Продукція > TRANSPHORM > TP65H070G4LSGB-TR
TP65H070G4LSGB-TR

TP65H070G4LSGB-TR Transphorm

datasheet-tp65h070g4lsgb Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 700µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
на замовлення 2981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+754 грн
10+ 622.7 грн
100+ 518.91 грн
500+ 429.69 грн
1000+ 386.72 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP65H070G4LSGB-TR Transphorm

Description: GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 700µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V.

Інші пропозиції TP65H070G4LSGB-TR за ціною від 398.82 грн до 808.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TP65H070G4LSGB-TR TP65H070G4LSGB-TR Виробник : TRANSPHORM datasheet-tp65h070g4lsgb Description: TRANSPHORM - TP65H070G4LSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 8.4 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 8.4nC
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+773.41 грн
5+ 618.57 грн
10+ 511.74 грн
50+ 458.65 грн
100+ 406.78 грн
250+ 398.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
TP65H070G4LSGB-TR TP65H070G4LSGB-TR Виробник : Transphorm tp65h070g4lsgb_1v5_1-3179786.pdf MOSFET GAN FET 650V 29A QFN8x8
на замовлення 2901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+808.37 грн
10+ 683.33 грн
25+ 538.3 грн
100+ 494.82 грн
250+ 465.84 грн
500+ 436.85 грн
1000+ 414.08 грн
TP65H070G4LSGB-TR TP65H070G4LSGB-TR Виробник : Transphorm datasheet-tp65h070g4lsgb Description: GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 700µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
товар відсутній