SH8J31GZETB Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: 60V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 56.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SH8J31GZETB Rohm Semiconductor
Description: 60V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Active.
Інші пропозиції SH8J31GZETB за ціною від 50.17 грн до 132.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SH8J31GZETB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 3566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SH8J31GZETB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SH8J31GZETB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 60V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active |
на замовлення 7477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SH8J31GZETB | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 60V Pch+Pch Si MOSFET |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 192-201 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SH8J31GZETB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -4.5A; Idm: -18A; 2W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 2W Pulsed drain current: -18A Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: P-MOSFET x2 Drain-source voltage: -60V Drain current: -4.5A On-state resistance: 85mΩ Gate charge: 40nC Features of semiconductor devices: ESD protected gate Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SH8J31GZETB | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -4.5A; Idm: -18A; 2W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 2W Pulsed drain current: -18A Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: P-MOSFET x2 Drain-source voltage: -60V Drain current: -4.5A On-state resistance: 85mΩ Gate charge: 40nC Features of semiconductor devices: ESD protected gate Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |