WNSC2D20650CJQ WeEn Semiconductors
Виробник: WeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO3PF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 480+ | 225.91 грн |
| 960+ | 186.27 грн |
| 2400+ | 175.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WNSC2D20650CJQ WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO3PF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A, Supplier Device Package: TO-3PF, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V.
Інші пропозиції WNSC2D20650CJQ за ціною від 167.01 грн до 400.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
WNSC2D20650CJQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D20650CJ/TO3PF/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
WNSC2D20650CJQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
Description: DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO3PF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-3PF Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
WNSC2D20650CJQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; SOT1293,TO3PF Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A x2 Max. load current: 20A Semiconductor structure: common cathode; double Case: SOT1293; TO3PF Kind of package: tube Max. forward impulse current: 50A Max. forward voltage: 1.8V кількість в упаковці: 2400 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
WNSC2D20650CJQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; SOT1293,TO3PF Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A x2 Max. load current: 20A Semiconductor structure: common cathode; double Case: SOT1293; TO3PF Kind of package: tube Max. forward impulse current: 50A Max. forward voltage: 1.8V |
товар відсутній |