SI9407BDY-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 38.01 грн |
5000+ | 34.86 грн |
12500+ | 33.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI9407BDY-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V.
Інші пропозиції SI9407BDY-T1-E3 за ціною від 31.49 грн до 91.82 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SI9407BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI9407BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI9407BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI9407BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET -60V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 85593 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI9407BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V |
на замовлення 19855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI9407BDYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
SI9407BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
SI9407BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4.7A; Idm: -20A; 3.2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -4.7A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 3.2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
SI9407BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4.7A; Idm: -20A; 3.2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -4.7A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 3.2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |