Продукція > MSJ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MSJ-CN1A0109+
на замовлення 347 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MSJ-CN1A01(1AB03117AEAA)ALCATEL
на замовлення 347 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MSJAC11N50BMicro Commercial ComponentsMSJAC11N50B
товар відсутній
MSJAC11N50B-TPMicro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 702 pF @ 25 V
товар відсутній
MSJAC11N50B-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-CHANNEL MOSFET
товар відсутній
MSJAC11N65BMicro Commercial ComponentsMSJAC11N65B
товар відсутній
MSJAC11N65B-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH 650V 11A DFN5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 25 V
товар відсутній
MSJAC11N65B-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-CHANNEL MOSFET
товар відсутній
MSJAC11N65B-TPMicro Commercial ComponentsMSJAC11N65B-TP
товар відсутній
MSJAC11N65Y-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH 650V 11A DFN5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
товар відсутній
MSJAC11N65Y-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Ch 650Vds 30Vgs 11A 33A 78W
товар відсутній
MSJAC11N65Y-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 650V 11A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
MSJAC11N65Y-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH 650V 11A DFN5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
товар відсутній
MSJB06N80AMicro Commercial ComponentsMSJB06N80A
товар відсутній
MSJB06N80A-TPMicro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 349 pF @ 100 V
товар відсутній
MSJB06N80A-TPMicro Commercial ComponentsMSJB06N80A-TP
товар відсутній
MSJB06N80A-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK
товар відсутній
MSJB11N80A-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 958 pF @ 400 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+334.05 грн
1600+ 289.51 грн
Мінімальне замовлення: 800
MSJB11N80A-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+570.72 грн
10+ 481.74 грн
25+ 380.25 грн
100+ 349.32 грн
250+ 328.94 грн
500+ 308.55 грн
800+ 276.22 грн
MSJB11N80A-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 958 pF @ 400 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+530.69 грн
10+ 437.46 грн
100+ 364.57 грн
MSJB14N65A-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
товар відсутній
MSJB14N65A-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 300 V
Power Dissipation (Max): 139W (Tj)
товар відсутній
MSJB14N65A-TPMicro Commercial ComponentsN-CHANNEL Super-JunctionPower MOSFET
товар відсутній
MSJB17N80Micro Commercial ComponentsMSJB17N80
товар відсутній
MSJB17N80-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+303.36 грн
10+ 245.63 грн
100+ 198.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
MSJB17N80-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
MSJB17N80-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK
товар відсутній
MSJB17N80-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
товар відсутній
MSJCN1A01ALCATEL
на замовлення 347 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MSJD016P
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MSJL11N65-TPMicro Commercial ComponentsN-CHANNELSuper-JunctionPowerMOSFET DFN8080
товар відсутній
MSJL20N60A-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
товар відсутній
MSJL20N60A-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET,DFN8080A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 219mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 196W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN8080A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1336 pF @ 25 V
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.97 грн
10+ 192.41 грн
100+ 155.63 грн
500+ 129.82 грн
1000+ 111.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
MSJL20N60A-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET,DFN8080A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 219mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 196W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN8080A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1336 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+115.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MSJP06N80AMicro Commercial ComponentsMSJP06N80A
товар відсутній
MSJP06N80A-BPMicro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 349 pF @ 100 V
товар відсутній
MSJP06N80A-BPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
товар відсутній
MSJP07N80A-BPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET
товар відсутній
MSJP07N80A-BPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB (H)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 25 V
товар відсутній
MSJP08N90AMicro Commercial ComponentsN-Channel Super-Junction Power MOSFET
товар відсутній
MSJP08N90A-BPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET
товар відсутній
MSJP08N90A-BPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET,TO-220AB(H)
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.62Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB (H)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 474 pF @ 25 V
на замовлення 4926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.9 грн
10+ 128.34 грн
100+ 103.78 грн
500+ 95.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
MSJP09N65A-BPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs 650Vds 30Vgs N-Ch Super Junction FET
товар відсутній
MSJP09N65A-BPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET, TO-220AB(H)
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB (H)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 383 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.24 грн
10+ 86.76 грн
100+ 67.47 грн
500+ 53.67 грн
1000+ 43.72 грн
2000+ 41.15 грн
5000+ 38.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
MSJP11N65-BPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Ch 650Vds 30Vgs 11A 33A 78W
на замовлення 4973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+241.08 грн
10+ 214.2 грн
100+ 152.52 грн
500+ 130.03 грн
1000+ 104.73 грн
5000+ 100.51 грн
10000+ 97.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
MSJP11N65-BPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH 650V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB (H)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
на замовлення 4926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.2 грн
50+ 68 грн
100+ 55.95 грн
500+ 47.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
MSJP11N65AMicro Commercial ComponentsMSJP11N65A
товар відсутній
MSJP11N65A-BPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET,TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
на замовлення 4986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.52 грн
50+ 72.61 грн
100+ 59.74 грн
500+ 50.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
MSJP11N65A-BPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-CHANNEL MOSFET
товар відсутній
MSJP11N80A-BPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+279.62 грн
10+ 231.17 грн
25+ 190.47 грн
100+ 163.77 грн
250+ 153.93 грн
500+ 144.79 грн
1000+ 124.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
MSJP11N80A-BPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET, TO-220AB(H)
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB (H)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 918 pF @ 400 V
на замовлення 4992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.02 грн
10+ 210.2 грн
100+ 170.05 грн
500+ 141.85 грн
1000+ 121.46 грн
2000+ 114.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
MSJP14N65AMicro Commercial ComponentsMSJP14N65A
товар відсутній
MSJP14N65A-BPMicro Commercial ComponentsN-Channel Super-Junction Power MOSFET
товар відсутній
MSJP14N65A-BPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
товар відсутній
MSJP14N65A-BPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB (H)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1038 pF @ 30 V
товар відсутній
MSJP20N65-BPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB(H) Tube
товар відсутній
MSJP20N65-BPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Ch 650Vds 30Vgs 20A 60A 151W
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+430.5 грн
10+ 381.51 грн
100+ 271.3 грн
500+ 231.24 грн
1000+ 182.04 грн
5000+ 181.34 грн
MSJP20N65-BPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB (H)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1724 pF @ 100 V
товар відсутній
MSJP20N65AMicro Commercial ComponentsMSJP20N65A
товар відсутній
MSJP20N65A-BPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
товар відсутній
MSJP20N65A-BPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET,TO-220AB(H)
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB (H)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V
на замовлення 32998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.17 грн
50+ 178.58 грн
100+ 153.07 грн
500+ 127.69 грн
1000+ 109.33 грн
2000+ 102.95 грн
5000+ 97.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
MSJP20N65A-BPMicro Commercial ComponentsMSJP20N65A-BP
товар відсутній
MSJPF06N80AMicro Commercial ComponentsMSJPF06N80A
товар відсутній
MSJPF06N80A-BPMicro Commercial ComponentsMSJPF06N80A-BP
товар відсутній
MSJPF06N80A-BPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 349 pF @ 100 V
товар відсутній
MSJPF06N80A-BPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-CHANNEL MOSFET
товар відсутній
MSJPF07N80A-BPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET
товар відсутній
MSJPF07N80A-BPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 25 V
товар відсутній
MSJPF08N90AMicro Commercial ComponentsN-Channel Super-Junction Power MOSFET
товар відсутній
MSJPF08N90A-BPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET
товар відсутній
MSJPF08N90A-BPMicro Commercial ComponentsN-Channel Super-Junction Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MSJPF08N90A-BPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET,TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 474 pF @ 25 V
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.85 грн
10+ 184.94 грн
100+ 149.64 грн
500+ 124.83 грн
1000+ 106.88 грн
2000+ 100.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
MSJPF11N65Micro Commercial ComponentsMSJPF11N65
товар відсутній
MSJPF11N65-BPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
товар відсутній
MSJPF11N65-BPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Ch 650Vds 30Vgs 11A 33A 31.3W
товар відсутній
MSJPF11N65-BPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH 650V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
на замовлення 9441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.68 грн
50+ 81.6 грн
100+ 67.14 грн
500+ 56.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
MSJPF11N65AMicro Commercial ComponentsMSJPF11N65A
товар відсутній
MSJPF11N65A-BPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-CHANNEL MOSFET
товар відсутній
MSJPF11N65A-BPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET,TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 31.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
на замовлення 4827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.72 грн
50+ 83.7 грн
100+ 68.87 грн
500+ 58.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
MSJPF11N65A-BPMicro Commercial ComponentsN-CHANNEL MOSFET
товар відсутній
MSJPF11N80A-BPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET, TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 958 pF @ 400 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.59 грн
10+ 214.08 грн
100+ 173.15 грн
500+ 144.44 грн
1000+ 123.68 грн
2000+ 116.46 грн
5000+ 109.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
MSJPF11N80A-BPMicro Commercial ComponentsMSJPF11N80A-BP
товар відсутній
MSJPF11N80A-BPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-Ch 800V Super Junction Power FET
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+288.64 грн
10+ 239.25 грн
25+ 196.1 грн
100+ 168.69 грн
250+ 158.85 грн
500+ 149.71 грн
1000+ 127.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
MSJPF20N65-BPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Ch 650Vds 30Vgs 20A 33A 31.3W
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+428.86 грн
10+ 379.89 грн
100+ 269.9 грн
500+ 230.54 грн
1000+ 184.15 грн
5000+ 180.63 грн
10000+ 177.12 грн
MSJPF20N65-BPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH 650V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
товар відсутній
MSJPF20N65AMicro Commercial ComponentsMSJPF20N65A
товар відсутній
MSJPF20N65A-BPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
товар відсутній
MSJPF20N65A-BPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET,TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1807 pF @ 25 V
на замовлення 4901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.23 грн
10+ 133.03 грн
100+ 107.6 грн
500+ 98.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
MSJPF20N65A-BPMicro Commercial ComponentsMSJPF20N65A-BP
товар відсутній
MSJPFFR20N60-BPMicro Commercial Components (MCC) N-CHANNEL MOSFET,TO-220F
товар відсутній
MSJPFR20N60-BPMicro Commercial Components (MCC) N-CHANNEL MOSFET,TO-220AB(H)
товар відсутній
MSJR101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MSJR102
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MSJR103
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MSJR104
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MSJR105
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MSJR111
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MSJR112
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MSJR113
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MSJR114
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MSJR115
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MSJT1035SAmphenolCONNECTOR
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3192.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
MSJT1035SAmphenolCONNECTOR
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3070.61 грн
5+ 2594.54 грн
10+ 2534.84 грн
MSJU04N80AMicro Commercial ComponentsMSJU04N80A
товар відсутній
MSJU04N80A-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET,DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 396 pF @ 100 V
на замовлення 4693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.48 грн
10+ 88 грн
100+ 70.04 грн
500+ 55.62 грн
1000+ 47.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
MSJU04N80A-TPMicro Commercial ComponentsMSJU04N80A-TP
товар відсутній
MSJU04N80A-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET,DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 396 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MSJU05N90A-TPMicro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.49Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 474 pF @ 25 V
товар відсутній
MSJU05N90A-TPMicro Commercial ComponentsMSJU05N90A-TP
товар відсутній
MSJU05N90A-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
товар відсутній
MSJU06N80A-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
товар відсутній
MSJU06N80A-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 25 V
товар відсутній
MSJU07N65-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CHANNEL MOSFET
товар відсутній
MSJU07N65AMicro Commercial ComponentsMSJU07N65A
товар відсутній
MSJU07N65A-TPMicro Commercial ComponentsN-CHANNEL MOSFET
товар відсутній
MSJU07N65A-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET, DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 25 V
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.96 грн
10+ 84.78 грн
100+ 65.97 грн
500+ 52.48 грн
1000+ 42.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
MSJU07N65A-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET, DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 25 V
товар відсутній
MSJU07N65A-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-CHANNEL MOSFET
товар відсутній
MSJU11N65-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
товар відсутній
MSJU11N65-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Ch 650Vds 30Vgs 11A 33A 78W
товар відсутній
MSJU11N65-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
товар відсутній
MSJU11N65-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
MSJU11N65AMicro Commercial ComponentsMSJU11N65A
товар відсутній
MSJU11N65A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
MSJU11N65A-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-CHANNEL MOSFET
товар відсутній
MSJU11N65A-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET, DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
товар відсутній
MSJU11N65A-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET, DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
на замовлення 1758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.61 грн
10+ 94.96 грн
100+ 75.62 грн
500+ 60.04 грн
1000+ 50.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
MSJW20N65-BPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH TO247
товар відсутній
MSJW20N65-BPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
MSJW20N65-BPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Ch 650Vds 30Vgs 20A 60A 151W
товар відсутній
MSJW20N65AMicro Commercial ComponentsMSJW20N65A
товар відсутній
MSJW20N65A-BPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,TO-247
товар відсутній
MSJW20N65A-BPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 100 V
на замовлення 5395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.22 грн
10+ 281.58 грн
100+ 227.77 грн
500+ 190 грн
1000+ 162.69 грн
2000+ 153.19 грн
MSJW47N60A-BPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4476 pF @ 300 V
товар відсутній
MSJW47N60A-BPMicro Commercial ComponentsMSJW47N60A-BP
товар відсутній
MSJW47N60A-BPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
товар відсутній