WNSC2D04650Q WeEn Semiconductors
Виробник: WeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 95.56 грн |
| 50+ | 73.86 грн |
| 100+ | 58.53 грн |
| 500+ | 46.56 грн |
| 1000+ | 37.93 грн |
| 2000+ | 35.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WNSC2D04650Q WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V.
Інші пропозиції WNSC2D04650Q за ціною від 34.51 грн до 102.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
WNSC2D04650Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D04650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK |
на замовлення 2876 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| WNSC2D04650Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Max. load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Kind of package: tube Max. forward impulse current: 24A Max. forward voltage: 2.2V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| WNSC2D04650Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Max. load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Kind of package: tube Max. forward impulse current: 24A Max. forward voltage: 2.2V |
товар відсутній |