TP65H015G5WS TRANSPHORM
Виробник: TRANSPHORMDescription: TRANSPHORM - TP65H015G5WS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 95 A, 0.018 ohm, 74 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 74nC
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1788.37 грн |
| 5+ | 1720.24 грн |
| 10+ | 1650.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP65H015G5WS TRANSPHORM
Description: 650 V 95 A GAN FET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 266W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 2mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5218 pF @ 400 V.
Інші пропозиції TP65H015G5WS за ціною від 1440.99 грн до 2415.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TP65H015G5WS | Виробник : Transphorm |
Description: 650 V 95 A GAN FET Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 266W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 2mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5218 pF @ 400 V |
на замовлення 747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TP65H015G5WS | Виробник : Transphorm |
MOSFET GAN FET 650V 95A TO2 47 |
на замовлення 405 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|