Продукція > TRANSPHORM > TP65H150G4LSG
TP65H150G4LSG

TP65H150G4LSG Transphorm

TP65H150G4LSG_3v3-2900669.pdf Виробник: Transphorm
MOSFET GAN FET 650V 13A TO220
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+368.76 грн
10+ 315.08 грн
25+ 265.7 грн
100+ 223.6 грн
250+ 216.7 грн
500+ 194.62 грн
1000+ 165.63 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP65H150G4LSG Transphorm

Description: GAN FET N-CH 650V PQFN, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: 3-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA, Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 598 pF @ 400 V.

Інші пропозиції TP65H150G4LSG за ціною від 166.41 грн до 348.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TP65H150G4LSG Виробник : Transphorm Description: GAN FET N-CH 650V PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 598 pF @ 400 V
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+348.63 грн
10+ 301.43 грн
100+ 246.98 грн
500+ 197.31 грн
1000+ 166.41 грн
TP65H150G4LSG Виробник : Transphorm Description: GAN FET N-CH 650V PQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 3-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 598 pF @ 400 V
товар відсутній