SPW20N60S5FKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 242.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPW20N60S5FKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SPW20N60S5FKSA1 за ціною від 292.83 грн до 474.24 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SPW20N60S5FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
SPW20N60S5FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
SPW20N60S5FKSA1 | Виробник : Infineon |
N-MOSFET 600V 2A 208W SPW20N60S5FKSA1 SPW20N60S5 TSPW20n60s5 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 77 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
SPW20N60S5FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||
SPW20N60S5FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||
SPW20N60S5FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||
SPW20N60S5FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_LEGACY |
товар відсутній |