TN5325N8-G Microchip Technology
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 41.01 грн |
25+ | 36.79 грн |
100+ | 33.7 грн |
250+ | 31.02 грн |
500+ | 29.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TN5325N8-G Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 250V 316MA TO243AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 316mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TN5325N8-G за ціною від 32.92 грн до 64.13 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TN5325N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 250V 316MA TO243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 316mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TN5325N8-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.316A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TN5325N8-G | Виробник : Microchip Technology | MOSFET 250V 7Ohm |
на замовлення 20783 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TN5325N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 250V 316MA TO243AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 316mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V |
на замовлення 3975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TN5325N8-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.316A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TN5325N8-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 316mA; Idm: 1.5A; 1.6W Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.6W Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1.5A Mounting: SMD Case: SOT89-3 Drain-source voltage: 250V Drain current: 316mA On-state resistance: 7Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
TN5325N8-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.316A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
TN5325N8-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.316A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
TN5325N8-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 316mA; Idm: 1.5A; 1.6W Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.6W Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1.5A Mounting: SMD Case: SOT89-3 Drain-source voltage: 250V Drain current: 316mA On-state resistance: 7Ω Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |