Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPH9R00CQH,LQ
TPH9R00CQH,LQ

TPH9R00CQH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=70667&prodName=TPH9R00CQH Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+56.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH9R00CQH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 75 V.

Інші пропозиції TPH9R00CQH,LQ за ціною від 50.03 грн до 133.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPH9R00CQH,LQ TPH9R00CQH,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70667&prodName=TPH9R00CQH Description: UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 75 V
на замовлення 9131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+131.39 грн
10+ 104.96 грн
100+ 83.54 грн
500+ 66.34 грн
1000+ 56.29 грн
2000+ 53.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
TPH9R00CQH,LQ TPH9R00CQH,LQ Виробник : Toshiba TPH9R00CQH_datasheet_en_20210316-3043965.pdf MOSFET
на замовлення 20070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+133.66 грн
10+ 110.32 грн
100+ 76.6 грн
250+ 70.39 грн
500+ 63.56 грн
1000+ 57.28 грн
5000+ 50.03 грн
Мінімальне замовлення: 3