Продукція > VISHAY SILICONIX > SQSA80ENW-T1_GE3
SQSA80ENW-T1_GE3

SQSA80ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqsa80enw.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+30.35 грн
6000+ 27.84 грн
9000+ 26.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQSA80ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 40 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQSA80ENW-T1_GE3 за ціною від 26.98 грн до 79.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQSA80ENW-T1_GE3 SQSA80ENW-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqsa80enw.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+73.16 грн
10+ 57.8 грн
100+ 44.97 грн
500+ 35.77 грн
1000+ 29.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
SQSA80ENW-T1_GE3 SQSA80ENW-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqsa80enw.pdf MOSFET 80V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
на замовлення 7366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+79.39 грн
10+ 64.29 грн
100+ 43.55 грн
500+ 36.92 грн
1000+ 30.02 грн
3000+ 28.23 грн
6000+ 26.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
SQSA80ENW-T1_GE3 SQSA80ENW-T1_GE3 Виробник : Vishay sqsa80enw.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 18A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
товар відсутній