SPW20N60C3FKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 178.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPW20N60C3FKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SPW20N60C3FKSA1 за ціною від 167.56 грн до 507.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPW20N60C3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 12720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SPW20N60C3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 3575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SPW20N60C3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 3575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SPW20N60C3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SPW20N60C3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V |
на замовлення 1613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SPW20N60C3FKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - SPW20N60C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 887 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SPW20N60C3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SPW20N60C3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SPW20N60C3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET HIGH POWER_LEGACY |
товар відсутній |