SI2301BDS-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 6 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.42 грн |
| 6000+ | 7.77 грн |
| 9000+ | 6.99 грн |
| 30000+ | 6.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2301BDS-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 6 V.
Інші пропозиції SI2301BDS-T1-E3 за ціною від 8.14 грн до 33.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2301BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2301BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2301BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2301BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 531000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2301BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2301BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2301BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2301BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 6 V |
на замовлення 50691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2301BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET RECOMMENDED ALT SI2301CDS-T1-GE3 |
на замовлення 2935 шт: термін постачання 84-93 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI2301BDST1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 5650 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| SI2301BDST1E3 | Виробник : VISHAY | 09+ SOP |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
SI2301BDS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SI2301BDS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.4A; Idm: -10A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.4A Pulsed drain current: -10A Power dissipation: 0.9W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SI2301BDS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.4A; Idm: -10A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.4A Pulsed drain current: -10A Power dissipation: 0.9W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |