Продукція > FF7

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FF7Good-ArkDiode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-123FL T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+0.93 грн
Мінімальне замовлення: 740
FF7SURGEDescription: 1A -1000V - ESGA (SOD-123FL) - R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FF7Good-ArkDiode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-123FL T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FF750R12ME7B11BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF750R12ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 750 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Dauer-Kollektorstrom: 750A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoDUAL 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 750A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17590.22 грн
FF750R12ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: ECONODUAL 3 WITH TRENCHSTOP IGBT
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 750A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONOD
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 750 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 45 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 115 nF @ 25 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12985.21 грн
FF750R12ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesDual IGBT Module
товару немає в наявності
FF750R12ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules 1200 V, 750 A dual IGBT module
товару немає в наявності
FF750R12ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesSP005418154
товару немає в наявності
FF750R12ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesDual IGBT Module
товару немає в наявності
FF750R17ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesFF750R17ME7B11BPSA1
товару немає в наявності
FF750R17ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesMEDIUM POWER ECONO
товару немає в наявності
FF750R17ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesFF750R17ME7B11BPSA1
товару немає в наявності
FF750R17ME7B11BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF750R17ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 750 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 - E7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 750A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+31000.64 грн
5+ 27125.76 грн
FF750R17ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: MEDIUM POWER ECONO
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-ECONOD
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 750 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17776.55 грн
FF750R17ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules MEDIUM POWER ECONO
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+20283.52 грн
FF750R17ME7DB11BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF750R17ME7DB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 750 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 750A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 20mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 750A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17491.5 грн
5+ 15305.26 грн
FF750R17ME7DB11BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 750A 11-Pin ECONOD-3 Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18782.4 грн
FF750R17ME7DB11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: MEDIUM POWER ECONO
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 750A
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 750 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 78.1 nF @ 25 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18120.49 грн
FF750R17ME7DB11BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules 1700 V, 750 A dual IGBT module
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+20675.16 грн
FF750R17ME7DB11BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 750A 11-Pin ECONOD-3 Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17440.8 грн
FF750R17ME7DB11BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 750A 11-Pin ECONOD-3 Tray
товару немає в наявності
FF750R17ME7DPB11BPSA1Infineon Technologies MEDIUM POWER ECONO
товару немає в наявності
FF75R06KF3EUPECC3-4
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FF75R12KE3EUPECMODULE
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FF75R12KT3EUPECMODULE
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FF75R12RT4
Код товару: 67169		Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
FF75R12RT4Infineon TechnologiesIGBT Modules IGBT 1200V 75A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7023.1 грн
10+ 6319.62 грн
20+ 5243.37 грн
50+ 5126.98 грн
100+ 4999.94 грн
FF75R12RT4HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 75A 395000mW Automotive 7-Pin 34MM-1 Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FF75R12RT4HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 75A 395W 7-Pin 34MM-1 Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+4921.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
FF75R12RT4HOSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF75R12RT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 75 A, 1.85 V, 395 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 75A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 395W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6888.32 грн
5+ 6510.95 грн
10+ 6133.57 грн
FF75R12RT4HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 75A 395W 7-Pin 34MM-1 Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+5336.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
FF75R12RT4HOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 75A 395W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 395 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4714.57 грн
10+ 4127.21 грн
FF75R12W1T7EB11BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules EASY STANDARD
товару немає в наявності
FF75R12W1T7EB11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: EASY STANDARD
Packaging: Tray
товару немає в наявності
FF75R12W1T7EB11BPSA1Infineon TechnologiesFF75R12W1T7EB11BPSA1
товару немає в наявності
FF75R12YT3Infineon TechnologiesIGBT Modules N-CH 1.2KV 100A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FF75R12YT3BOMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 100A 345W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 345 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
FF75R12YT3BOMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - FF75R12YT3BOMA1 - FF75R12 - IGBT MODULE
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FF75R12YT3BOMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 100A 345000mW Tray
товару немає в наявності
FF7MR12W1M1HB17BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF7MR12W1M1HB17BPSA1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 105 A, 1.2 kV, 0.0058 ohm, 18 V, 5.15 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Produktpalette: EasyDUAL Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13642.1 грн
5+ 12779.06 грн
10+ 11912.05 грн
FF7MR12W1M1HB17BPSA1Infineon TechnologiesFF7MR12W1M1HB17BPSA1
товару немає в наявності
FF7MR12W1M1HB17BPSA1Infineon TechnologiesMOSFET Modules EASY STANDARD
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+12662.6 грн
10+ 11690.02 грн
24+ 9782.7 грн
48+ 9630.82 грн
120+ 9557.72 грн
264+ 9555.59 грн
504+ 9554.17 грн
FF7MR12W1M1HB17BPSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 20mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 120A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400nC @ 18V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 56mA
Supplier Device Package: AG-EASY1B
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10801.82 грн
24+ 8524.21 грн