Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ4917CEY-T1_GE3
SQ4917CEY-T1_GE3

SQ4917CEY-T1_GE3 Vishay Siliconix

sq4917cey.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ4917CEY-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQ4917CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0421 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0421ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0421ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 5W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SQ4917CEY-T1_GE3 за ціною від 31.47 грн до 109.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQ4917CEY-T1_GE3 SQ4917CEY-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq4917cey.pdf Description: VISHAY - SQ4917CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0421 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0421ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0421ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+66.89 грн
500+ 51.33 грн
1000+ 37.36 грн
2500+ 34.9 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQ4917CEY-T1_GE3 SQ4917CEY-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq4917cey.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+86.6 грн
10+ 68.22 грн
100+ 53.08 грн
500+ 42.22 грн
1000+ 34.4 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQ4917CEY-T1_GE3 SQ4917CEY-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq4917cey.pdf MOSFET Automotive Dual P-Channel 60V 175CmOSFET 48mO 10V, 61.2mO 4.5V
на замовлення 5501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93.4 грн
10+ 76.03 грн
100+ 51.35 грн
500+ 43.55 грн
1000+ 37.13 грн
2500+ 31.54 грн
10000+ 31.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQ4917CEY-T1_GE3 SQ4917CEY-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq4917cey.pdf Description: VISHAY - SQ4917CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0421 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0421ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0421ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+109.93 грн
10+ 90.58 грн
100+ 66.89 грн
500+ 51.33 грн
1000+ 37.36 грн
2500+ 34.9 грн
Мінімальне замовлення: 8
SQ4917CEY-T1-GE3 Виробник : Vishay MOSFET P CHAN 60V SO-8
товар відсутній