Продукція > 18N
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
18N | на замовлення 136000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||
18N-06 | API Technologies - Spectrum Control | RF Connectors / Coaxial Connectors ATTENUATOR 18N 18GHZ 6DB | товар відсутній | |||||||||||
18N-10 | API Technologies Corp | Low Power Fixed Attenuator 18GHz 10dB 2-Pin | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
18N-10 | Spectrum Control | RF Connectors / Coaxial Connectors ATTENUATOR 18N 18GHZ 10DB M/F | товар відсутній | |||||||||||
18N-20 | Spectrum Control | RF Connectors / Coaxial Connectors ATTENUATOR 18N 18GHZ 20DB | товар відсутній | |||||||||||
18N-30 | Spectrum Control | Spectrum Control | товар відсутній | |||||||||||
18N-30 | Aeroflex | Low Power Fixed Attenuator 18GHz 30dB 2-Pin | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
18N-50 | API Technologies Corp | Low Power Fixed Attenuator 18GHz 50dB 2-Pin | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
18N10 | Goford Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 25A TO-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1318 pF @ 50 V FET Feature: Standard Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
18N10 | Goford Semiconductor | Description: N100V,RD(MAX)<53M@10V,RD(MAX)<63 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1318 pF @ 50 V FET Feature: Standard Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V | товар відсутній | |||||||||||
18N10 | Goford Semiconductor | Description: N100V,RD(MAX)<53M@10V,RD(MAX)<63 Packaging: Cut Tape (CT) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1318 pF @ 50 V FET Feature: Standard Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V | на замовлення 2296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
18N10 | GOFORD Semiconductor | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
18N20 | Goford Semiconductor | Description: N 200V, RD(MAX)<0.16@10V,VTH1.0V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 847 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||
18N20 | GOFORD Semiconductor | N-CH 200V 18A 0.136OhmMAX at 10V TO-252 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
18N20 | Goford Semiconductor | Description: N 200V, RD(MAX)<0.16@10V,VTH1.0V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 847 pF @ 25 V | на замовлення 1817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
18N20F | GOFORD Semiconductor | N-CH,200V,18A,RD(max) Less Than 0.19Ohm at 10V,VTH 1.0V to 3.0V, TO-220F | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
18N20F | Goford Semiconductor | Description: N200V, 18A,RD<0.19@10V,VTH1.0V~3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 25 V | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
18N20F | Goford Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO-220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
18N20J | Goford Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO-251 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
18N20J | Goford Semiconductor | Description: N200V, 18A,RD<0.16@10V,VTH1V~3V, Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 25 V | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
18N20J | GOFORD Semiconductor | N-CH,200V,18A,RD(max) Less Than 0.16Ohm at 10V,VTH 1.0V to 3.0V, TO-251 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
18N80100 | Remington Industries | Description: RESISTANCE WIRE 18AWG 100' Packaging: Spool Features: Corrosion Resistant, Heater Coil and Appliance Wire Length: 100.0' (30.5m) Wire Gauge: 18 AWG Conductor Strand: Solid Operating Temperature: 1177°C Cable Type: Resistance Wire Ratings: ASTM B-267 Conductor Material: Nichrome Part Status: Active | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
18N801000 | Remington Industries | Description: RESISTANCE WIRE 18AWG 1000' Packaging: Bulk Features: Corrosion Resistant, Heater Coil and Appliance Wire Length: 1000.0' (304.8m) Wire Gauge: 18 AWG Conductor Strand: Solid Operating Temperature: 1177°C Cable Type: Resistance Wire Ratings: ASTM B-267 Conductor Material: Nichrome Part Status: Active | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
18N8025 | Remington Industries | Description: RESISTANCE WIRE 18AWG 25' Packaging: Bulk Features: Corrosion Resistant, Heater Coil and Appliance Wire Length: 25.00' (7.62m) Wire Gauge: 18 AWG Conductor Strand: Solid Operating Temperature: 1177°C Cable Type: Resistance Wire Ratings: ASTM B-267 Conductor Material: Nichrome Part Status: Active | на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
18N80250 | Remington Industries | Description: RESISTANCE WIRE 18AWG 250' Packaging: Spool Features: Corrosion Resistant, Heater Coil and Appliance Wire Length: 250.0' (76.2m) Wire Gauge: 18 AWG Conductor Strand: Solid Operating Temperature: 1177°C Cable Type: Resistance Wire Ratings: ASTM B-267 Conductor Material: Nichrome Part Status: Active | на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
18N80500 | Remington Industries | Description: RESISTANCE WIRE 18AWG 500' Packaging: Bulk Features: Corrosion Resistant, Heater Coil and Appliance Wire Length: 500.0' (152.4m) Wire Gauge: 18 AWG Conductor Strand: Solid Operating Temperature: 1177°C Cable Type: Resistance Wire Ratings: ASTM B-267 Conductor Material: Nichrome Part Status: Active | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
18ND04 | NAIS | 07+ | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||
18ND12 | NAIS | 07+ | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||
18nF 16V X7R 5% 0805 4k/reel (C0805B182J160NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 34550 | Hitano | Керамічні SMD конденсатори > 0805 Ємність: 18 nF Номін.напруга: 16 V Діелектрик: X7R Точність: ±5% J Типорозмір: 0805 | товар відсутній | |||||||||||
18nF 1kV 5% 2220 (KCM55L5C3A183JDL1L-Murata) Код товару: 193764 | Керамічні SMD конденсатори > 2220 | товар відсутній | ||||||||||||
18nF 250V X7R 10% 1210 Код товару: 34555 | Керамічні SMD конденсатори > 1210 Ємність: 18 nF Номін.напруга: 250 V Діелектрик: X7R Точність: ±10% K Типорозмір: 1210 | товар відсутній | ||||||||||||
18nF 25V 10% X7R 0402 (C0402X183K250NU-Hitano) Код товару: 104940 | Hitano | Керамічні SMD конденсатори > 0402 Номінал: 18 nF Ном.напруга: 25 V Діелектрик: X7R Точність: ±10% K Типорозмір: 0402 | у наявності 5235 шт: 710 шт - склад155 шт - РАДІОМАГ-Київ 990 шт - РАДІОМАГ-Львів 900 шт - РАДІОМАГ-Харків 1800 шт - РАДІОМАГ-Одеса 680 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||
18nf 5% 0805 (LQW2BAS18NJ00) Код товару: 100997 | Індуктивності, дроселі > Індуктивності 0805 | товар відсутній | ||||||||||||
18nF 50V X7R 10% 0603 4k/reel (C0603B183K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 50738 | Hitano | Керамічні SMD конденсатори > 0603 Ємність: 18 nF Номін.напруга: 50 V Діелектрик: X7R Точність: ±10% K Типорозмір: 0603 | у наявності 30 шт: 30 шт - РАДІОМАГ-Харківочікується 8000 шт: 8000 шт - очікується |
| ||||||||||
18nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B183K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 3966 | Hitano | Керамічні SMD конденсатори > 0805 Ємність: 18 nF Номін.напруга: 50 V Діелектрик: X7R Точність: ±10% K Типорозмір: 0805 | у наявності 6735 шт: 4160 шт - склад1220 шт - РАДІОМАГ-Київ 885 шт - РАДІОМАГ-Львів 470 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||
18nf 50V X7R 10% 0805 CC0805KRX7R9BB183 Код товару: 203624 | Керамічні SMD конденсатори > 0805 | товар відсутній | ||||||||||||
18nF 50V X7R 5% 0805 (0805B183J500NT) Код товару: 143267 | Fenghua | Керамічні SMD конденсатори > 0805 Ємність: 18 nF Номін.напруга: 50 V Діелектрик: X7R Точність: ±5% J Типорозмір: 0805 | товар відсутній | |||||||||||
18nF 50V Y5V 20% 1206 4k/reel (C1206Y183M500NT-Hitano) (конденсатори керамічні SMD) Код товару: 1903 | Hitano | Керамічні SMD конденсатори > 1206 Ємність: 18 nF Номін.напруга: 50 V Діелектрик: Y5V Точність: ±20% M Типорозмір: 1206 | у наявності 5980 шт: 1200 шт - склад2270 шт - РАДІОМАГ-Київ 2510 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||
18nf 630v GCM32D5C2J183FX01L Код товару: 187122 | Керамічні SMD конденсатори > 1210 | товар відсутній | ||||||||||||
18nH 1,05A 0402 (LQW15AN18NG8ZD) Код товару: 189561 | Індуктивності, дроселі > Індуктивності 0402 | товар відсутній | ||||||||||||
18nH 2% 100MHz 40Q-Factor 550mA 160mOhm 0603 (LQW18AN18NG00D) Код товару: 164035 | Індуктивності, дроселі > Індуктивності 0603 | товар відсутній | ||||||||||||
18nH 5% 0603 (CW0603-18-FERROCORE) Код товару: 187996 | Індуктивності, дроселі > Індуктивності 0603 | товар відсутній | ||||||||||||
18nH 5% 0805 (CW0805-18NJ-Matsuta) індуктивність Код товару: 24984 | Matsuta | Індуктивності, дроселі > Індуктивності 0805 Номінал, H: 18 nH Типорозмір: 0805 | товар відсутній | |||||||||||
18nH 5% 0805 (SWI0805CT18NJ – Hitano) індуктивність Код товару: 14648 | Hitano | Індуктивності, дроселі > Індуктивності 0805 Номінал, H: 18 nH Точність: ±5% Типорозмір: 0805 Характеристики: Дротова на кераміці, IDC max=600mA Номинальный ток: 600 mA Опір: 0,17 Ohm | товар відсутній | |||||||||||
18nH 80mA 2Ohm 2% 500MHz (LQP15MN18NG02D /Murata) Код товару: 94404 | Індуктивності, дроселі > Індуктивності 0402 | товар відсутній | ||||||||||||
18NJ | YAGEO | HH2520 | на замовлення 4700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||
18NK | YAGEO | HH2520 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |