WNSC6D10650Q WeEn Semiconductors
Виробник: WeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 224.71 грн |
| 10+ | 181.52 грн |
| 100+ | 146.84 грн |
| 500+ | 122.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WNSC6D10650Q WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V.
Інші пропозиції WNSC6D10650Q за ціною від 107.66 грн до 277.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
WNSC6D10650Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
Schottky Diodes & Rectifiers WNSC6D10650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK |
на замовлення 2639 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
WNSC6D10650Q | Виробник : WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D10650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 24 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 productTraceability: No Kapazitive Gesamtladung: 24nC rohsCompliant: YES Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WNSC6D10650Q | Виробник : Ween |
WNSC6D10650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK |
товар відсутній |
||||||||||||||||
 |
WNSC6D10650Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220AC; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Kind of package: tube Max. forward impulse current: 75A кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
WNSC6D10650Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220AC; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Kind of package: tube Max. forward impulse current: 75A |
товар відсутній |