Продукція > IGL

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IGLD60R070D1Infineon TechnologiesInfineon GAN HV
товару немає в наявності
IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesMOSFET GAN HV
товару немає в наявності
IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 15A GaN 8-Pin LSON EP T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1616.39 грн
10+ 1547.42 грн
25+ 1510.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 600V 15A LSON-8
товару немає в наявності
IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 15A GaN 8-Pin LSON EP T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1500.93 грн
10+ 1436.89 грн
25+ 1402.23 грн
IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 15A GaN 8-Pin LSON EP T/R
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2058.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 15A GaN 8-Pin LSON EP T/R
товару немає в наявності
IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 600V 15A LSON-8
товару немає в наявності
IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+814.55 грн
10+ 690.64 грн
100+ 597.32 грн
500+ 508.01 грн
1000+ 465.97 грн
IGLD60R070D1AUMA3INFINEONDescription: INFINEON - IGLD60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+689.47 грн
50+ 631.35 грн
100+ 550.03 грн
250+ 545.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesIGLD60R070D1AUMA3
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2412.34 грн
10+ 2174.05 грн
25+ 2066.61 грн
100+ 1783.91 грн
250+ 1577.5 грн
IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesSP005557209
товару немає в наявності
IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
товару немає в наявності
IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesIGLD60R070D1AUMA3
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2597.91 грн
10+ 2341.29 грн
25+ 2225.58 грн
100+ 1921.13 грн
250+ 1698.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesGaN FETs N
на замовлення 2458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+844.56 грн
10+ 738.64 грн
25+ 621 грн
50+ 603.97 грн
100+ 569.9 грн
250+ 559.96 грн
500+ 515.96 грн
IGLD60R070D1AUMA3INFINEONDescription: INFINEON - IGLD60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+804.12 грн
5+ 746.79 грн
10+ 689.47 грн
50+ 631.35 грн
100+ 550.03 грн
250+ 545.25 грн
IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesIGLD60R070D1AUMA3
товару немає в наявності
IGLD60R190D1Infineon TechnologiesMOSFET GAN HV
товару немає в наявності
IGLD60R190D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 10A GaN 8-Pin LSON EP T/R
товару немає в наявності
IGLD60R190D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 10A GaN 8-Pin LSON EP T/R
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+857.38 грн
10+ 816.77 грн
25+ 799.89 грн
100+ 718.8 грн
250+ 661.78 грн
500+ 631.37 грн
1000+ 627.69 грн
IGLD60R190D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 10A GaN 8-Pin LSON EP T/R
товару немає в наявності
IGLD60R190D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN N-CH 600V 10A LSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
товару немає в наявності
IGLD60R190D1AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD60R190D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-LSON-8-1, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.14ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: PG-LSON-8-1
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CollGaN-Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+644.09 грн
50+ 535.98 грн
100+ 457.22 грн
250+ 426.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
IGLD60R190D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 10A GaN 8-Pin LSON EP T/R
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+879.6 грн
25+ 861.42 грн
100+ 774.09 грн
250+ 712.69 грн
500+ 679.94 грн
1000+ 675.98 грн
Мінімальне замовлення: 14
IGLD60R190D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN N-CH 600V 10A LSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
товару немає в наявності
IGLD60R190D1AUMA1Infineon TechnologiesMOSFET GAN HV
товару немає в наявності
IGLD60R190D1AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD60R190D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-LSON-8-1, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: PG-LSON-8-1
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CollGaN-Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+888.51 грн
5+ 777.84 грн
10+ 644.09 грн
50+ 535.98 грн
100+ 457.22 грн
250+ 426.51 грн
IGLD60R190D1AUMA3INFINEONDescription: INFINEON - IGLD60R190D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.19 ohm, 3.2 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+427.53 грн
10+ 359.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGLD60R190D1AUMA3Infineon TechnologiesMOSFET HV GAN DISCRETES
на замовлення 2661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+515.02 грн
10+ 448.08 грн
25+ 322.92 грн
100+ 280.34 грн
250+ 223.56 грн
500+ 215.75 грн
3000+ 186.65 грн
IGLD60R190D1AUMA3Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
на замовлення 2234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+412.27 грн
10+ 333.71 грн
100+ 269.94 грн
500+ 225.19 грн
1000+ 192.82 грн
IGLD60R190D1AUMA3Infineon TechnologiesSP005557217
товару немає в наявності
IGLD60R190D1AUMA3INFINEONDescription: INFINEON - IGLD60R190D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.19 ohm, 3.2 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.19ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+359.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
IGLD60R190D1AUMA3Infineon TechnologiesIGLD60R190D1AUMA3
товару немає в наявності
IGLD60R190D1AUMA3Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
товару немає в наявності
IGLD60R190D1SAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET HV GAN DISCRETES
товару немає в наявності
IGLD60R190D1SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV PG-LSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
товару немає в наявності
IGLD60R190D1SAUMA1Infineon TechnologiesSP005562629
товару немає в наявності
IGLD60R190D1SAUMA1Infineon TechnologiesIGLD60R190D1SAUMA1
товару немає в наявності
IGLD65R055D2AUMA1Infineon TechnologiesCool GaN Enhancement-mode Power Transistor
товару немає в наявності
IGLD65R080D2AUMA1Infineon TechnologiesCool GaN Enhancement-mode Power Transistor
товару немає в наявності
IGLR60R190D1E8238XUMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
IGLR60R190D1E8238XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-6
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
товару немає в наявності
IGLR60R190D1XUMA1Infineon TechnologiesMOSFET HV GAN DISCRETES
на замовлення 4718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+428.08 грн
10+ 354.22 грн
25+ 290.98 грн
100+ 249.82 грн
250+ 235.63 грн
500+ 221.43 грн
1000+ 190.2 грн
IGLR60R190D1XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR60R190D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.8 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+278.65 грн
500+ 237.31 грн
1000+ 181.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
IGLR60R190D1XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-6
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
товару немає в наявності
IGLR60R190D1XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR60R190D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.8 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+421.96 грн
10+ 343.94 грн
100+ 278.65 грн
500+ 237.31 грн
1000+ 181.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGLR60R190D1XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-6
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
на замовлення 4085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+393.84 грн
10+ 318.56 грн
100+ 257.67 грн
500+ 214.95 грн
1000+ 184.05 грн
2000+ 173.3 грн
IGLR60R190D1XUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 12.8A GaN 8-Pin TSON EP T/R
товару немає в наявності
IGLR60R260D1E8238XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Tc)
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 690µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-7
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 400 V
товару немає в наявності
IGLR60R260D1E8238XUMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
IGLR60R260D1XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR60R260D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10.4 A, 0.2 ohm, 1.5 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.5nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+346.33 грн
10+ 274.67 грн
100+ 222.13 грн
500+ 194.43 грн
1000+ 156.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGLR60R260D1XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Tc)
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 690µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-7
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 400 V
товару немає в наявності
IGLR60R260D1XUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs Y
на замовлення 4719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+395.78 грн
10+ 290.56 грн
25+ 251.95 грн
100+ 181.69 грн
500+ 151.17 грн
1000+ 149.75 грн
IGLR60R260D1XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR60R260D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10.4 A, 0.2 ohm, 1.5 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.5nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+222.13 грн
500+ 194.43 грн
1000+ 156.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
IGLR60R260D1XUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 10.4A GaN 8-Pin TSON EP T/R
товару немає в наявності
IGLR60R260D1XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Tc)
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 690µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-7
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 400 V
на замовлення 4962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+330.12 грн
10+ 266.96 грн
100+ 215.99 грн
500+ 180.18 грн
1000+ 154.28 грн
2000+ 145.27 грн
IGLR60R340D1XUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 8.2A GaN 8-Pin TSON EP T/R
товару немає в наявності
IGLR60R340D1XUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 8.2A GaN T/R
товару немає в наявності
IGLR60R340D1XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR60R340D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 8.2 A, 0.27 ohm, 1.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.2nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+322.44 грн
10+ 255.57 грн
100+ 207 грн
500+ 181.86 грн
1000+ 144.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGLR60R340D1XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-7
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87.7 pF @ 400 V
товару немає в наявності
IGLR60R340D1XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR60R340D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 8.2 A, 0.27 ohm, 1.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.2nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+207 грн
500+ 181.86 грн
1000+ 144.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
IGLR60R340D1XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-7
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87.7 pF @ 400 V
на замовлення 4914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+343.17 грн
10+ 277.68 грн
100+ 224.65 грн
500+ 187.4 грн
1000+ 160.46 грн
2000+ 151.09 грн
IGLR60R340D1XUMA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 4973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+373.43 грн
10+ 309.33 грн
25+ 253.37 грн
100+ 217.88 грн
250+ 205.11 грн
500+ 193.04 грн
1000+ 165.36 грн