на замовлення 3334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 443.64 грн |
10+ | 374.6 грн |
25+ | 302.97 грн |
100+ | 271.91 грн |
250+ | 261.56 грн |
500+ | 240.17 грн |
1000+ | 216.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK065U65Z,RQ Toshiba
Description: DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZ, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19A, 10V, Power Dissipation (Max): 270W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA, Supplier Device Package: TOLL, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK065U65Z,RQ
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
TK065U65Z,RQ | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 38A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R |
товар відсутній |
||
TK065U65Z,RQ | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 38A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R |
товар відсутній |
||
TK065U65Z,RQ | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 38A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R |
товар відсутній |
||
TK065U65Z,RQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 270W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA Supplier Device Package: TOLL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 300 V |
товар відсутній |
||
TK065U65Z,RQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZ Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 270W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA Supplier Device Package: TOLL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 300 V |
товар відсутній |