Продукція > FJA
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FJA000003 | Diodes Inc | Oscillator 100MHz case 2520 LVCMOS | товар відсутній | |||||||||||||||
FJA000003 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - FJA000003 - Oszillator, 100MHz, SMD, 2.5mm x 2mm, 1.8V, FJA000003 tariffCode: 85416000 rohsCompliant: YES Nennfrequenz: 100MHz hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Frequenzstabilität + / -: -ppm usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Betriebstemperatur, min.: -20°C euEccn: NLR productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 70°C | на замовлення 2962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJA000003 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - FJA000003 - Oszillator, 100MHz, SMD, 2.5mm x 2mm, 1.8V, FJA000003 tariffCode: 85416000 rohsCompliant: YES Nennfrequenz: 100MHz hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Frequenzstabilität + / -: -ppm usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Betriebstemperatur, min.: -20°C euEccn: NLR productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 70°C | на замовлення 2962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJA13009 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
FJA13009 Код товару: 73578 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||
FJA13009 | onsemi | NPN/12A/700V TO-3P | товар відсутній | |||||||||||||||
FJA13009TU Код товару: 172327 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||
FJA13009TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 12A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
FJA13009TU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor | товар відсутній | |||||||||||||||
FJA13009TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 12A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
FJA13009TU | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 12A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 130 W | товар відсутній | |||||||||||||||
FJA13009TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 12A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
FJA13009TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 12A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
FJA13009TU_NL | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT 700V/400V/12A/NPN | товар відсутній | |||||||||||||||
FJA3835TU | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJA3835TU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJA3835TU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 120V 8A TO3P | на замовлення 1189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
FJA4210 | onsemi | onsemi PNP/15A/140V TO-3P | товар відсутній | |||||||||||||||
FJA4210OTU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 140V 10A TO3P Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||
FJA4210OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 93 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJA4210OTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial | товар відсутній | |||||||||||||||
FJA4210OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
FJA4210OTU | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJA4210OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 140 V, 10 A, 100 W, TO-3P, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 70 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10 Verlustleistung: 100 Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 30 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJA4210OTU | onsemi | Description: TRANS PNP 140V 10A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 100 W | на замовлення 442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJA4210RTU | onsemi | Description: TRANS PNP 140V 10A TO-3P | товар відсутній | |||||||||||||||
FJA4213 | onsemi | onsemi PNP/15A/250V TO-3P 130W | товар відсутній | |||||||||||||||
FJA4213OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
FJA4213OTU | Fairchild/ONS | Биполярный транзистор - TO-3P-3; PNP -15A; -230V; hFE(min) = 55, High-Fidelity Audio Output Amplifier (NPN = FJA4313OTU) | на замовлення 30 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJA4213OTU | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJA4213OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 17A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: FJA4213 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJA4213OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJA4213OTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil | на замовлення 179 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJA4213OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJA4213OTU | onsemi | Description: TRANS PNP 250V 17A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 130 W | товар відсутній | |||||||||||||||
FJA4213RTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Silicon Transistor | на замовлення 415 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJA4213RTU | onsemi | Description: TRANS PNP 250V 17A TO3P Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 130 W | на замовлення 1070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJA4213RTU | onsemi | Description: TRANS PNP 250V 17A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 130 W | товар відсутній | |||||||||||||||
FJA4213RTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
FJA4213RTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
FJA4310 | onsemi | onsemi NPN/12A/200V TO-3P 100W | товар відсутній | |||||||||||||||
FJA4310OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJA4310OTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial | товар відсутній | |||||||||||||||
FJA4310OTU | onsemi | Description: TRANS NPN 140V 10A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 100 W | товар відсутній | |||||||||||||||
FJA4310OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJA4310OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
FJA4310OTU | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJA4310OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 10 A, 100 W, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 100W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false Übergangsfrequenz: 30MHz rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 10A | на замовлення 162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJA4313 | onsemi | onsemi NPN/17A/250V TO-3P 130W | товар відсутній | |||||||||||||||
FJA4313OTU | onsemi | Description: TRANS NPN 250V 17A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 7A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 130 W | на замовлення 1996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJA4313OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
FJA4313OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
FJA4313OTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil | на замовлення 663 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJA4313OTU | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJA4313OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 17A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FJA4313 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJA4313OTU | Fairchild/ONS | Биполярный транзистор - TO-3P-3; NPN 15A; 230V; hFE(min) = 55, High-Fidelity Audio Output Amplifier (PNP = FJA4213OTU) | на замовлення 30 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJA4313RTU | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJA4313RTU - FJA4313RTU, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 4558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJA4313RTU | onsemi | Description: TRANS NPN 250V 17A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 130 W | товар відсутній | |||||||||||||||
FJA4313RTU | onsemi | Description: TRANS NPN 250V 17A TO3PN Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 130 W | на замовлення 4558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJA4313RTU | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Silicon Transistor | на замовлення 233 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
FJA96015 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
FJAF4210 | onsemi | onsemi PNP/10A/200V TO-3PF 100W | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF4210OTU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 140V 10A TO3PF Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 80 W | на замовлення 1037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJAF4210OTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial | на замовлення 314 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJAF4210OTU | onsemi | Description: TRANS PNP 140V 10A TO3PF Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3PF Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 80 W | на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJAF4210OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 140V 10A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF4210OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 140V 10A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF4210RTU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 140V 10A TO3PF-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3PF-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 80 W | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF4210RTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 140V 10A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF4210RTU | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJAF4210RTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJAF4210RTU | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial | на замовлення 340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
FJAF4210YTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 140V 10A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF4210YTU | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJAF4210YTU - FJAF4210YTU, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJAF4210YTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial | на замовлення 268 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJAF4210YTU | onsemi | Description: TRANS PNP 140V 10A TO3PF Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 80 W | на замовлення 2160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJAF4210YTU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 140V 10A TO3PF Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 80 W | на замовлення 3313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJAF4210YTU Код товару: 143532 | Транзистори > Біполярні PNP | товар відсутній | ||||||||||||||||
FJAF4310 | onsemi | onsemi NPN/10A/200V TO-3PF 100W | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF4310OTU | onsemi | Description: TRANS NPN 140V 10A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 80 W | на замовлення 304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJAF4310OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 10A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF4310OTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial | на замовлення 241 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJAF4310OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 10A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF4310RTU | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN 140V 10A TO-3PF | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF4310YTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF4310YTU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 140V 10A TO3PF-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3PF-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 80 W | на замовлення 319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJAF4310YTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 10A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF4310YTU Код товару: 143533 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||
FJAF4310YTU | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJAF4310YTU - FJAF4310YTU, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJAF5804TU | ON Semiconductor | .1500V / 12A NPN Tr. | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF6806DTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Si Transistor Tripple Diff Planar | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF6806DTU | onsemi | Description: TRANS NPN 750V 6A TO3PF | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF6806DTU_NL | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - Pre-Biased 1500V / 6A NPN Tr | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF6806DYDTBTU | onsemi | Description: TRANS NPN 750V 6A TO3PF | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF6806DYDTBTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - Pre-Biased 1550V/750V/10A/NPN | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF6806DYDTBTU_NL | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - Pre-Biased 1550V/750V/10A/NPN | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF6808DTU | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN 750V 8A TO-3PF | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF6808DYDTU | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN 750V 8A TO-3PF | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF6810ATU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Triple Diffused Planar | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF6810ATU | onsemi | Description: TRANS NPN 750V 10A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.5A, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 6A, 5V Supplier Device Package: TO-3PF Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF6810ATU | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJAF6810ATU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJAF6810ATU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 750V 10A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Rail | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF6810ATU_NL | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN/1500V/10A | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF6810AYDTBTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT 1550V/750V/10A/NPN | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF6810AYDTBTU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 750V 10A TO3PF | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF6810AYDTBTU | onsemi | Description: TRANS NPN 750V 10A TO3PF | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF6810AYDTBTU_NL | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT 1550V/750V/10A/NPN | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF6810AYDTBTU_T | onsemi / Fairchild | onsemi | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF6810DTU | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJAF6810DTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJAF6810DTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Si Transistor Tripple Diff Planar | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF6810DTU | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 750V 10A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Rail | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF6810DTU | onsemi | Description: TRANS NPN 750V 10A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.5A, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 6A, 5V Supplier Device Package: TO-3PF Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF6810DTU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 750V 10A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.5A, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 6A, 5V Supplier Device Package: TO-3PF Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V Power - Max: 60 W | на замовлення 2044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJAF6810DTU_NL | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN/1500V/10A | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF6810DYDTBTU | onsemi | Description: TRANS NPN 750V 10A TO-3PF | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF6810DYDTBTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN 1500V/10A | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF6810DYDTBTU_NL | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN,1500V/10A | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF6810TU | onsemi | Description: TRANS NPN 750V 10A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.5A, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 6A, 5V Supplier Device Package: TO-3PF Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF6810TU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Tripple Diff Planar | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF6810TU | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJAF6810TU - TRANS BJTS NPN 750V 10A TO3PF TUBE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJAF6810TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 750V 10A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Rail | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF6810TU | onsemi | Description: TRANS NPN 750V 10A TO3PF Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.5A, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 6A, 5V Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V Power - Max: 60 W | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJAF6810TU (транзистор біполярний NPN) Код товару: 42123 | Fairchild | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-3PM Uceo,V: 750 V Ucbo,V: 1500 V Ic,A: 10 А Монтаж: THT | у наявності 10 шт: 10 шт - РАДІОМАГ-Київ |
| ||||||||||||||
FJAF6812TU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Tripple Diff Planar | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF6812TU | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN 750V 12A TO-3PF | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF6812TU | на замовлення 18630 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
FJAF6815TU | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN 750V 15A TO-3PF | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF6815TU | на замовлення 13820 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
FJAF6820TU | onsemi | Description: TRANS NPN 750V 20A TO-3PF | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF6820TU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF6820TU_NL | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT .1500V / 20A NPN Tr. | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF6910 | FAIRCHILD | TO-3P | на замовлення 360 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
FJAF6910TU | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN 800V 10A TO-3PF | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF6916TU | onsemi | Description: TRANS NPN 800V 16A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2.5A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 8.5A, 5V Supplier Device Package: TO-3PF Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF6916TU (транзистор) Код товару: 47337 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товар відсутній | ||||||||||||||||
FJAF6920 (транзистор біполярный NPN) Код товару: 32283 | Fairchild | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-3PF Uceo,V: 800 V Ucbo,V: 1700 V Ic,A: 20 A h21: 8,5 | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF6920ATU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT .1700V / 20A NPN Tr. | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF6920ATU | onsemi | Description: TRANS NPN 800V 20A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2.75A, 11A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5.5 @ 11A, 5V Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF6920ATU_NL | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT .1700V / 20A NPN Tr. | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF6920TU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF6920TU | onsemi | Description: TRANS NPN 800V 20A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2.75A, 11A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5.5 @ 11A, 5V Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 60 W | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAF6920TU_NL | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT .1700V / 20A NPN Tr. | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAFS1510ATU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 750V 6A TO3PF Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1.5A, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7 @ 3A, 5V Frequency - Transition: 15.4MHz Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V Power - Max: 60 W | на замовлення 5400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJAFS1510ATU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 750V 6A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 1244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJAFS1510ATU | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT ESBC Rated NPN | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
FJAFS1510ATU | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJAFS1510ATU - FJAFS1510ATU, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 5400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJAFS1510ATU | onsemi | Description: TRANS NPN 750V 6A TO3PF Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1.5A, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7 @ 3A, 5V Frequency - Transition: 15.4MHz Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V Power - Max: 60 W | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJAFS1510ATU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 750V 6A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 1244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJAFS1720TU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 800V 12A TO3PF Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 3.33A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8.5 @ 11A, 5V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 60 W | на замовлення 2235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJAFS1720TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 800V 12A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Rail | на замовлення 359 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FJAFS1720TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 800V 12A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Rail | товар відсутній | |||||||||||||||
FJAFS1720TU | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT Sngle NPN 1700V VCEO Power Transistor | на замовлення 44 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
FJAFS1720TU | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJAFS1720TU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|