн
250+ 336.67 грн
500+ 315.58 грн
1000+ 284.66 грн
PJMP120N60EC-T0PanjitMOSFETs TO-220AB-L/MOS/NFET-600CTMNH
товар відсутній
PJMP120N60EC_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+311.6 грн
25+ 266.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMP120N60EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 235W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.62 грн
8+ 116.41 грн
21+ 109.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMP120N60EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 400 V
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.32 грн
10+ 132.44 грн
100+ 98.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMP120N60EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 235W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+261.14 грн
8+ 145.07 грн
21+ 131.79 грн
1000+ 130.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMP125N60FRC_T0_00601PanjitMOSFETs 600V/ 125mohms / 30A/ SJ MOSFET with Fast Recovery Qrr/trr / Ruggednss
товар відсутній
PJMP125N60FRC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 125M / 30A/ SJ MOSFET WITH
Packaging: Tube
товар відсутній
PJMP130N65EC-T0PanjitMOSFET TO-220AB-L/MOS/NFET-650FCTMNH
товар відсутній
PJMP130N65EC_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+501.02 грн
10+ 423.54 грн
25+ 333.86 грн
100+ 307.15 грн
250+ 288.87 грн
500+ 270.6 грн
1000+ 256.54 грн
PJMP130N65EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+394.6 грн
10+ 258.45 грн
100+ 230.02 грн
PJMP210N65EC-T0PanjitMOSFETs TO220 650V 19A N-CH SJUNC
товар відсутній
PJMP210N65EC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 150W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMP210N65EC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 150W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMP210N65EC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1412 pF @ 400 V
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.36 грн
10+ 132.08 грн
100+ 91.28 грн
500+ 69.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMP210N65EC_T0_00601PanjitMOSFETs 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+167.28 грн
10+ 136.6 грн
100+ 94.18 грн
250+ 87.15 грн
500+ 79.42 грн
1000+ 67.33 грн
2500+ 64.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMP360N60EC-T0PanjitMOSFETs TO220 600V 11A N-CH
товар відсутній
PJMP360N60EC_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.12 грн
10+ 138.22 грн
25+ 111.75 грн
100+ 96.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMP360N60EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMP360N60EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMP360N60EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.16 грн
10+ 123.81 грн
100+ 89.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMP390N65EC-T0PanjitMOSFETs TO220 650V 10A N-CH
товар відсутній
PJMP390N65EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMP390N65EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMP390N65EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 726 pF @ 400 V
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.25 грн
10+ 80.32 грн
100+ 55.06 грн
500+ 47.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMP390N65EC_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMP900N60EC-T0PanjitMOSFET TO-220AB-L/MOS/NFET-600CTMNH
товар відсутній
PJMP900N60EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 9.7A; 47.5W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 9.7A
Power dissipation: 47.5W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMP900N60EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 47.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 400 V
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.69 грн
10+ 174.91 грн
100+ 141.54 грн
500+ 118.07 грн
1000+ 101.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMP900N60EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 9.7A; 47.5W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 9.7A
Power dissipation: 47.5W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMP900N60EC_T0_00001PanjitMOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
товар відсутній
PJMP990N65EC-T0PanjitMOSFETs TO220 650V 4.7A N-CH
товар відсутній
PJMP990N65EC_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.34 грн
10+ 125.28 грн
100+ 87.15 грн
250+ 80.13 грн
500+ 73.1 грн
1000+ 66 грн
2000+ 57.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMP990N65EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 47.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 9.5A
Power dissipation: 47.5W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 990mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJMP990N65EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 47.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 9.5A
Power dissipation: 47.5W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 990mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJMP990N65EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 47.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.9 грн
10+ 87.05 грн
100+ 59.95 грн
500+ 53.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
PJMQC040N10NS2_R2_00601Panjit International Inc.Description: 100V/ 4.4MOHM/ EXCELLECT LOW FOM
товар відсутній
PJMQC040N10NS2_R2_00601PanjitESD Suppressors / TVS Diodes 100V 4.4mohm Excellect low FOM MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 189-198 дні (днів)
2+201.72 грн
10+ 180.25 грн
100+ 125.81 грн
500+ 103.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMQC040N10NS2_R2_00601Panjit International Inc.Description: 100V/ 4.4MOHM/ EXCELLECT LOW FOM
товар відсутній