Продукція > FJP
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FJP.0B.307.YLAD52Z | LEMO | Description: CONN INLINE PLUG 7PIN SLD CUP Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP.0B.307.YLAD52Z | LEMO | Circular Push Pull Connectors 7P R/A PLUG SOLDER CABLE COLLET 5.2MM | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP10K-0118A | Favor Electronics | Description: POTENTIOMETER JOYSTICK 3D 10K Packaging: Bulk Power (Watts): 12500W Adjustment Type: Top Adjustment Size / Dimension: Square - 0.730" L x 0.840" W x 0.800" H (18.50mm x 21.35mm x 20.20mm) Mounting Type: Through Hole Axis: 1 Rotation Angle: 45° Part Status: Active Resistance: 10 kOhms | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP10K-9B10K8-D0 | Polyshine Electronics Co., Ltd. | FJP10K-9B10K8-D0 | на замовлення 7821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP13005H2 | FSC | на замовлення 78500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
FJP13007 | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 8A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 80 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP13007 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN/8A/400V TO-220 | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP13007 | на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
FJP13007H1 | FAIRCHIL | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
FJP13007H1 | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 8A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 80 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP13007H1 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT 700V/400V/8A/NPN | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP13007H1/2 | FAIRCHILD | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
FJP13007H1TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP13007H1TU | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 8A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 80 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP13007H1TU | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor | на замовлення 1821 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
FJP13007H1TU-F080 | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 8A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 80 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP13007H1TU-F080 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT HV FAST-SWITCHING NPN PWR TRANSISTOR | на замовлення 1163 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP13007H1TU-F080 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP13007H1TU-F080 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP13007H1TU-F080 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP13007H2 | FSC | на замовлення 78500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
FJP13007H2 | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 8A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 26 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 80 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP13007H2 | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT 700V/400V/8A/NPN | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP13007H2 | FSC | SMD 08+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
FJP13007H2H1 | на замовлення 98500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
FJP13007H2TU | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 5...60 Collector current: 8A Type of transistor: NPN Power dissipation: 80W Polarisation: bipolar Mounting: THT Case: TO220AB кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 127 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP13007H2TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP13007H2TU | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 8A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 26 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 80 W | на замовлення 1788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP13007H2TU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor | на замовлення 344 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP13007H2TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP13007H2TU | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJP13007H2TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 26hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: FJP13007 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 4MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 93 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP13007H2TU | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 5...60 Collector current: 8A Type of transistor: NPN Power dissipation: 80W Polarisation: bipolar Mounting: THT Case: TO220AB | на замовлення 127 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP13007H2TU-F080 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP13007H2TU-F080 | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 8A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 80 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP13007H2TU-F080 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT HV FAST-SWITCHING NPN PWR TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP13007TU | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 8A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 80 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP13007TU | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor | на замовлення 2740 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
FJP13007TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP13007TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP13009 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP13009 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bulk | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP13009 | на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
FJP13009 | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 12A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP13009H1 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
FJP13009H2 | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 12A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP13009H2 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT 700V/400V/12A/NPN | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP13009H2 | FAIRCHILD | 09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
FJP13009H2TU | ON-Semicoductor | NPN 12A 400V 2W 4MHz FJP13009 TMJE13009 fai кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP13009H2TU | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJP13009H2TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 12 A, 100 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 12A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 4MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3501 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP13009H2TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP13009H2TU | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 12A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 100 W | на замовлення 1919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP13009H2TU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor | на замовлення 1493 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP13009H2TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP13009H2TU | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 100W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 100W Polarisation: bipolar Case: TO220AB Frequency: 4MHz Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 15...28 Collector current: 12A Type of transistor: NPN кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 32 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP13009H2TU | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 100W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 100W Polarisation: bipolar Case: TO220AB Frequency: 4MHz Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 15...28 Collector current: 12A Type of transistor: NPN | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP13009H2TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP13009H2TU | ON-Semicoductor | NPN 12A 400V 2W 4MHz FJP13009 TMJE13009 fai кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 120 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP13009H2TU Код товару: 125281 | Fairchild | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-220 fT: 4 MHz Uceo,V: 400 V Ucbo,V: 700 V Ic,A: 12 А Монтаж: THT | у наявності 209 шт: 175 шт - склад18 шт - РАДІОМАГ-Київ 16 шт - РАДІОМАГ-Львів |
| ||||||||||||||||
FJP13009H2TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP13009H2TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP13009TU | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 100W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 100W Polarisation: bipolar Case: TO220AB Frequency: 4MHz Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 15...28 Collector current: 12A Type of transistor: NPN | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP13009TU | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 100W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 100W Polarisation: bipolar Case: TO220AB Frequency: 4MHz Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 15...28 Collector current: 12A Type of transistor: NPN кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP13009TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP13009TU | Fairchild Semiconductor | Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 12A, 4 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP13009TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP13009TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP13009TU | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 12A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 100 W | на замовлення 518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP13009TU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor | на замовлення 1471 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP13009TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP1943 | onsemi | onsemi PNP/15A/230V TO-220 80W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP1943OTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP -250V -17A 80W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP1943OTU | onsemi | Description: TRANS PNP 230V 15A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 80 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP1943OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 230V 15A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP1943RTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 230V 15A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP1943RTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 230V 15A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP1943RTU | Fairchild Semiconductor | Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 17A, 2 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 80 W | на замовлення 488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP1943RTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 230V 15A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP1943RTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP -250V -17A 80W Silicon | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP1943RTU | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJP1943RTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 230 V, 15 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 55hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 55hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 15A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 2455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP1943RTU | ONSEMI | FJP1943RTU PNP THT transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP2145 | onsemi | onsemi NPN ESBC/8A/800V TO-220 | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP2145TU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 800V 5A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 5V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 120 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP2145TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 800V 5A 120000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP2145TU | onsemi | Description: TRANS NPN 800V 5A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 5V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 120 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP2145TU | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN ESBC/8A/800V TO-220 | на замовлення 984 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
FJP2160DTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 800V 2A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP2160DTU Код товару: 87278 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||||
FJP2160DTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 800V 2A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP2160DTU | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJP2160DTU - POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 2A, NPN tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP2160DTU | onsemi | Description: TRANS NPN 800V 2A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 330mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 3V Frequency - Transition: 5MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 100 W | на замовлення 43000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP2160DTU | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN/1600V/3A | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
FJP2160DTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 800V 2A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP2160DTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 800V 2A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP2160DTU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 800V 2A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 330mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 3V Frequency - Transition: 5MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP3305 | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trans | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP3305 | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN 400V 4A TO-220 | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP3305H1 | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN 400V 4A TO-220 | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP3305H1 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
FJP3305H1TU | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: bipolar Power dissipation: 75W Case: TO220AB Frequency: 4MHz Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 8...40 Collector current: 4A Type of transistor: NPN кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP3305H1TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 4A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP3305H1TU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN 7 0V/4A | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP3305H1TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 4A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP3305H1TU | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 4A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 75 W | на замовлення 172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP3305H1TU | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: bipolar Power dissipation: 75W Case: TO220AB Frequency: 4MHz Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 8...40 Collector current: 4A Type of transistor: NPN | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP3305H1TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 4A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP3305H2 | FSC | SMD 08+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
FJP3305H2 | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN 400V 4A TO-220 | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP3305H2 | FAIRCHILD | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
FJP3305H2TU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trans | на замовлення 407 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP3305H2TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 4A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP3305H2TU | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB Mounting: THT Case: TO220AB Kind of package: tube Power dissipation: 75W Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Current gain: 8...40 Frequency: 4MHz Collector current: 4A Collector-emitter voltage: 400V | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP3305H2TU | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 4A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 26 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 75 W | на замовлення 257000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP3305H2TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 4A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP3305H2TU | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 4A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 26 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 75 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP3305TU | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN 400V 4A TO-220 | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP3305TU | Rochester Electronics, LLC | Description: TRANS NPN 400V 4A TO220-3 | на замовлення 9025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
FJP3307D | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT HI-VLTG FAST SWITCH NPN POWER TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP3307DH1TU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 400V 8A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 80 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP3307DH2 | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT HI-VLTG FAST SWITCH NPN POWER TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP3307DH2TU | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 8A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 26 @ 2A, 5V Supplier Device Package: TO-220-3 Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 80 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP3307DH2TU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 400V 8A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 26 @ 2A, 5V Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 80 W | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP3307DH2TU | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT HI-VLTG FAST SWITCH NPN POWER TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP3307DTU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 400V 8A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 80 W | на замовлення 15094 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP3307DTU | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT HI-VLTG FAST SWITCH NPN POWER TRANSISTOR | на замовлення 1210 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
FJP3307DTU | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 8A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V Supplier Device Package: TO-220-3 Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 80 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP3835TU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 120V 8A TO-220 | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP5021 | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 500V 5A TO-220 | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP5021O | onsemi | Description: TRANS NPN 500V 5A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 600mA, 5V Frequency - Transition: 18MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Power - Max: 50 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP5021OTU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 500V 5A TO-220 | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP5021OV | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 500V 5A TO-220 | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP5021OVTU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 500V 5A TO-220 | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP5021R | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 500V 5A TO-220 | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP5021RTU | onsemi | Description: TRANS NPN 500V 5A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 600mA, 5V Frequency - Transition: 18MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Power - Max: 50 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP5021RV | onsemi | Description: TRANS NPN 500V 5A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 600mA, 5V Frequency - Transition: 18MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Power - Max: 50 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP5021RVTU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 500V 5A TO-220 | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP5021Y | onsemi | Description: TRANS NPN 500V 5A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 600mA, 5V Frequency - Transition: 18MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Power - Max: 50 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP5027 | onsemi | onsemi NPN/3A/1100V TO-220 | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP5027 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
FJP5027-R | FAIRCHILD | 09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
FJP5027O | onsemi | Description: TRANS NPN 800V 3A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 5V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 50 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP5027OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 800V 3A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 71800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP5027OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 800V 3A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 60400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP5027OTU | onsemi | Description: TRANS NPN 800V 3A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 5V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 50 W | на замовлення 2820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP5027OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 800V 3A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP5027OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 800V 3A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 71800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP5027OTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN 1100V/3A | на замовлення 1588 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP5027OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 800V 3A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP5027OTU Код товару: 139997 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||||
FJP5027OTU | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 3A; 50W; TO220AB Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 800V Current gain: 20...40 Collector current: 3A Type of transistor: NPN Power dissipation: 50W Polarisation: bipolar Mounting: THT Case: TO220AB Frequency: 15MHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP5027OTU | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJP5027OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 3 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 15MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP5027OTU | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 3A; 50W; TO220AB Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 800V Current gain: 20...40 Collector current: 3A Type of transistor: NPN Power dissipation: 50W Polarisation: bipolar Mounting: THT Case: TO220AB Frequency: 15MHz кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP5027R | onsemi | Description: TRANS NPN 800V 3A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 200mA, 5V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 50 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP5027RHTU | onsemi | Description: TRANS NPN 800V 3A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 200mA, 5V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 50 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP5027RTU | onsemi | Description: TRANS NPN 800V 3A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 200mA, 5V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 50 W | на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP5027RTU | FAIRCHILD | 08+ | на замовлення 45000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
FJP5027RTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 800V 3A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP5027RTU | ON Semiconductor | на замовлення 9500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
FJP5027RTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT HIGH VOLTAGE & | на замовлення 868 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP5027RTU | FAIRCHILD | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
FJP5027RTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 800V 3A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP5027RTU | FSC | 09+ | на замовлення 5877 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
FJP5027TU | onsemi | Description: TRANS NPN 800V 3A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 200mA, 5V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 50 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP5200 | onsemi | NPN/15A/230V TO-220 80W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP5200OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 250V 17A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP5200OTU | onsemi | Description: TRANS NPN 250V 17A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 80 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP5200OTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Silicon | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP5200RTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN 230V 15A 80W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP5200RTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 250V 17A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP5200RTU | onsemi | Description: TRANS NPN 250V 17A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 80 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP5304D | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 400V 4A TO-220 | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP5304DTU | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 4A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 250mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 70 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP5304DTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 4A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP5304DTU | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 70W; TO220AB Collector current: 4A Type of transistor: NPN Power dissipation: 70W Polarisation: bipolar Kind of package: tube Mounting: THT Case: TO220AB Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 8...40 | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP5304DTU | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 70W; TO220AB Collector current: 4A Type of transistor: NPN Power dissipation: 70W Polarisation: bipolar Kind of package: tube Mounting: THT Case: TO220AB Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 8...40 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP5304DTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon | на замовлення 1966 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP5304DTU | FSC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
FJP5321TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 500V 5A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP5321TU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 500V 5A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 600mA, 5V Frequency - Transition: 14MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Power - Max: 100 W | на замовлення 5719 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP5355TU | onsemi | Description: TRANS NPN 440V 5A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 800mA, 2.5A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7 @ 2.5A, 2V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 440 V Power - Max: 50 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP5554 | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT HI-VLTG FAST SWITCH TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP5554 | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 400V 4A TO220-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP5554 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 4A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP5554 | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 4A TO220-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP5554TU | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 4A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 250µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 800mA, 3V Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 70 W | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP5554TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 4A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP5554TU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 400V 4A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 250µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 800mA, 3V Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 70 W | на замовлення 7651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP5554TU | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN 40V/5A | на замовлення 584 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
FJP5555ATU | Fairchild Semiconductor | Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 10676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP5555ATU | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJP5555ATU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 10676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP5555ATU | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | на замовлення 1997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
FJP5555ATU | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP5555STU | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJP5555STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 8888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP5555STU | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
FJP5555STU | ON Semiconductor | FJP5555STU^FAIRCHILD | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP5555STU | Fairchild Semiconductor | Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 8888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP5555TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP5555TU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 400V 5A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 800mA, 3V Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 75 W | на замовлення 3053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP5555TU | FAIRCHILD | 07+ | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
FJP5555TU | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJP5555TU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 7090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP5555TU | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 5A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 800mA, 3V Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 75 W | на замовлення 1965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP5555TU | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJP5555TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 5 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage hazardous: false Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP5555TU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon | на замовлення 405 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJP5555TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP555TU | FAIRCHILD | 07+ 220 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
FJP9100TU | onsemi / Fairchild | Darlington Transistors NPN Si Transistor Darlington | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP9100TU | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 275V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP9100TU | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 275V 4A TO220-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJP9100TU_NL | onsemi / Fairchild | Darlington Transistors NPN Silicon Darlington Transistor | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF13007 | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 8A TO220F-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 40 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF13007H1 | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 8A TO220F-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 40 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF13007H1TTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 8A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF13007H1TTU | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 8A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 40 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF13007H1TTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 8A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF13007H1TTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 8A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF13007H1TTU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 400V 8A TO220F-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 40 W | на замовлення 74868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJPF13007H1TTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT 700V 400V 8A NPN | на замовлення 64 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJPF13007H1TTU | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 8A TO220F-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 40 W | на замовлення 28381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJPF13007H1TU | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 8A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 40 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF13007H2 | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 8A TO220F-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 26 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 40 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF13007H2TTU | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 8A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 26 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 40 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF13007H2TU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJPF13007H2TU | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 40W; TO220FP Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 8...60 Collector current: 8A Type of transistor: NPN Power dissipation: 40W Polarisation: bipolar Mounting: THT Case: TO220FP Frequency: 4MHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF13007H2TU | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 40W; TO220FP Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 8...60 Collector current: 8A Type of transistor: NPN Power dissipation: 40W Polarisation: bipolar Mounting: THT Case: TO220FP Frequency: 4MHz кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF13007H2TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 8A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF13007H2TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 8A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF13007H2TU | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJPF13007H2TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 8 A, 40 W, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 26hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FJPF13007 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 4MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJPF13007H2TU | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 8A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 26 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 40 W | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJPF13007TTU | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 8A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 40 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF13007TU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 400V 8A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 40 W | на замовлення 935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJPF13007TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 8A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF13007TU | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 8A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 40 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF13009 | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN/12A/400V TO-220F | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF13009H1TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 12A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF13009H1TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 12A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF13009H1TU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN 400V 12A | на замовлення 632 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJPF13009H1TU | Fairchild Semiconductor | Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 12A, 4 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 8A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming) Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 50 W | на замовлення 30476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJPF13009H1TU | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 50W; TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 50W Polarisation: bipolar Case: TO220FP Frequency: 4MHz Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 15...28 Collector current: 12A Type of transistor: NPN | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF13009H1TU | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 50W; TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 50W Polarisation: bipolar Case: TO220FP Frequency: 4MHz Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 15...28 Collector current: 12A Type of transistor: NPN кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF13009H1TU | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 12A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 8A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming) Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 50 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF13009H2TU | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 12A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 50 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF13009H2TU | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 50W; TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 50W Polarisation: bipolar Case: TO220FP Frequency: 4MHz Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 15...28 Collector current: 12A Type of transistor: NPN | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF13009H2TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 12A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJPF13009H2TU | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 50W; TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 50W Polarisation: bipolar Case: TO220FP Frequency: 4MHz Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 15...28 Collector current: 12A Type of transistor: NPN кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF13009H2TU | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 12A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 50 W | на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJPF13009H2TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 12A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF13009H2TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 12A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1062 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJPF13009H2TU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT 700V/400 /12A/NPN | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF13009TTU | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 12A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 50 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF13009TU | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
FJPF13009TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 12A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF13009TU | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 12A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 50 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF19430TU | Fairchild Semiconductor | Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 50 W | на замовлення 952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJPF1943OTU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 230V 15A TO-220F | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF1943OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 250V 17A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF1943RTU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 230V 15A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 50 W | на замовлення 621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJPF1943RTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 250V 17A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF2145 | onsemi | onsemi NPN ESBC/5A/800V TO-220F | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF2145TU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN ESBC/5A/800V TO-220F | на замовлення 473 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJPF2145TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 800V 5A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF2145TU | onsemi | Description: TRANS NPN 800V 5A TO220F-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 5V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 40 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF2145TU Код товару: 179521 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||||
FJPF2145TU | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJPF2145TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 5 A, 40 W, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: ESBC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 15MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJPF2145TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 800V 5A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 2170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJPF2145TU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 800V 5A TO220F-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 5V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 40 W | на замовлення 1117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJPF2145TU | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 5A; 40W; TO220FP Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 15MHz Collector-emitter voltage: 800V Current gain: 20...40 Collector current: 5A Type of transistor: NPN Power dissipation: 40W Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF2145TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 800V 5A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 3524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJPF2145TU | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 5A; 40W; TO220FP Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 15MHz Collector-emitter voltage: 800V Current gain: 20...40 Collector current: 5A Type of transistor: NPN Power dissipation: 40W Polarisation: bipolar | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF2145TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 800V 5A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF2145TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 800V 5A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF3305H1TU | FAIRCHILD | 06+ | на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
FJPF3305H1TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 4A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF3305H1TU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trans | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJPF3305H1TU | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 4A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 19 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 30 W | на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJPF3305H2TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 4A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF3305H2TU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN 7 0V/4A | на замовлення 844 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJPF3305H2TU | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 4A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 26 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 30 W | на замовлення 296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJPF3305TU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 400V 4A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 19 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 30 W | на замовлення 34153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJPF3305TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 4A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF5021O | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN 500V 5A TO-220F | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF5021OTU | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJPF5021OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 500 V, 5 A, 40 W, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 15MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJPF5021OTU | onsemi | Description: TRANS NPN 500V 5A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 600mA, 5V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Power - Max: 40 W | на замовлення 484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJPF5021OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 500V 5A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF5021OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 500V 5A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF5021OTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor | на замовлення 1088 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJPF5021OTU | ONSEMI | FJPF5021OTU NPN THT transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF5021OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 500V 5A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
FJPF5021R | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN 500V 5A TO-220F | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF5021RTSTU | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN 500V 5A TO-220F | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF5021RTU | onsemi | Description: TRANS NPN 500V 5A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 600mA, 5V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Power - Max: 40 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF5021Y | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN 500V 5A TO-220F | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF5021YTU | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN 500V 5A TO-220F | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF5027 | onsemi | onsemi NPN/3A/1100V TO-220F | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF5027-OTU | FAIRCHILD | 07+ | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
FJPF5027OTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trans | на замовлення 6356 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJPF5027OTU | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 3A; 40W; TO220FP Mounting: THT Frequency: 15MHz Collector-emitter voltage: 800V Current gain: 15...30 Collector current: 3A Type of transistor: NPN Power dissipation: 40W Polarisation: bipolar Kind of package: tube Case: TO220FP кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF5027OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 800V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF5027OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 800V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJPF5027OTU | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 3A; 40W; TO220FP Mounting: THT Frequency: 15MHz Collector-emitter voltage: 800V Current gain: 15...30 Collector current: 3A Type of transistor: NPN Power dissipation: 40W Polarisation: bipolar Kind of package: tube Case: TO220FP | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF5027OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 800V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF5027OTU | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJPF5027OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 3 A, 40 W, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FJPF5027 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 15MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJPF5027OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 800V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJPF5027OTU | onsemi | Description: TRANS NPN 800V 3A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 5V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 40 W | на замовлення 2302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJPF5027OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 800V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF5027RTU | onsemi | Description: TRANS NPN 800V 3A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 200mA, 5V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 40 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF5027RTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 800V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF5027RTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN 11 00V/3A | на замовлення 143 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJPF5027RTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 800V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF5027RYDTU | onsemi | Description: TRANS NPN 800V 3A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 200mA, 5V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 40 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF5027TU | onsemi | Description: TRANS NPN 800V 3A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 200mA, 5V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 40 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF5200OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 250V 17A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF5200OTU | onsemi | Description: TRANS NPN 250V 17A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 50 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF5200RTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 250V 17A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF5200RTU | onsemi | Description: TRANS NPN 250V 17A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 50 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF5304DTU | Fairchild Semiconductor | Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 133462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJPF5321TU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 500V 5A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 600mA, 5V Frequency - Transition: 14MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Power - Max: 40 W | на замовлення 1492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJPF5555TU | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN 400V 5A TO-220F | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF6806DTU | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN 750V 6A TO-220F | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF6806DTU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 750V 6A TO220F | на замовлення 102372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
FJPF9020TU | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 550V 2A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPF9020TU | ON Semiconductor | Description: TRANS PNP DARL 550V 2A TO-220F | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPKGU | Panduit Corp | Description: POLISHING PUCK | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPMR | Panduit | Chemicals PRIMER 50L | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPMR | Panduit Corp | Description: PRIMER Packaging: Bulk Type: Primer | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPXY | Panduit Corp | Description: ADHESIVE | товар відсутній | |||||||||||||||||
FJPXY | Panduit | Chemicals Adhesive (10mL) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|