SIA527DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.21 грн |
| 6000+ | 11.16 грн |
| 9000+ | 10.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIA527DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 7.8W, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual, Part Status: Active.
Інші пропозиції SIA527DJ-T1-GE3 за ціною від 12.34 грн до 48.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIA527DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active |
на замовлення 12600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIA527DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -12V Vds 8V Vgs SC-70 N&P PAIR |
на замовлення 6196 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SIA527DJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET Type of transistor: N/P-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| SIA527DJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET Type of transistor: N/P-MOSFET |
товар відсутній |