SQS415ENW-T1_GE3 Vishay
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 25.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQS415ENW-T1_GE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8W, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4825 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQS415ENW-T1_GE3 за ціною від 25.69 грн до 87.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQS415ENW-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8WPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4825 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SQS415ENW-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4825 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 10445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SQS415ENW-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -40V Vds 20V Vgs POWERPAK 1212-8W |
на замовлення 24038 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SQS415ENW-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQS415ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.013 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm |
на замовлення 13083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|