Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TJ60S06M3L,LXHQ
TJ60S06M3L,LXHQ

TJ60S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage

Automotive%20Verbiage%20for%20Distribution%20-TAEC%20Letterhead.pdf Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7760 pF @ 10 V
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.74 грн
10+ 86.19 грн
100+ 67.02 грн
500+ 53.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TJ60S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 60V 60A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: DPAK+, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): +10V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7760 pF @ 10 V.

Інші пропозиції TJ60S06M3L,LXHQ за ціною від 39.75 грн до 115.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TJ60S06M3L,LXHQ TJ60S06M3L,LXHQ Виробник : Toshiba TJ60S06M3L_datasheet_en_20200706-1143625.pdf MOSFET 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 28568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.14 грн
10+ 92.86 грн
100+ 62.87 грн
500+ 53.35 грн
1000+ 43.48 грн
2000+ 40.79 грн
4000+ 39.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
TJ60S06M3L,LXHQ TJ60S06M3L,LXHQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Automotive%20Verbiage%20for%20Distribution%20-TAEC%20Letterhead.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7760 pF @ 10 V
товар відсутній