ZXMN10A08E6TA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V
на замовлення 306000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.89 грн |
| 6000+ | 13.61 грн |
| 9000+ | 12.64 грн |
| 30000+ | 11.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN10A08E6TA Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-26, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V.
Інші пропозиції ZXMN10A08E6TA за ціною від 13.18 грн до 44.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXMN10A08E6TA | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
ZXMN10A08E6TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R |
на замовлення 5139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
ZXMN10A08E6TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R |
на замовлення 5139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
ZXMN10A08E6TA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET 100V N-Chnl UMOS |
на замовлення 16013 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
ZXMN10A08E6TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V |
на замовлення 307218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| ZXMN10A08E6TA |
|
на замовлення 3200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
|
|
ZXMN10A08E6TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R |
товар відсутній |