Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SH8K32GZETB
SH8K32GZETB

SH8K32GZETB Rohm Semiconductor

sh8k32-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+48.13 грн
5000+ 44.6 грн
12500+ 43.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SH8K32GZETB Rohm Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.4W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP.

Інші пропозиції SH8K32GZETB за ціною від 37.66 грн до 112.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SH8K32GZETB SH8K32GZETB Виробник : Rohm Semiconductor sh8k32-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
147+81.54 грн
154+ 77.9 грн
250+ 74.77 грн
500+ 69.5 грн
1000+ 62.25 грн
Мінімальне замовлення: 147
SH8K32GZETB SH8K32GZETB Виробник : Rohm Semiconductor sh8k32-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
147+81.54 грн
154+ 77.9 грн
250+ 74.77 грн
500+ 69.5 грн
1000+ 62.25 грн
2500+ 58 грн
Мінімальне замовлення: 147
SH8K32GZETB SH8K32GZETB Виробник : Rohm Semiconductor sh8k32-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
146+82.39 грн
171+ 70.18 грн
200+ 60.11 грн
211+ 54.92 грн
500+ 47.59 грн
1000+ 42.89 грн
2000+ 40.45 грн
2500+ 39.32 грн
5000+ 37.66 грн
Мінімальне замовлення: 146
SH8K32GZETB SH8K32GZETB Виробник : Rohm Semiconductor sh8k32-e.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 17490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+106.75 грн
10+ 85.4 грн
100+ 67.96 грн
500+ 53.96 грн
1000+ 45.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
SH8K32GZETB SH8K32GZETB Виробник : ROHM Semiconductor sh8k32_e-1873459.pdf MOSFET 4V Drive Nch+Nch MOSFET. Complex type MOSFETs(N+N) are made as low ON-resistance devices by the micro-processing technologies useful for wide range of applications.Broad lineup covering compact types, high-power types and complex types to meet var
на замовлення 17470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.72 грн
10+ 92.86 грн
100+ 63.98 грн
250+ 59.08 грн
500+ 53.62 грн
1000+ 45.96 грн
2500+ 43.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
SH8K32GZETB SH8K32GZETB Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR sh8k32-e.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.5A; Idm: 18A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SH8K32GZETB SH8K32GZETB Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR sh8k32-e.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.5A; Idm: 18A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній