на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZVP3310FTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZVP3310FTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 75 mA, 20 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 330mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330mW, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 20ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm.
Інші пропозиції ZVP3310FTA за ціною від 8.32 грн до 40.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ZVP3310FTA | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 100V 0.075A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZVP3310FTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 100V 75MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZVP3310FTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.075A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZVP3310FTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVP3310FTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 75 mA, 20 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 330mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 20ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm |
на замовлення 9345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZVP3310FTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.075A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZVP3310FTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.2A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -1.2A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 403 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZVP3310FTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 100V 75MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 9211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZVP3310FTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.075A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZVP3310FTA | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET P-Chnl 100V |
на замовлення 10575 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZVP3310FTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.2A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -1.2A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 403 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZVP3310FTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVP3310FTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 75 mA, 20 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm |
на замовлення 9345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
ZVP3310FTA Код товару: 196658 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
ZVP3310FTA | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.075A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
ZVP3310FTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.075A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |