TKR74F04PB,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 250A TO220SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 152.97 грн |
| 2000+ | 138.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TKR74F04PB,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 250A TO220SM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 125A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220SM(W), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 10 V.
Інші пропозиції TKR74F04PB,LXGQ за ціною від 140.1 грн до 316.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TKR74F04PB,LXGQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 40V 250A TO220SM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 125A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SM(W) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 10 V |
на замовлення 4284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TKR74F04PB,LXGQ | Виробник : Toshiba |
MOSFET PD=375W F=1MHZ AEC-Q101 |
на замовлення 1257 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TKR74F04PB,LXGQ | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R |
товар відсутній |