Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TDTC143E,LM
TDTC143E,LM

TDTC143E,LM Toshiba Semiconductor and Storage

TDTC143E_datasheet_en_20201113.pdf?did=36371&prodName=TDTC143E Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
на замовлення 2683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+11.94 грн
35+ 8.27 грн
100+ 4.43 грн
500+ 3.26 грн
1000+ 2.26 грн
Мінімальне замовлення: 25
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TDTC143E,LM Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-23-3, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 320 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms.

Інші пропозиції TDTC143E,LM

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TDTC143E,LM TDTC143E,LM Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TDTC143E_datasheet_en_20201113.pdf?did=36371&prodName=TDTC143E Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
товар відсутній
TDTC143E,LM TDTC143E,LM Виробник : Toshiba TDTC143E_datasheet_en_20201113.pdf?did=36371&prodName=TDTC143E Digital Transistors BRT 0.1A 50V 4.7KOhm / 4.7KOhm
товар відсутній