Продукція > NVJ
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NVJD4152PT1G | ON Semiconductor | на замовлення 408123 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
NVJD4152PT1G | onsemi | MOSFETs Dual P-Channel Trench Small Signal ESD Protected MOSFET 20V, 0.88A, 260mohm | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NVJD4401NT1G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 270mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 50269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NVJD4401NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVJD4401NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm Verlustleistung, p-Kanal: 550mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 550mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NVJD4401NT1G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 270mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NVJD4401NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.91A Automotive 6-Pin SC-88 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
NVJD4401NT1G | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.14W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.46A Power dissipation: 0.14W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.375Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
NVJD4401NT1G | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.14W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.46A Power dissipation: 0.14W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.375Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||
NVJD4401NT1G | onsemi | MOSFET NFET SC88 20V 630MA 375MO | на замовлення 9999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NVJD5121NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 15322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NVJD5121NT1G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 17565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NVJD5121NT1G | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.212A; 0.25W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.212A Power dissipation: 0.25W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 210 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NVJD5121NT1G | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.212A; 0.25W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.212A Power dissipation: 0.25W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NVJD5121NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 15322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NVJD5121NT1G | onsemi | MOSFET NFET SC88 60V 295MA 1.6OH | на замовлення 49320 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NVJD5121NT1G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NVJD5121NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||
NVJD5121NT1G-M06 | ON Semiconductor | Dual N-Channel Power MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
NVJD5121NT1G-M06 | onsemi | RF MOSFET Transistors NFET SC88 60V 295MA 1.6OH | на замовлення 29750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NVJD5121NT1G-M06 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 14470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NVJD5121NT1G-M06 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NVJD5121NT2G | onsemi | MOSFET Dual N-Channel Power MOSFET with ESD Protection 60V, 295mA, 1.6ohm | на замовлення 2930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NVJS4151PT1G | onsemi | MOSFET 20V 4.2A 60MOHM PFET | на замовлення 29874 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NVJS4151PT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 65705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NVJS4151PT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVJS4151PT1G - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.055 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 7140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NVJS4151PT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NVJS4405NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 1A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
NVJS4405NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 1A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V | на замовлення 2949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
NVJS4405NT1G | ON Semiconductor | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
NVJS4405NT1G | onsemi | MOSFET Single N-Channel Small Signal MOSFET 25V, 1.2A, 350mohm Automotive Version of the NTJS4405N | на замовлення 1484 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|