Продукція > VISHAY SILICONIX > SQS966ENW-T1_GE3
SQS966ENW-T1_GE3

SQS966ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqs966enw.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+27.39 грн
6000+ 25.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQS966ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 27.8W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 1.25A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQS966ENW-T1_GE3 за ціною від 24.43 грн до 72.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQS966ENW-T1_GE3 SQS966ENW-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqs966enw.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.44 грн
10+ 52.19 грн
100+ 40.57 грн
500+ 32.28 грн
1000+ 26.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
SQS966ENW-T1_GE3 SQS966ENW-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqs966enw.pdf MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W
на замовлення 42073 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72.62 грн
10+ 57.7 грн
100+ 39.48 грн
500+ 33.47 грн
1000+ 27.26 грн
3000+ 25.88 грн
6000+ 24.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
SQS966ENW-T1_GE3 SQS966ENW-T1_GE3 Виробник : Vishay sqs966enw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)