Продукція > NJT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NJT4030PT1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 48457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.49 грн
10+ 30.09 грн
100+ 20.92 грн
500+ 15.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
NJT4030PT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
NJT4030PT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 40V 3A PNP BIPOLAR POWER TRANSISTOR
на замовлення 14433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.83 грн
11+ 30.31 грн
100+ 18.84 грн
500+ 15.11 грн
1000+ 12.09 грн
2000+ 10.47 грн
10000+ 9.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
NJT4030PT1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+13.79 грн
2000+ 11.87 грн
5000+ 11.26 грн
10000+ 9.82 грн
25000+ 9.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000
NJT4030PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NJT4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.21 грн
500+ 15.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
NJT4030PT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
NJT4030PT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
NJT4030PT1GOn SemiconductorSOT-223
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
NJT4030PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NJT4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.66 грн
24+ 33.12 грн
100+ 21.21 грн
500+ 15.81 грн
Мінімальне замовлення: 20
NJT4030PT3GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 17377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.49 грн
10+ 29.94 грн
100+ 20.81 грн
500+ 15.25 грн
1000+ 12.39 грн
2000+ 11.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
NJT4030PT3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
NJT4030PT3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
NJT4030PT3GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+12.26 грн
8000+ 11.21 грн
12000+ 10.4 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NJT4030PT3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
NJT4030PT3GonsemiBipolar Transistors - BJT 40V 3A PNP BIPOLAR POWER TRANSISTOR
на замовлення 32523 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.62 грн
16+ 20.93 грн
100+ 14.27 грн
500+ 12.51 грн
1000+ 9.84 грн
Мінімальне замовлення: 14
NJT4031NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NJT4031NT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+54.32 грн
18+ 45.89 грн
100+ 32.17 грн
500+ 23.87 грн
Мінімальне замовлення: 15
NJT4031NT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+20.06 грн
2000+ 18.33 грн
5000+ 17.3 грн
Мінімальне замовлення: 1000
NJT4031NT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.89 грн
2000+ 17.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000
NJT4031NT1GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 40V LO SAT BP
на замовлення 36340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.02 грн
10+ 35.48 грн
100+ 23.62 грн
500+ 19.68 грн
1000+ 13.57 грн
2000+ 13.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
NJT4031NT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 5863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.58 грн
10+ 35.8 грн
100+ 24.77 грн
500+ 19.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
NJT4031NT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+20.36 грн
2000+ 18.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000
NJT4031NT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
NJT4031NT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+19.11 грн
2000+ 17.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000
NJT4031NT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.29 грн
2000+ 15.69 грн
5000+ 14.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000
NJT4031NT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000
NJT4031NT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+27.34 грн
5000+ 24.98 грн
10000+ 23.24 грн
15000+ 21.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000
NJT4031NT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
NJT4031NT3GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 40V LO SAT BP SOT223
на замовлення 4478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.36 грн
11+ 29.74 грн
100+ 19.47 грн
500+ 17.01 грн
1000+ 15.39 грн
2000+ 14.41 грн
4000+ 14.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
NJT4031NT3GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
NJT4031NT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+17.68 грн
36+ 16.98 грн
100+ 15.19 грн
250+ 13.92 грн
500+ 13.26 грн
1000+ 13.15 грн
3000+ 13.04 грн
Мінімальне замовлення: 34
NJT4031NT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
660+18.29 грн
711+ 16.96 грн
718+ 16.8 грн
724+ 16.06 грн
1000+ 14.75 грн
3000+ 14.04 грн
Мінімальне замовлення: 660
NJT4031NT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
NJT4031NT3GON Semiconductor
на замовлення 2719 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NJT4031NT3GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.58 грн
10+ 35.8 грн
100+ 24.77 грн
500+ 19.42 грн
1000+ 16.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
NJT4031NT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
NJT44
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NJT4558M
на замовлення 376 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NJT9616D
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NJTY 3266TA
Код товару: 195600		Інструмент та обладнання > Прилади вимірювальні (Мультиметри, Тестери)
товар відсутній