UMB11NTN ROHM Semiconductor
на замовлення 2726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 34.46 грн |
| 13+ | 25.95 грн |
| 100+ | 11.39 грн |
| 1000+ | 7.52 грн |
| 3000+ | 5.73 грн |
| 9000+ | 5.59 грн |
| 24000+ | 4.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UMB11NTN ROHM Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: UMT6, Part Status: Active.
Інші пропозиції UMB11NTN
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
UMB11NTN | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: UMT6 Part Status: Active |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| UMB11 N TN | Виробник : ROHM | SOT363 |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| UMB11NTN | Виробник : ROHM |
SOT363 |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| UMB11N TN | Виробник : ROHM | SOT-363 02+ |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| UMB11NTN | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
UMB11NTN PNP SMD transistors |
товар відсутній |
||
|
|
UMB11NTN | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: UMT6 Part Status: Active |
товар відсутній |