SI3139KL3A-TP Micro Commercial Co
Виробник: Micro Commercial CoDescription: P-CHANNEL MOSFET,DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.86 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 16 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 3.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3139KL3A-TP Micro Commercial Co
Description: P-CHANNEL MOSFET,DFN1006-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 500mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 900mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1006-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.86 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 16 V.
Інші пропозиції SI3139KL3A-TP за ціною від 3.76 грн до 27.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI3139KL3A-TP | Виробник : Micro Commercial Co |
Description: P-CHANNEL MOSFET,DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 900mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.86 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 16 V |
на замовлення 12473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|