на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1074.88 грн |
| 10+ | 933.33 грн |
| 30+ | 789.51 грн |
| 60+ | 746.03 грн |
| 120+ | 701.17 грн |
| 270+ | 679.78 грн |
| 510+ | 636.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP65H050G4YS Transphorm
Description: TRANSPHORM - TP65H050G4YS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 35 A, 0.06 ohm, 16 nC, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 16nC, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SuperGaN Series, productTraceability: No, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції TP65H050G4YS за ціною від 666.9 грн до 1089.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TP65H050G4YS | Виробник : TRANSPHORM |
Description: TRANSPHORM - TP65H050G4YS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 35 A, 0.06 ohm, 16 nC, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 16nC Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|