Продукція > STMICROELECTRONICS > STU3N65M6
STU3N65M6

STU3N65M6 STMicroelectronics

stu3n65m6-1851949.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in an IPAK package
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93.4 грн
10+ 82.54 грн
100+ 55.69 грн
500+ 46.03 грн
1000+ 36.3 грн
3000+ 30.85 грн
9000+ 30.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STU3N65M6 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 3.5A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.75A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.75V @ 250µA, Supplier Device Package: I-PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STU3N65M6

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STU3N65M6 Виробник : STMicroelectronics stu3n65m6.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 3.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
STU3N65M6 STU3N65M6 Виробник : STMicroelectronics stu3n65m6.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 3.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
STU3N65M6 Виробник : STMicroelectronics stu3n65m6.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 3.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.75V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 100 V
товар відсутній