Продукція > GD1

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
GD1000HFX170P2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD1000HFX170P2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1.604 kA, 1.95 V, 6.25 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95
Dauer-Kollektorstrom: 1.604
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95
Verlustleistung Pd: 6.25
Verlustleistung: 6.25
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 1.604
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
GD1000HFX170P2SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD1000HFX170P2S IGBT modules
товару немає в наявності
GD100FFX170C6SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD100FFX170C6S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 168 A, 1.85 V, 632 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 168A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 632W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 632W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 168A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7858.83 грн
10+ 6876.38 грн
GD100FFX170C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD100FFX170C6S IGBT modules
товару немає в наявності
GD100FFX65C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD100FFX65C5S IGBT modules
товару немає в наявності
GD100FFX65C5SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD100FFX65C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 130 A, 1.45 V, 331 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 130A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 331W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 331W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 130A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4460.05 грн
5+ 4370.88 грн
10+ 4281.72 грн
GD100FFY120C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Pulsed collector current: 200A
Collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Case: C5 45mm
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
товару немає в наявності
GD100FFY120C5SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD100FFY120C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 157 A, 1.7 V, 512 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 157
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 512
Verlustleistung: 512
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
DC-Kollektorstrom: 157
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
GD100FFY120C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Pulsed collector current: 200A
Collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Case: C5 45mm
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
кількість в упаковці: 12 шт
товару немає в наявності
GD100FFY120C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Pulsed collector current: 200A
Collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Case: C6 62mm
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
GD100FFY120C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Pulsed collector current: 200A
Collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Case: C6 62mm
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
товару немає в наявності
GD100FFY120C6SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD100FFY120C6S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 155 A, 1.7 V, 511 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 155A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 511W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 511W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 155A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8593.68 грн
10+ 8488.59 грн
GD100HFU120C1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD100HFU120C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 3.1 V, 1.136 kW, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1
Verlustleistung Pd: 1.136
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 200
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
GD100HFU120C1S
Код товару: 67457		Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
GD100HFU120C2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD100HFU120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 3.1 V, 1.136 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V
Dauer-Kollektorstrom: 200A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V
Verlustleistung Pd: 1.136kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.136kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 200A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4460.05 грн
5+ 4173.44 грн
10+ 3913.89 грн
50+ 3609.19 грн
GD100HFU120C2S
Код товару: 73798		Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
GD100HFU120C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Pulsed collector current: 200A
Collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: C2 62mm
товару немає в наявності
GD100HFU120C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Pulsed collector current: 200A
Collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: C2 62mm
кількість в упаковці: 12 шт
товару немає в наявності
GD100HFU120C8SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Pulsed collector current: 200A
Collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: C8 48mm
товару немає в наявності
GD100HFU120C8SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Pulsed collector current: 200A
Collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: C8 48mm
кількість в упаковці: 16 шт
товару немає в наявності
GD100HFU120C8SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD100HFU120C8S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 154 A, 2.9 V, 791 W, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
Dauer-Kollektorstrom: 154A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.9V
Verlustleistung Pd: 791W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 791W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 154A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3911.5 грн
5+ 3774.57 грн
10+ 3512.63 грн
GD100HFX170C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD100HFX170C1S IGBT modules
товару немає в наявності
GD100HFX170C1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD100HFX170C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 168 A, 1.85 V, 632 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 168A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 632W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 632W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 168A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4519.77 грн
5+ 4294.45 грн
10+ 3978.38 грн
GD100HFX65C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD100HFX65C1S IGBT modules
товару немає в наявності
GD100HFX65C1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD100HFX65C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 127 A, 1.45 V, 319 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 127A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 319W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 127A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3106.59 грн
GD100HFY120C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Pulsed collector current: 200A
Collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Case: C1 34mm
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
кількість в упаковці: 24 шт
товару немає в наявності
GD100HFY120C1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD100HFY120C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 155 A, 2 V, 511 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Dauer-Kollektorstrom: 155A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 511W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 511W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 155A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3541.29 грн
5+ 3378.88 грн
10+ 3135.25 грн
GD100HFY120C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Pulsed collector current: 200A
Collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Case: C1 34mm
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
товару немає в наявності
GD100HHU120C6SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD100HHU120C6S - IGBT-Modul, H-Brücke, 160 A, 3.1 V, 638 W, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V
Dauer-Kollektorstrom: 160A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V
Verlustleistung Pd: 638W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 638W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: H-Brücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 160A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8638.27 грн
GD100HHU120C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Collector current: 100A
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Topology: H-bridge
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
товару немає в наявності
GD100HHU120C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Collector current: 100A
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Topology: H-bridge
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
GD100MLX65L3SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; L3.1; screw
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L3.1
Technology: Trench FS IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
кількість в упаковці: 16 шт
товару немає в наявності
GD100MLX65L3SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD100MLX65L3S - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 160 A, 1.45 V, 451 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 451W
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 160A
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4657.5 грн
5+ 4425.02 грн
10+ 4099.4 грн
GD100MLX65L3SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; L3.1; screw
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L3.1
Technology: Trench FS IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
товару немає в наявності
GD100PIX65C6SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD100PIX65C6S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 130 A, 1.45 V, 331 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 130A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 331W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 331W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 130A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8783.97 грн
GD100PIX65C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD100PIX65C6S IGBT modules
товару немає в наявності
GD100PIY120C6SNSTARPOWER SEMICONDUCTORGD100PIY120C6SN IGBT modules
товару немає в наявності
GD100PIY120C6SNSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD100PIY120C6SN - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 155 A, 1.7 V, 511 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 155
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 511
Verlustleistung: 511
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
DC-Kollektorstrom: 155
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7514.9 грн
5+ 7238.63 грн
GD100SGY120D6SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD100SGY120D6S IGBT modules
товару немає в наявності
GD100SGY120D6SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD100SGY120D6S - IGBT-Modul, 155 A, 1.7 V, 500 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 155
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 500
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: -
DC-Kollektorstrom: 155
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
GD101Box PartnersDescription: LOW TACK GLUE DOTS, LOW PROFILE,
Packaging: Box
Features: Clear
For Use With/Related Products: Multi-Purpose
Type: Adhesive
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7507.53 грн
GD103Glue DotsDescription: HIGH TACK GLUE DOTS, LOW PROFILE
Packaging: Box
Features: Clear
For Use With/Related Products: Multi-Purpose
Type: Adhesive
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7144.4 грн
GD1030221MAWKYOCERA AVX ComponentsMicro Wave Singlelayer Ceramic Capacitor
товару немає в наявності
GD1030221ZAWAVXMultilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 25V 220pF W/O BORDER .01pF Tol MAXI SGLYR
товару немає в наявності
GD1030301ZA6NKYOCERA AVXDescription: CAP CER
Packaging: Tray
Tolerance: -20%, +80%
Voltage - Rated: 25V
Package / Case: Nonstandard SMD
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.010" L x 0.010" W (0.25mm x 0.25mm)
Mounting Type: Surface Mount, SLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: RF, Microwave, High Frequency
Thickness (Max): 0.008" (0.20mm)
Part Status: Active
Capacitance: 300 pF
товару немає в наявності
GD1030301ZAWKYOCERA AVX ComponentsCap Ceramic Single 300pF 25V X7R 20% (0.254 X 0.254 X 0.165mm) Pad SMD 125°C Waffle
товару немає в наявності
GD103RDot ShotDescription: HIGH TACK GLUE DOTS, LOW PROFILE
Packaging: Box
Features: Clear
For Use With/Related Products: Multi-Purpose
Type: Adhesive
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3529.21 грн
GD103SRDot ShotDescription: HIGH TACK GLUE STITCH, LOW PROFI
Packaging: Box
Features: Clear
For Use With/Related Products: Multi-Purpose
Type: Adhesive
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3637.46 грн
GD10GS-SP1M-CATGBICSDescription: CABLE SFP+ TO SFP+ M-M 1M
на замовлення 5690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2065.93 грн
10+ 1890.28 грн
100+ 1790.45 грн
1000+ 1587.25 грн
GD10MPS12AGENESIC SEMICONDUCTORDescription: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12A - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 24 A, 32 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+289 грн
10+ 242.03 грн
100+ 222.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
GD10MPS12AGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 25A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 3664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+273.31 грн
10+ 231.84 грн
25+ 220.34 грн
100+ 191.55 грн
250+ 182.67 грн
500+ 175.69 грн
1000+ 166.57 грн
2500+ 158.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
GD10MPS12AGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
GD10MPS12AGeneSiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 16A; TO220-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 33A
Load current: 16A
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 64A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Max. forward voltage: 1.9V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+292.19 грн
4+ 218.09 грн
5+ 217.35 грн
11+ 205.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
GD10MPS12AGeneSiC Semiconductor1200V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GD10MPS12AGeneSiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 16A; TO220-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 33A
Load current: 16A
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 64A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Max. forward voltage: 1.9V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+350.63 грн
4+ 271.77 грн
5+ 260.82 грн
11+ 246.63 грн
100+ 237.75 грн
GD10MPS12AGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+299.74 грн
10+ 260.36 грн
25+ 215.04 грн
100+ 199.43 грн
250+ 189.49 грн
500+ 182.4 грн
1000+ 175.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
GD10MPS12EGeneSiC SEMICONDUCTORGD10MPS12E SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
GD10MPS12EGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 29A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 9912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.04 грн
10+ 212.91 грн
25+ 202.09 грн
100+ 175.69 грн
250+ 166.81 грн
500+ 160.47 грн
1000+ 152.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
GD10MPS12EGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 3822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+275.72 грн
10+ 239.14 грн
25+ 197.3 грн
100+ 183.11 грн
250+ 173.88 грн
500+ 166.78 грн
1000+ 160.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
GD10MPS12EGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 29A TO252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+162.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
GD10MPS12EGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
GD10MPS12HGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+330.89 грн
10+ 282.48 грн
25+ 268.98 грн
100+ 235.31 грн
250+ 224.53 грн
500+ 216.28 грн
GD10MPS12HGeneSiC Semiconductor1200V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
GD10MPS12HGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+361.84 грн
10+ 316.67 грн
30+ 262.59 грн
120+ 244.14 грн
270+ 232.79 грн
510+ 224.98 грн
1020+ 216.46 грн
GD10MPS12HGeneSiC Semiconductor1200V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
GD10MPS12HGENESIC SEMICONDUCTORDescription: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 23 A, 32 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+386.93 грн
5+ 340.75 грн
10+ 294.58 грн
50+ 263.92 грн
100+ 234.75 грн
250+ 234.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
GD10MPS12HGeneSiC SEMICONDUCTORGD10MPS12H THT Schottky diodes
товару немає в наявності
GD10MPS17HGeneSiC SEMICONDUCTORGD10MPS17H THT Schottky diodes
на замовлення 602 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+839.78 грн
3+ 507.45 грн
6+ 479.94 грн
GD10MPS17HGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1.7KV 26A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 721pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 26A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+578.86 грн
10+ 498.35 грн
25+ 476.48 грн
100+ 417.7 грн
250+ 399.76 грн
500+ 386.31 грн
GD10MPS17HGeneSiC Semiconductor1700V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
GD10MPS17HGeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 1700V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 7350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+673.16 грн
10+ 568.06 грн
30+ 461.31 грн
120+ 454.22 грн
GD10PJX65F1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: F1.1
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 10A
Max. off-state voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1725.27 грн
2+ 1514.8 грн
GD10PJX65F1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: F1.1
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 10A
Max. off-state voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2070.32 грн
2+ 1887.67 грн
GD10PJX65F1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD10PJX65F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.45 V, 79 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 79W
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 20A
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2253.91 грн
5+ 2141.65 грн
10+ 1984.02 грн
GD10PJX65L2SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD10PJX65L2S IGBT modules
товару немає в наявності
GD10PJX65L2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD10PJX65L2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.45 V, 95 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 95W
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 20A
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1831.15 грн
5+ 1739.6 грн
10+ 1612.21 грн
GD10PJY120F1SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD10PJY120F1S IGBT modules
товару немає в наявності
GD10PJY120F1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD10PJY120F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.65 V, 91 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 91W
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 20A
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2274.61 грн
5+ 2161.56 грн
10+ 2002.33 грн
GD10PJY120F4SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD10PJY120F4S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.7 V, 91 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 91W
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 20A
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2429.86 грн
5+ 2308.05 грн
10+ 2138.47 грн
GD10PJY120F4SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD10PJY120F4S IGBT modules
товару немає в наявності
GD10PJY120L2SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD10PJY120L2S IGBT modules
товару немає в наявності
GD10PJY120L2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD10PJY120L2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.7 V, 133 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 133W
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 20A
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2062.83 грн
5+ 1959.33 грн
10+ 1815.23 грн
GD10V_10AT-0001VicorModular Power Supplies GD10V10AT10V10AT P
товару немає в наявності
GD10V_5A-10V_5AVicor CorporationDescription: GD10V/5A-10V/5A CONVERTERPAC R
товару немає в наявності
GD10V_5A-10V_5AVicorModular Power Supplies GD10V5A10V5A pac R
товару немає в наявності
GD1200HFY120C3SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1200A
Pulsed collector current: 2.4kA
Collector current: 1.2kA
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Case: C3 130mm
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
GD1200HFY120C3SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD1200HFY120C3S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 2.23 kA, 1.7 V, 8.196 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 2.23kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 8.196kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8.196kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 2.23kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+28768.22 грн
5+ 25717.36 грн
GD1200HFY120C3SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1200A
Pulsed collector current: 2.4kA
Collector current: 1.2kA
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Case: C3 130mm
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
товару немає в наявності
GD1200SGX170C3SNSTARPOWER SEMICONDUCTORGD1200SGX170C3SN IGBT modules
товару немає в наявності
GD1200SGX170C3SNSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD1200SGX170C3SN - IGBT-Modul, Einfach, 1.2 kA, 1.85 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 1.2kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+25603.51 грн
5+ 22914.1 грн
GD1250-1Comet America, LPDescription: GD1250 THERMOCOUPLE "K" WIRE
Packaging: Bulk
Temperature Range: -65°C ~ 980°C
Terminal Type: Connector
Length - Lead Wire: 3.281' (1m)
Element Type: K - Type
Conductor Type: Non-Grounded
Part Status: Active
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4913.41 грн
10+ 4213.93 грн
20+ 3844.29 грн
GD1250-1/0Comet America, LPDescription: GD1250 THERMOCOUPLE "K" WIRE
Packaging: Bulk
Temperature Range: -65°C ~ 980°C
Terminal Type: Exposed Lead Wires
Length - Lead Wire: 3.281' (1m)
Element Type: K - Type
Conductor Type: Non-Grounded
Part Status: Active
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4299.23 грн
10+ 3696.43 грн
20+ 3548.57 грн
GD12V_4A2AT-0V_0AVicorModular Power Supplies GD12V4.2AT0V0A Ro
товару немає в наявності
GD12V_4A2AT-0V_0AVicor CorporationDescription: GD12V/4.2AT-0V/0A DUALPAC ROHS
товару немає в наявності
GD12V_8A3A-000001VicorModular Power Supplies GD12V8.3A28V3.6A
товару немає в наявності
GD12V_8A3ATV2-001VicorModular Power Supplies GD12V8.3A24V4.2ATV1
товару немає в наявності
GD1400HFX170P2SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD1400HFX170P2S IGBT modules
товару немає в наявності
GD1400HFX170P2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD1400HFX170P2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 2.342 kA, 1.95 V, 9.37 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
Dauer-Kollektorstrom: 2.342kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: 9.37kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.37kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 2.342kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+46991.39 грн
GD1400HFY120P2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Pulsed collector current: 2.8kA
Collector current: 1.4kA
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Case: P2.0
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
товару немає в наявності
GD1400HFY120P2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Pulsed collector current: 2.8kA
Collector current: 1.4kA
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Case: P2.0
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
кількість в упаковці: 8 шт
товару немає в наявності
GD14LS00GS00+ DIP-14
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD150FFX65C6SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD150FFX65C6S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 181 A, 1.45 V, 442 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 181A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 442W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 442W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 181A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7332.58 грн
5+ 7075.42 грн
GD150FFX65C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
GD150FFX65C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
товару немає в наявності
GD150FFY120C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Pulsed collector current: 300A
Collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Case: C6 62mm
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
товару немає в наявності
GD150FFY120C6SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD150FFY120C6S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 224 A, 1.7 V, 714 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 224A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 714W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 224A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11104.75 грн
5+ 10575.31 грн
GD150FFY120C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Pulsed collector current: 300A
Collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Case: C6 62mm
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
GD150HFU120C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Pulsed collector current: 300A
Collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: C2 62mm
товару немає в наявності
GD150HFU120C2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD150HFU120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 280 A, 3.1 V, 1.147 kW, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V
Dauer-Kollektorstrom: 280A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V
Verlustleistung Pd: 1.147kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.147kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 280A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3776.95 грн
GD150HFU120C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Pulsed collector current: 300A
Collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: C2 62mm
кількість в упаковці: 12 шт
товару немає в наявності
GD150HFX170C2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD150HFX170C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 280 A, 1.85 V, 1.127 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85
Dauer-Kollektorstrom: 280
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85
Verlustleistung Pd: 1.127
Verlustleistung: 1.127
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 280
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7013.32 грн
5+ 6882.75 грн
10+ 6561.9 грн
GD150HFX170C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD150HFX170C2S IGBT modules
товару немає в наявності
GD150HFX65C1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD150HFX65C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 180 A, 1.45 V, 437 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 180A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 437W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 437W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 180A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3796.06 грн
5+ 3622.5 грн
10+ 3360.57 грн
GD150HFX65C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD150HFX65C1S IGBT modules
товару немає в наявності
GD150HFY120C1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD150HFY120C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 230 A, 2 V, 746 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Dauer-Kollektorstrom: 230A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 746W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 746W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 230A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4474.38 грн
5+ 4268.98 грн
GD150HFY120C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Pulsed collector current: 300A
Collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Case: C1 34mm
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
кількість в упаковці: 24 шт
товару немає в наявності
GD150HFY120C1S
Код товару: 204060		Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
GD150HFY120C1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Pulsed collector current: 300A
Collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Case: C1 34mm
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
товару немає в наявності
GD150HFY120C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Pulsed collector current: 300A
Collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Case: C2 62mm
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
товару немає в наявності
GD150HFY120C2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD150HFY120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 291 A, 1.7 V, 1.102 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 291A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 1.102kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.102kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 291A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5909.85 грн
GD150HFY120C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Pulsed collector current: 300A
Collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Case: C2 62mm
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
кількість в упаковці: 60 шт
товару немає в наявності
GD150HFY120C8SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD150HFY120C8S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 291 A, 1.7 V, 1.102 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 291A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 1.102kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.102kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 291A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5347.77 грн
5+ 5081.05 грн
10+ 4707.66 грн
50+ 4301.16 грн
GD150HFY120C8SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Pulsed collector current: 300A
Collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Case: C8 48mm
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
кількість в упаковці: 16 шт
товару немає в наявності
GD150HFY120C8SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Pulsed collector current: 300A
Collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Case: C8 48mm
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
товару немає в наявності
GD150HHU120C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Collector current: 150A
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Topology: H-bridge
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
товару немає в наявності
GD150HHU120C6SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD150HHU120C6S - IGBT-Modul, H-Brücke, 230 A, 2.9 V, 1.179 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
Dauer-Kollektorstrom: 230A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.9V
Verlustleistung Pd: 1.179kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.179kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: H-Brücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 230A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10514.8 грн
5+ 9822.95 грн
GD150HHU120C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Collector current: 150A
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Topology: H-bridge
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
GD150MLX65L3SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD150MLX65L3S - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 223 A, 1.45 V, 600 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 223A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5518.14 грн
5+ 5242.67 грн
GD150MLX65L3SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 150A; L3.1; screw
Case: L3.1
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
кількість в упаковці: 16 шт
товару немає в наявності
GD150MLX65L3SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 150A; L3.1; screw
Case: L3.1
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
товару немає в наявності
GD150P1200module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD150PIY120C6SNSTARPOWER SEMICONDUCTORGD150PIY120C6SN IGBT modules
товару немає в наявності
GD150R1200CDH4-4
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD150UR
на замовлення 5673 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD1530331ZA6NKYOCERA AVXDescription: CAP CER
Packaging: Tray
Tolerance: -20%, +80%
Voltage - Rated: 25V
Package / Case: Nonstandard SMD
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.015" L x 0.015" W (0.38mm x 0.38mm)
Mounting Type: Surface Mount, SLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: RF, Microwave, High Frequency
Thickness (Max): 0.008" (0.20mm)
Part Status: Active
Capacitance: 330 pF
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+278.91 грн
Мінімальне замовлення: 400
GD1530471MA6NKYOCERA AVXDescription: MICRO-W SLC
Tolerance: ±20%
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 25V
Package / Case: Nonstandard SMD
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.015" L x 0.015" W (0.38mm x 0.38mm)
Mounting Type: Surface Mount, SLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.007" (0.18mm)
Capacitance: 470 pF
товару немає в наявності
GD1530471ZA6NKYOCERA AVXDescription: MICRO-W SLC
Tolerance: -20%, +80%
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 25V
Package / Case: Nonstandard SMD
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.015" L x 0.015" W (0.38mm x 0.38mm)
Mounting Type: Surface Mount, SLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.007" (0.18mm)
Capacitance: 470 pF
товару немає в наявності
GD15MPS17HGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1.7KV 36A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1082pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 36A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+789.22 грн
10+ 685.39 грн
25+ 658.08 грн
100+ 580.43 грн
250+ 556.73 грн
500+ 540.07 грн
1000+ 514.83 грн
GD15MPS17HGeneSiC SEMICONDUCTORGD15MPS17H THT Schottky diodes
на замовлення 519 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1242.96 грн
2+ 861.42 грн
4+ 814.4 грн
GD15PJX65F1SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD15PJX65F1S IGBT modules
товару немає в наявності
GD15PJX65F1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD15PJX65F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.45 V, 95 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 95W
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 20A
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2485.59 грн
5+ 2361.39 грн
10+ 2187.83 грн
GD15PJX65L2SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD15PJX65L2S IGBT modules
товару немає в наявності
GD15PJX65L2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD15PJX65L2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 30 A, 1.45 V, 112 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 30A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 112W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1171.14 грн
5+ 1170.35 грн
10+ 1169.55 грн
GD15PJY120F1SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD15PJY120F1S IGBT modules
товару немає в наявності
GD15PJY120F1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD15PJY120F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 30 A, 1.7 V, 118 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 30A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2518.23 грн
5+ 2352.63 грн
10+ 2186.24 грн
GD15PJY120F2SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD15PJY120F2S IGBT modules
товару немає в наявності
GD15PJY120F2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD15PJY120F2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 30 A, 1.7 V, 141 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 30A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 141W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3017.42 грн
5+ 2257.89 грн
10+ 2102.64 грн
20+ 1854.87 грн
GD15PJY120F4SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F4.1
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: F4.1
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Semiconductor structure: diode/transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
GD15PJY120F4SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD15PJY120F4S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 30 A, 1.7 V, 118 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 30A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2667.91 грн
5+ 2491.96 грн
10+ 2316.01 грн
GD15PJY120F4SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F4.1
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: F4.1
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Semiconductor structure: diode/transistor
товару немає в наявності
GD15PJY120F5SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD15PJY120F5S IGBT modules
товару немає в наявності
GD15PJY120F5SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD15PJY120F5S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 30 A, 1.7 V, 142 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 30A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3050.07 грн
5+ 2849.43 грн
10+ 2648.01 грн
GD15PJY120L2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L2.2
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1839.12 грн
2+ 1615.34 грн
3+ 1614.6 грн
GD15PJY120L2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L2.2
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Collector current: 15A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2206.94 грн
2+ 2012.96 грн
3+ 1937.52 грн
GD15PJY120L2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD15PJY120L2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 30 A, 1.7 V, 173 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 30A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 173W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2324.77 грн
5+ 2171.11 грн
10+ 2018.25 грн
GD15V_5A-15V_5AVicorModular Power Supplies GD15V5A15V5A PAC
товару немає в наявності
GD15V_6A7A-000001VicorModular Power Supplies GD15V6.7A15V6.7A p
товару немає в наявності
GD1600SGX170C3SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD1600SGX170C3S IGBT modules
товару немає в наявності
GD1600SGX170C3SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD1600SGX170C3S - IGBT-Modul, Einfach, 1.6 kA, 1.85 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 1.6kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 1.6kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+29761.03 грн
5+ 26634.53 грн
GD16043A-40ABGIGA01+ QFP
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16043A-40ABGIGA01+
на замовлення 395 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16054AGIGA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16054A-40ABGIGA01+ QFP
на замовлення 403 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16054A-40ABGIGA01+
на замовлення 403 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16065INTEL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16065GIGAPLCC 06+
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16066GIGA01+ TO3P
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16131-GLPGIGAQFP 02+
на замовлення 403 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16131-GLPGIGA02+ QFP
на замовлення 403 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16132-GLPGIGA01+ QFP
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16132-GLPGIGA01+
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16192PLCC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16192-A01INTELPLCC28
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16333GIGAQFP-100
на замовлення 163 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16333GIGA0013
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16334GIGAQFP-100
на замовлення 904 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16334GIGA0015+
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16361AGIGAO1
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16361A-28BAGIGA01+ SSOP28
на замовлення 625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16361A-28BAGIGASSOP28 01+
на замовлення 625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16362A-28BAGIGA0027+ SSOP28
на замовлення 524 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16362A-28BAGIGASSOP28 0027+
на замовлення 524 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16367BGIGA
на замовлення 646 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16368BGIGA
на замовлення 637 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16519GIGAQFP-100
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16523GIGA
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16523GIGAQFP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16523INTELQFP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16523GIGA01+
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16523GIGATQFP
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16523-100BAGIGA04+ QFP
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16523-100BAGIGAQFP 0607+
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16524GIGATQFP
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16524INTELQFP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16524GIGA
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16524GIGAQFP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16524GIGQ07+ QFP-108
на замовлення 173 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16524GIGAO109
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16524-100BAGIGAQFP 0601+
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16524-100BAGIGA0601+ QFP
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16544-68AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16553GIGA
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16556GIGA
на замовлення 775 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16556GIGAQFP-100
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16556/ECLGIGAQFP-100
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16556A100BAECL
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16557GIGAQFP-100
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16557GIGA
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16561GIGA
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16571GIGAQFP-32
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16571GDGA
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16573
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16575AQFP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16584-132EAGIGA01+
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16584-EBG1AMCCBGA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16584132EAGIGA
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16585GIGA
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16588-FBBGA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16589GIGA
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16590GIGA
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16590-48BAGIGA08+ BGA
на замовлення 460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16591AQFP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16591A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16591AQFP
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16591A-48BAGIGA0321+ QFP
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16592A
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16952A08+ BGA
на замовлення 625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD16952A
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD18/GV18/73/120PEPPERL+FUCHSGD18/GV18/73/120 Standard Photoelectric Sensors
товару немає в наявності
GD1826BurndyCable Accessories Grounding Connector Copper Alloy
товару немає в наявності
GD18V5V_5A4A-00001VicorModular Power Supplies GD18.5V5.4A12V8.3Ae
товару немає в наявності
GD18V5V_5A4A-00001Vicor CorporationDescription: DC/DC CONVERTER 18.5V 12V
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
GD18V_5A4A-00001VicorModular Power Supplies GD18V5.4A12V8.3A p
товару немає в наявності
GD18V_5A4A-00001Vicor CorporationDescription: DC/DC CONVERTER 18V 12V
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
GD18V_5A4A-00002Vicor CorporationDescription: DC/DC CONVERTER 18V
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
GD18V_5A4A-00002VicorModular Power Supplies GD18V5.4A18V5.4A p
товару немає в наявності
GD190UB
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD1926BurndyCable Accessories Grounding Connector Copper Alloy
товару немає в наявності
GD1X75-ST-O/BCheckers Industrial ProductsDescription: 1 CH GUARD DOG, LOW PROFILE
Packaging: Box
Color: Orange Lid/Black Base
Type: Cable Protector
Part Status: Active
Construction: Urethane
Height (Inches): 1.25
Length (Inches): 36
Width (Inches): 10.81
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11607.92 грн