STE88N65M5 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STE88N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 88 A, 0.024 ohm, ISOTOP, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 494W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STE88N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 88 A, 0.024 ohm, ISOTOP, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 494W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2890.03 грн |
5+ | 2656.23 грн |
10+ | 2421.65 грн |
50+ | 2173.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STE88N65M5 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STE88N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 88 A, 0.024 ohm, ISOTOP, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 88A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 494W, Bauform - Transistor: ISOTOP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: MDmesh V, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm.
Інші пропозиції STE88N65M5 за ціною від 1924.08 грн до 2904.99 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STE88N65M5 | Виробник : STMicroelectronics | MOSFET N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ 88 A MDmesh M5 Power MOSFET |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STE88N65M5 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 88A 4-Pin ISOTOP Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
STE88N65M5 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 88A 4-Pin ISOTOP Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
STE88N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 650V; 55.7A; ISOTOP; screw; Idm: 352A Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 55.7A Pulsed drain current: 352A Power dissipation: 494W Case: ISOTOP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 24mΩ Kind of package: tube Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
STE88N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 88A ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: ISOTOP Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 494W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: ISOTOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8825 pF @ 100 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
STE88N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 650V; 55.7A; ISOTOP; screw; Idm: 352A Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 55.7A Pulsed drain current: 352A Power dissipation: 494W Case: ISOTOP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 24mΩ Kind of package: tube Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor |
товар відсутній |