Продукція > IGT
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IGT-1205AT | Planet | Description: IP30 INDUSTRIAL 10/100/1000T TO Packaging: Box Connector Type: RJ45, SFP Mounting Type: DIN Rail Voltage - Input: 12 ~ 24VAC, 48VDC Configuration: Fixed + SFP Operating Temperature: -40°C ~ 75°C Ingress Protection: IP30 Fiber Type: SFP Copper Type: 10/100/1000 Fiber Ports: 2 SFP/XFP Ports: 2 (SFP) Distance: 550m Part Status: Active Copper Ports: 1 | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGT-805AT | Planet | Description: IP30 INDUSTRIAL 10/100/1000T TO Packaging: Box Connector Type: RJ45, SFP Mounting Type: DIN Rail Voltage - Input: 12 ~ 24VAC, 48VDC Configuration: Fixed + SFP Operating Temperature: -40°C ~ 75°C Ingress Protection: IP30 Fiber Type: SFP Copper Type: 10/100/1000 Fiber Ports: 2 SFP/XFP Ports: 2 (SFP) Distance: 550m Copper Ports: 1 | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGT-815AT | Planet | Description: IP30 COMPACT SIZE INDUSTRIAL 100 | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
IGT-905A | Planet | Description: IP30 INDUSTRIAL SNMP MANAGEABLE | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
IGT1112M90 | Integra Technologies Inc. | Description: GAN, RF POWER TRANSISTOR, X-BAND Packaging: Tray Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||
IGT200 | ifm efector, inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 12MM CYL Packaging: Box Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: PNP-NO Sensing Distance: 0.472" (12mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: 0°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 36V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: LED Part Status: Active | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGT202 | ifm efector, inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 12MM CYL Packaging: Box Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: NPN/PNP-NO Sensing Distance: 0.472" (12mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: 0°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: LED Part Status: Active | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGT203 | ifm efector, inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND Packaging: Box Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.315" (8mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: 0°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 36V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: LED Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGT205 | ifm efector, inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND Packaging: Box Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: NPN/PNP-NO Sensing Distance: 0.315" (8mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: 0°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 36V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: LED Part Status: Active | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGT247 | ifm efector, inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 5MM CYLIND Packaging: Box Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: PNP-NO Sensing Distance: 0.197" (5mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: 0°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: LED Part Status: Active | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGT249 | ifm efector, inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 12MM CYL Packaging: Box Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.472" (12mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: 0°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 36V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP65, IP68, IP69K Indicator: LED Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGT250 | ifm efector, inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 12MM CYL Packaging: Box Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: NPN-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.472" (12mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: 0°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 36V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP65, IP67, IP68, IP69K Indicator: LED | товар відсутній | |||||||||||||||
IGT2731M130 | Integra Technologies Inc. | Description: GAN, RF POWER TRANSISTOR, S-BAND | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
IGT40R070D1ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
IGT40R070D1ATMA1 | Infineon Technologies | Description: GAN HV Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Part Status: Active Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 382 pF @ 320 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IGT40R070D1ATMA1 | Infineon Technologies | IGT40R070D1ATMA1 | товар відсутній | |||||||||||||||
IGT40R070D1ATMA1 | Infineon Technologies | SP001998280 | товар відсутній | |||||||||||||||
IGT40R070D1E8220ATMA1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 400V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
IGT40R070D1E8220ATMA1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 400V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
IGT40R070D1E8220ATMA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT GAN HV | товар відсутній | |||||||||||||||
IGT40R070D1E8220ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 400V 31A HSOF-8-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 0°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Part Status: Obsolete Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 382 pF @ 320 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IGT40R070D1E8220ATMA1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 400V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
IGT60R042D1 | Infineon Technologies | IGT60R042D1 | товар відсутній | |||||||||||||||
IGT60R042D1 | Infineon Technologies | IGT60R042D1 | товар відсутній | |||||||||||||||
IGT60R042D1ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N | товар відсутній | |||||||||||||||
IGT60R042D1ATMA1 | Infineon Technologies | Description: GAN HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IGT60R042D1ATMA1 | Infineon Technologies | GaN HEMT Gallium Nitride Transistor Gate Driver | товар відсутній | |||||||||||||||
IGT60R070D1ATMA1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | на замовлення 1741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGT60R070D1ATMA1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
IGT60R070D1ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 31A; Idm: 60A Type of transistor: N-JFET Technology: CoolGaN™ Polarisation: unipolar Kind of transistor: HEMT Drain-source voltage: 600V Drain current: 31A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 125W Case: PG-HSOF-8-3 Gate-source voltage: -10V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.8nC Kind of package: tape Kind of channel: enhanced Gate current: 20mA кількість в упаковці: 2000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IGT60R070D1ATMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 600V 31A 8HSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Part Status: Obsolete Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IGT60R070D1ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 31A; Idm: 60A Type of transistor: N-JFET Technology: CoolGaN™ Polarisation: unipolar Kind of transistor: HEMT Drain-source voltage: 600V Drain current: 31A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 125W Case: PG-HSOF-8-3 Gate-source voltage: -10V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.8nC Kind of package: tape Kind of channel: enhanced Gate current: 20mA | товар відсутній | |||||||||||||||
IGT60R070D1ATMA1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
IGT60R070D1ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET GAN HV | на замовлення 794 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
IGT60R070D1ATMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 600V 31A 8HSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Part Status: Obsolete Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IGT60R070D1ATMA4 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Part Status: Active Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGT60R070D1ATMA4 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGT60R070D1ATMA4 | Infineon Technologies | MOSFETs N | на замовлення 2645 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGT60R070D1ATMA4 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
IGT60R070D1ATMA4 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Part Status: Active Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V | на замовлення 2716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGT60R070D1ATMA4 | Infineon Technologies | 600V Enhancement Mode Power Transistor | товар відсутній | |||||||||||||||
IGT60R070D1ATMA4 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGT60R070D1E8220ATMA1 | Infineon Technologies | Description: GAN HV Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Part Status: Obsolete Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IGT60R190D1ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET HV GAN DISCRETES | товар відсутній | |||||||||||||||
IGT60R190D1ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGT60R190D1ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-HSOF-8-3, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 3.2nC Bauform - Transistor: PG-HSOF-8-3 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ColGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGT60R190D1ATMA1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 12A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
IGT60R190D1ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGT60R190D1ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-HSOF-8-3, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 3.2nC Bauform - Transistor: PG-HSOF-8-3 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ColGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGT60R190D1ATMA1 | Infineon Technologies | Description: GAN HV Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||
IGT60R190D1SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 12.5A; Idm: 23A Type of transistor: N-JFET Technology: CoolGaN™ Polarisation: unipolar Kind of transistor: HEMT Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.5A Pulsed drain current: 23A Power dissipation: 55.5W Case: PG-HSOF-8-3 Gate-source voltage: -10V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Gate charge: 3.2nC Kind of package: tape Kind of channel: enhanced Gate current: 7.7mA кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGT60R190D1SATMA1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
IGT60R190D1SATMA1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
IGT60R190D1SATMA1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGT60R190D1SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 12.5A; Idm: 23A Type of transistor: N-JFET Technology: CoolGaN™ Polarisation: unipolar Kind of transistor: HEMT Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.5A Pulsed drain current: 23A Power dissipation: 55.5W Case: PG-HSOF-8-3 Gate-source voltage: -10V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Gate charge: 3.2nC Kind of package: tape Kind of channel: enhanced Gate current: 7.7mA | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGT60R190D1SATMA1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
IGT60R190D1SATMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc) Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Part Status: Obsolete Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IGT60R190D1SATMA1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGT60R190D1SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET GAN HV | товар відсутній | |||||||||||||||
IGT60R190D1SATMA1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
IGT60R190D1SATMA1 Код товару: 192373 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||
IGT60R190D1SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGT60R190D1SATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.5 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-HSOF-8-3, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.14ohm usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 3.2nC Bauform - Transistor: PG-HSOF-8-3 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGT60R190D1SATMA1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
IGT6D10 | Harris Corporation | Description: 10A, 400V IGBT FOR MOTOR DRIVE Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 75 W | товар відсутній | |||||||||||||||
IGT6D11 | Harris Corporation | Description: 10A, 400V IGBT FOR MOTOR DRIVE Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IGT6D20 | Harris Corporation | Description: 20A, 400V IGBT FOR MOTOR DRIVE Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 32 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V | на замовлення 146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGT6D21 | Harris Corporation | Description: 20A, 400V IGBT FOR MOTOR DRIVE Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 32 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V | на замовлення 209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGT6E10 | Harris Corporation | Description: 10A, 500V IGBT FOR MOTOR DRIVE Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||
IGT6E20 | Harris Corporation | Description: 20A, 500V IGBT FOR MOTOR DRIVE Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 32 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IGT6E21 | Harris Corporation | Description: 20A, 500V IGBT FOR MOTOR DRIVE Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 32 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V | на замовлення 289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGT6E2121 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||
IGT7E20CS | Harris Corporation | Description: N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP Packaging: Bulk Package / Case: TO-218-5 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Supplier Device Package: TO-218-5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V | на замовлення 334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGT99267J-STSUB | SANYO | на замовлення 938 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
IGT99267M-STIGT99267G-ST | SANYO | на замовлення 938 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
IGT99268C-Y42(D095) | SANYO | на замовлення 2700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
IGT99268F-ST2G-ST2 | SANYO | на замовлення 938 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
IGT99268GC-SUBI-E(D096) | SANYO | на замовлення 13160 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
IGT99268M-STSK | SANYO | на замовлення 938 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
IGT99353M-SUBI-E | SANYO | на замовлення 482 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
IGT99353M-SUBI-E(D088) | SANYO | на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
IGT99353M-SUBI-E(D122) | SANYO | на замовлення 18972 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
IGTA78486-002 | на замовлення 509 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IGTB-NAA | ALCATEL | на замовлення 98 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
IGTH10N50 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP Packaging: Bulk Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Supplier Device Package: TO-218 Isolated Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IGTH20N40AD | Harris Corporation | Description: N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP Packaging: Bulk Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Supplier Device Package: TO-218 Isolated Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V | на замовлення 444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGTH20N40D | Harris Corporation | Description: N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP Packaging: Bulk Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Supplier Device Package: TO-218 Isolated Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V | на замовлення 248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGTH20N50 | Harris Corporation | Description: N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP Packaging: Bulk Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Supplier Device Package: TO-218 Isolated Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V | на замовлення 269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGTH20N50A | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP Packaging: Bulk Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Supplier Device Package: TO-218 Isolated Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IGTM10N40 | Harris Corporation | Description: N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V | на замовлення 713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGTM10N40A | Harris Corporation | Description: N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGTM10N50 | Harris Corporation | Description: N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V | на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGTM10N50A | Harris Corporation | Description: N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V | на замовлення 484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGTM20N40 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IGTM20N40A | Harris Corporation | Description: N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IGTM20N50 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IGTP-802T | Planet | Description: IP30 INDUSTRIAL 10/100/1000BASE- Packaging: Box Connector Type: RJ45, SC Mounting Type: DIN Rail Voltage - Input: 12 ~ 24VAC, 48VDC Configuration: Fixed Operating Temperature: -40°C ~ 75°C Ingress Protection: IP30 Fiber Type: Multimode Copper Type: 10/100/1000 Fiber Ports: 1 Distance: 550m Part Status: Active Copper Ports: 1 | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGTP-802TS | Planet | Description: IP30 INDUSTRIAL 10/100/1000BASE- Packaging: Box Connector Type: RJ45, SC Mounting Type: DIN Rail Voltage - Input: 12 ~ 24VAC, 48VDC Configuration: Fixed Operating Temperature: -40°C ~ 75°C Ingress Protection: IP30 Fiber Type: Singlemode Copper Type: 10/100/1000 Fiber Ports: 1 Distance: 10km Part Status: Active Copper Ports: 1 | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGTP-805AT | Planet | Description: IP30 INDUSTRIAL 10/100/1000BASE- Packaging: Box Connector Type: RJ45, SFP Mounting Type: DIN Rail Voltage - Input: 12 ~ 24VAC, 48VDC Configuration: Fixed + SFP Operating Temperature: -40°C ~ 75°C Ingress Protection: IP30 Fiber Type: SFP Copper Type: 10/100/1000 Fiber Ports: 1 SFP/XFP Ports: 1 (SFP) Distance: 120km Part Status: Active Copper Ports: 1 | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGTP-815AT | Planet | Description: IP30 COMPACT SIZE INDUSTRIAL 100 Packaging: Box Connector Type: RJ45, SFP Mounting Type: DIN Rail Voltage - Input: 48 ~ 56VDC Configuration: Fixed + SFP Operating Temperature: -40°C ~ 75°C Ingress Protection: IP30 Fiber Type: SFP Copper Type: 10/100/1000 Fiber Ports: 1 SFP/XFP Ports: 1 (SFP) Distance: 100M Part Status: Active Copper Ports: 1 | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGTP10N40 | Harris Corporation | Description: N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V | на замовлення 934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGTP10N40A | Harris Corporation | Description: N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V | на замовлення 1637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IGTRU/2-1 | ALCATEL | на замовлення 98 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |