SQ4282EY-T1_BE3

SQ4282EY-T1_BE3 Vishay Siliconix


Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+51.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ4282EY-T1_BE3 Vishay Siliconix

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A, Type of transistor: N-MOSFET x2, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 8A, Pulsed drain current: 32A, Power dissipation: 3.9W, Case: SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 21mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 47nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 2500 шт.

Інші пропозиції SQ4282EY-T1_BE3 за ціною від 36.65 грн до 113.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQ4282EY-T1_BE3 SQ4282EY-T1_BE3 Виробник : Vishay Semiconductors MOSFET DUAL N-CHANNEL 30V
на замовлення 21028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.7 грн
10+ 88.1 грн
100+ 59.28 грн
500+ 50.31 грн
1000+ 40.92 грн
2500+ 38.51 грн
5000+ 36.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQ4282EY-T1_BE3 SQ4282EY-T1_BE3 Виробник : Vishay Siliconix Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC
на замовлення 2608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.47 грн
10+ 98.06 грн
100+ 76.42 грн
500+ 59.24 грн
1000+ 46.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQ4282EY-T1_BE3 Виробник : VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SQ4282EY-T1_BE3 Виробник : VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній