Продукція > FJB
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FJB102 | onsemi | onsemi NPN DARL/3A/100V D2PAK | товар відсутній | |||||||||||||
FJB102TM | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||
FJB102TM | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||
FJB102TM | ONSEMI | Category: NPN SMD Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 80W; D2PAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Power dissipation: 80W Case: D2PAK Mounting: SMD | товар відсутній | |||||||||||||
FJB102TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJB102TM - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, TO-263AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 80W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-263AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
FJB102TM | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||
FJB102TM | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 100V 8A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 80 W | товар відсутній | |||||||||||||
FJB102TM | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||
FJB102TM | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||
FJB102TM | ONSEMI | Category: NPN SMD Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 80W; D2PAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Power dissipation: 80W Case: D2PAK Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||
FJB102TM | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||
FJB102TM Код товару: 171831 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||
FJB102TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJB102TM - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, TO-263AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8A usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 80W euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - HF-Transistor: TO-263AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
FJB102TM | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||
FJB102TM | onsemi / Fairchild | Darlington Transistors 100V Pwr Darl Xstr 0A NPN Tr. | на замовлення 6392 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
FJB102TM | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 100V 8A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 80 W | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
FJB3307DTM | ON Semiconductor / Fairchild | Darlington Transistors NPN 700V/8A Built-in Diode | на замовлення 1833 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||
FJB3307DTM | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 8A D2PAK | товар відсутній | |||||||||||||
FJB5555TM | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Transistor | на замовлення 1544 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||
FJB5555TM | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 5A D2PAK | товар відсутній | |||||||||||||
FJB5555TM | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 5A; 1.6W; D2PAK Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: D2PAK Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 10...40 Collector current: 5A Type of transistor: NPN Power dissipation: 1.6W Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||
FJB5555TM | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 5A; 1.6W; D2PAK Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: D2PAK Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 10...40 Collector current: 5A Type of transistor: NPN Power dissipation: 1.6W Polarisation: bipolar | товар відсутній | |||||||||||||
FJBE2150DTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 800V 2A 110000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товар відсутній | |||||||||||||
FJBE2150DTU | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT ESBC Rated NPN Silicon Transistor | на замовлення 1396 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||
FJBE2150DTU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 800V 2A D2-PAK-2L | на замовлення 485139000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |